Плотность возбуждения

Предложена экспериментально обоснованная модель процессов, определяющих механизм радиационно-стимулированной импульсной проводимости ЩГК в исследованном диапазоне плотностей возбуждения и температур, включающая следующие основные положения [c.76]

Отметим следующие особенности катодного возбуждения электроны проникают в люминофоры на небольшую глубину (1—5 мкм при энергии 10—40 кэВ), что приводит к увеличению в люминесценции роли поверхностных слоев люминофора и повышению плотности возбуждения это, в свою очередь, влияет на люминесцентные характеристики люминофоров, а также способствует заметному пх разогреванию [c.108]

Оптимальная концентрация примеси определяете эмпирически. При этом исходят из следующих соображений концентрация легирующей добавки должна обеспечить достаточно высокое количество излучательных центров и концентрацию носителей тока, способствующую высокой плотности возбуждения и малым омическим потерям. Однако концентрация примеси не может быть очень высокой, так как высокая концентрация носителей тока (10 8—10 8 см ) значительно повышает безызлучательные потери за счет передачи энергии рекомбинирующих пар свободному электрону или дырке (эффект Оже [91, с. 176—179]). Кро-ме того, при высоком содержании примеси возможно выделение ее в виде отдельной фазы. Обычно концентрацию доноров выбирают в пределах 10 7— 10 , акцепторов Ю -см з.- [c.146]

Фосфид галлия. Наибольшей эффективностью обладают светодиоды из фосфида галлия, полученные при жидкофазном выращивании. Освоено производство светодиодов типа GaP—ZnO с красным свечением с внешней квантовой эффективностью 3% рекордные величины эффективности (7—15%) были получены в лабораторных условиях [92]. Однако эти диоды были изготовлены при низкой концентрации акцептора-цинка, за счет чего уменьшился коэффициент внутреннего поглощения света, но появилось более раннее насыщение яркости от плотности тока — ниже 1,0А-см . Диоды с 3%-ной эффективностью насыщаются при 10А-см . Внутренняя квантовая эффективность по расчетам достигает 10—20%, и в дальнейшем можно ожидать как снижения стоимости, так и усовершенствования технологии, но не повышения эффективности. Диоды на основе GaP с зеленым цветом свечения находятся в стадии разработки. Эффективность промышленных светодиодов не выше 0,1% при плотности возбуждения 10А -см 2. Максимально достигнутые величины эффективности — 0,2% при ЗЗА-см 2 и 0,7% при 200 А-см 2 [93]. Следует отметить, что эффективность 0,1% может быть получена также и у диодов, изготовленных методом газофазной эпитаксии. [c.149]

При температуре жидкого азота квантовая эффективность резко возрастает и достигает нескольких процентов (2—18%). Основная причина низкой эффективности при комнатной температуре — неудачи в создании переходов, обеспечивающих высокую плотность возбуждения, достаточную для преодоления температурного тушения. [c.153]

В первом разделе главы была рассмотрена физическая картина взаимодействия излучений с органическими соединениями. Было показано, что при одинаковой энергии частицы протоны (или нейтроны) дают значительно более плотные траектории ионизации и возбуждения, чем электроны (или гамма-лучи). Усиление ионизации и увеличение плотности возбужденных- частиц происходит и при повышении мощности излучения данного типа. Оба эти фактора, т. е. тип и мощность излучения, влияют на взаимное налегание роев, или центров ионизации и возбуждения. Увеличение зон налегания благоприятствует химическим взаимодействиям между активными формами в этих центрах и зонах, но почти не способствуют усилению реакций активных форм с окружающими исходными молекулами. На основании этих соображений можно ожидать, что тип и интенсивность излучения должны оказывать какое-то влияние при радиолизе смазочных материалов. [c.73]

Такая реакция допускается в треках с большой плотностью возбужденных частиц. [c.367]

Согласно схеме электростатической теории поля лигандов возбужденные состояния поля лигандов возникают в результате электронных переходов между чистыми -орбиталями металла, расщепленными по энергии электростатическим полем, создаваемым лигандами. В этом случае за счет углового распределения электронной плотности возбужденные состояния поля лигандов особенно склонны давать реакции замещения и обмена. Диссоциация, или отщепление лиганда от комплекса в растворе, наблюдается с трудом из-за тенденции других лигандов, присутствующих [c.94]

Влияние уровней захвата удается иногда элиминировать путем применения мощного импульсного возбуждения и проведения измерений в начальной стадии затухания [24, 25, 51]. Поскольку вероятность рекомбинации растет пропорционально Мп, а вероятность захвата пропорционально п, то относительная роль рекомбинации резко увеличивается и по достижении определенной плотности возбуждения становится преобладающей. В этом можно убедиться по слабой зависимости затухания от температуры. При [c.24]

Доля безызлучательных переходов зависит также от плотности возбуждения. Как и в случае взаимодействия двух центров свечения, это объясняется тем, что с увеличением интенсивности возбуждающего излучения скорость рекомбинации растет быстрее (пропорционально Л/л ), чем скорость освобождения дырок с ионизованных центров или захвата электронов глубокими ловушками, играющими роль центров тушения. В результате эффект тушения ослабляется. По этой причине интенсивность люминесценции возрастает не пропорционально интенсивности возбуждения, а быстрее, обычно по закону [c.31]

Следует упомянуть и о других случаях возбуждения антистоксовой люминесценции, т. е. люминесценции, длина волны которой меньше длины волны поглощаемого света. При очень высокой плотности возбуждения, создаваемой лучом лазера, такой эффект достигается слиянием двух фотонов в момент их взаимодействия с веществом (это явление носит название двухфотонного поглощения). Может быть использовано и двухступенчатое возбуждение. Например, вначале электрон из валентной зоны забрасывается на незанятый уровень дефекта А (рис. 20), а затем нри поглощении второго кванта поднимается в зону проводимости. Рекомбинация электрона и дырки происходит на другом дефекте В. [c.48]

Основная причина низкой эффективности светодиодов ири комнатной температуре — неудачи в создании переходов, обеспечивающих высокую плотность возбуждения, достаточную для преодоления температурного тушения. При рассмотрении литературных данных можно выделить два пути решения этой проблемы, которые по мнению многих авторов приведут к успеху а) разработка диодов, в которых высокая плотность возбуждения достигается за счет ударной ионизации (лавинная инжекция) б) разработка методов легирования применительно к соединениям типа Л В , обеспечивающих высокий уровень легирования (и, следовательно, высокую плотность возбуждения) на основе новых технологических приемов. [c.53]

При оценке выводов настоящего параграфа необходимо иметь в виду, что наблюдения по зависимости яркости от напряжения относятся к суммарному эффекту свечения без попытки дифференцировать яркость в момент возбуждения и остаточное послесвечение. Такой усреднённый материал, естественно, затрудняет теоретическую расшифровку. При постоянной плотности тока, однако, изменение энергии электронов от нескольких сот вольт до нескольких киловольт мало влияет на характер затухания. Можно предполагать, что в случае простейших по составу люминофоров указанный дефект наблюдений отразится скорее на абсолютных значениях яркости, чем на форме зависимости её от напряжения. Значительно большая не-определённость вызвана условиями возбуждения. Растровое возбуждение из-за неизбежной условности в оценке подаваемой мощности совершенно непригодно для теоретических выводов. При возбуждении неподвижным лучом необходимо иметь в виду большую зависимость яркости от температуры, изменчивость динатронного эффекта и неравномерное распределение плотности возбуждения по пятну. [c.82]

Эффект насыщения по току при возбуждении неподвижным лучом недавно был подвергнут дополнительным исследованиям в табл. 7 приведено изменение яркости свечения трёх люминофоров при различной плотности возбуждения [280, стр. 386]. [c.86]

Как уже отмечалось, интерес к антистоксовским люминофорам резко во рос после того, как было обнаружено совпадение спектров возбуждения люминесценции с ИК-излучением арсенида галлия. Практическое применение их в настоящее время целиком связано с изготовлением светодиодов. Антистоксовские люминофоры эффективно излучают только прн высокой плотности возбуждения, поэтому для концентрирования ИК-излучения применяют диоды очень маленького размера. Поглощение редкоземельных люминофоров в ИК-области невелико, и значительная доля излучения проходит через слой люминофора без поглощения. Поэтому подбирают оптимальную толщину слоя люминофора и его гранулометрический состав таким образом, чтобы максимально использовать ИК-излучение и избежать потерь на самоцоглощение. Спектр поглощения люминофоров в видимой области спектра полностью соответствует их спектру излучения (см. рис. IV.27). Для увеличения степени использования ИК-излучения применяют органические связки с показателем преломления, промежуточным между полупроводником (3,5) и люмршофором (1,4). Важно, чтобы в люми-нофорном покрытии отсутствовали воздушные прослойки. [c.103]

Все приведённые наблюдения характеризуют зависимость яркости от плотности тока для средних и малых её значений, применяемых в работе с электроннолучевыми трубками. Для ряда технических применений представляет интерес поведение экрана при очень малых плотностях возбуждения, не превышающих 10 лА/сл1 . Примером [c.86]

Результаты измерений при перенесении в логарифмический масштаб показывают, что в пределах погрешности эксперимента линейная зависимость между яркостью и плотностью тока плохо сохраняется при очень малых плотностях возбуждения порядка I0 i —10 iA/см . В обычном преобразователе кривые яркость — ток ие про- [c.87]

Показано, что в ЩГК подавляющее большинство носителей заряда термализуются в генетических парах (>90%). Для кристалла КС1 определена энергия активации разделения генетических пар = 0,06 эВ при j < 300 А/см , которая снижается при увеличении плотности возбуждения, а также температтоная зависимость эффективного сечения e-Vt рекомбинации 5= 5,77-10 см . Для кристаллов sl и sBr определены энергии активации разделения генетических пар = 0,07 зВ и = 0,1 эВ соответственно, и температурные зависимости эффективных сечений e-Vt рекомбинаций S= 1,М0 Г см и S = 4,37-10 Г см соответственно. Для кристалла sl-Tl определено эффективное сечение захвата электрона на TI -центр при300К5=7-10- Чм . [c.77]

Помимо самоактивированной люминесценции у чистых халькогенидов наблюдается так называемое краевое излучение, с энергией, близкой К ширине запрещенной зоны ультрафиолетовое в сульфиде цинка (380—390 нм), синее в селениде цинка (460—470 нм) и зеленое (520 нм) в сульфиде кадмия. Оно возникает только при низкой температуре (90 К и ниже) или при комнатной температуре, но при очень высокой плотности возбуждения. [c.37]

Повышение напряжения приводит к уменьшению выгорания, что связано с уменьшепцем плотности возбуждения вследствие увеличения глубины проникновения электронов. Имеющиеся экспериментальные данные показывают, что при выгорании катодолюминофоров имеют значение [c.109]

Катодолюминесцентное излучение, возникаюшее при электронном зондировании, характеризуется значительной плотностью возбужденных состояний в люминофоре. Часть образовавшихся вторичных электронов может рекомбинировать с дырками, при этом излучаются фотоны с длиной волны в диапазоне от инфракрасной до ультрафиолетовой части спектра. Вероятность запасти поглощенную энергию выше для люминофоров с более совершенной кристаллической структурой для аморфных материалов эта способность невелика. Повышение интенсивности возбуждения также снижает длительность возбужденного состояния. Яркость люминесценции является функцией материала люминофора и интенсивности возбуждения. Выход ка-тодолюминесценции невелик (несколько процентов), так как подавляющая часть энергии зонда расходуется на вторичную электронную эмиссию и разогрев вещества люминофора. [c.223]

СТОЛЬКО значительными, что оправдывают трудность работы с вакуумом. Из числа преимуществ электронного возбуждения иа нервом месте следует поставить его высокую мощность. Один бомбардирующий электрон при ускоряющем напряжении 5 кв по энергии эквивалентен 1500 квантам ультрафиолетового света с длиной волны 3600 Л. Таким образом, при стандартных условиях возбуждения (5 кв, 0,2 мка/см вт) на единицу поверхности образца подается мощность, приблизительно соответствую щая падению в секунду 10 квантов света с указанной выше длиной волны. Учитывая малую глубину проникновения электронов в вещество, равную при 5 кв приблизительно 0,4—0,6 мк, в образце создается огромная объемная плотность возбуждения, практически недостижимая в фотолюминес ценции. [c.153]

Константа скорости внутренней конверсии между возбужденными синглетными состояниями (5г, 5з, 8 и т. д.) и состоянием 51 — величина порядка 10 —10 сек , так как этот процесс подавляет флуоресценцию из верхних электронно-возбужденных состояний. По-видимому, безызлучательные переходы с возбужденных триплетных уровней на уровень имеют такую же скорость однако существует относительно немного доказательств этого. С другой стороны, внутренняя конверсия 51 5о и интер комбинационная конверсия Т1 5о являются относительно медленными процессами. Из-за высокой плотности возбужденных состояний выше состояния 51 их поверхности потегщиальной энергии часто пересекаются или расположены близко друг к другу, и это приводит к увеличению скорости внутренней конверсии. За малую скорость переходов 51- 5о и 8(У частично ответственна большая разница энергии состояний 5о и 51 и соответственно 5о и Т . [c.79]

Далее мы попытались учесть влияние ионизирующих излучений на скорость активационных процессов. Влияние тяжелых и легких частиц будет несколько различным. Рассмотрим электрон со скоростью V и энергией е, значительно превышающей энергию возбуждения и ионизации движение электрона рассматривается классически. Изучается вероятность возбуждения молекулы переменным электрическим полем, создаваемым электроном на расстоянии о от его траектории. Для этой цели может быть применена нестационарная теория возмущений. С ее помощью можно показать, что заметный вклад в переходы с энергией АЕ будут давать молекулы, находящиеся внутри цилиндра радиусом г ки1АЕ. При этом рассматриваются относительно медленные электроны (е—Ю эв), для которых отсутствует последовательная теория их взаимодействия с молекулами. В результате создаются локальные повышения плотности возбужденных состояний, что в нашем случае может быть описано путем введения локальной температуры, энтропии и т. д. [c.146]

Анализ спектроскопических данных и физико-химических свойств рения, платины н палладия, а также результаты проведенного эксперимента приводят к выводу, что при взаимодействии рения с платиной и палладием ма.то вероятно проявление глубокого химизма и образование валентно-насыщенных поверхностных структур. Взаимодействие может быть ненолновалентным. Возможно, например, перекрывание отдельных волновых функций 5- и -электронов, слабое перераспределение электронной плотности, возбуждение -электронов. Таким образом, как подтверждает эксперимент, в (Р1-Ь Ке)- и (РсЦ-лКе)-адсорбционных катализаторах возможно формирование поверхностно-активных (тР1.../гКе)< и (тР<1.../ /./ е)-структур бертоллндного тииа. Наибольший статистический вес таких поверхностных комплексов нестехиометрического состава падает на атомные отношения, соответствующие максимуму активности катализаторов. Дальнейшее увеличение содержания рения в системах приводит к преимущественному образованию неактивных, имеющих очень слабый парамагнетизм, рениевых Не )-структур и падению активности и магнитной восприимчивости. [c.10]

В трэках с большой плотностью возбужденных частиц можно ожидать также взаимодействия между возбужденными молекулами воды [c.318]

Причины изменения оптических свойств - люминофоров при отжиге в вакууме [49]. Отжиг промышленных сульфидных люминофоров в вакууме приводит к значительно более резким изменениям их свойств, чем отжиг на воздухе или в нейтральной среде. В частности, происходит снижение интенсивности люминесценции ZnS-Ag, l и ZnS- dS-Ag, l-люминофоров, тем более резкое, чем меньше плотность возбуждения. Это указывает на уменьщение отношения Ссв/Ст. Кроме того, наблюдается посерение люминофоров, вероятно вследствие выделения серебра из решетки в виде отдельной фазы AgzS. Этот процесс аналогичен рассмотренному в гл. V, 2 процессу агрегации меди в гeк -ZnS- u-фo фopax. Начальная стадия его может быть изображена уравнением, подобным (V.56), [c.311]

Частично этим требованиям отвечают полупроводниковые соединения типа А"В , на что впервые обратил внимание исследователей, по-видимому, Фишер [11]. Он отметил, что в отличие от соединений А" В некоторые халькогениды металлов II группы периодической системы элементов имеют прямые межзонные переходы, обладают широкой запрещенной зоной, эффективно (с квантовым выходом 0,5—1) излучают при комнатной температуре даже при очень малых плотностях возбуждения и имеют довольно высокую для соединений с широкой запрещенной зоной электропроводность и подвижность носителей тока. Недостаток их заключается в том, что они являются неамфотерными полупроводниками, и это не позволяет создать р-п-переход с эффективной инжекцией. Однако перечисленные выше положительные качества соединений типа а в привлекли внимание исследователей и стимулировали интенсивные исследования, направленные на создание инжекционного источника света на основе указанных соединений. [c.36]

Из работ, появившихся в последние годы, следует, что при комнатной температуре не удалось получить эффективную электролюминесценцию даже при больших плотностях тока [45—50]. По мнению Морхеда [48], этому препятствует низкая концентра ция основных носителей (10 см ) и невозможность более сильного легирования теллурида кадмия. Именно низкая концентрация основных носителей не позволяет создать высокую плотность возбуждения даже при больших плотностях тока. Увеличение плотности тока ведет лишь к расширению области электролюминесценции. [c.42]

Отличительным признаком возбуждения в катодных трубках служит повышенная мощность. Люминофор возбуждается очень узким электронным лучом, который с большой скоростью движется по экрану. При большом токе луча и малом его поперечнике плотность возбуждения естественно очень высока. Это даёт на экране мгновенную яркость пятна порядка нескольких десятков килостильб и выше. [c.29]

Для иллюстрации соотношений в области средних и больших плотностей возбуждения на рис. 17 для ряда технических катодолюминофоров приведены кривые зависимости яркости свечения от плотности тока при постоянном ускоряюш,ем напряжении. Кривые 7—3 взяты из работы Ноттингама [208] и относятся в порядке номеров к виллемиту, вольфрамату кальция и активированному серебром цинк-кадмий сульфиду. Нанесённые на стеклянную подложку образцы возбуждались неподвижным электронным лучом. Кривые 4—7 относятся к наблюдениям Мартина и Хедрика [183] две первые отвечают шеелиту, а две другие— силикату. Сплошной линией обозначено поведение люминофора под развёрнутым, а пунктиром —под неподвижным электронным лучом. Кривые 8—72 получены в нашей лаборатории. Они принадлежат активированным серебром цинк-кадмий сульфиду и сульфиду цинка, шеелиту и виллемиту. Люминофоры нанесены пульверизацией на стеклянную поверхность обычного кинескопа. Возбуждение производилось развёрнутым электронным лучом (441 строка, 25 кадр/сек) при напряжении 4,5 кУ плотность тока отнесена к площади развёртки. Ординаты всех кривых не отвечают действительному соотношению яркостей сравнима только самая форма кривых в смысле отклонения их от прямой пропорциональности. [c.88]

Заканчивая обзор, ещё раз отметим приближённый характер установленных форм зависимости яркости от условий возбуждения. Они удовлетворительны лишь в узком диапазоне условий возбуждения и при условии, когда остальные параметры постоянны. Вывод форм количественной связи особенно сложен при работе с развёрнутым лучом. Изменения плотности тока, энергии бомбардирующих электронов или скорости движения пучка по экрану затрудняют сохранение размера и формы пятна и вносят неопределённость в расчёты. При возбуждении неподвижным лучом трудно гарантировать равномерную плотность возбуждения по площади пятна и учесть эффек т падения яркости от нагревания и выгорания экрана. [c.94]

Стрэндж и Гендерсон [280] находят более приемлемым рассматривать затухание сульфидов как сумму двух экспонент быстрого (а) и более медленного (Р) процессов. В табл. 15, по их данным, приведено изменение величины констант и процентного участия каждого из процессов в затухании активированного серебром сульфида цинка при различной плотности возбуждения. [c.186]