Матрица поступления компонентов

Спектроскопический буфер применяют Для устранения влияния состава пробы на результаты, количественного анализа. Следовательно, буфер регулирует как процессы поступления пробы из электрода в разряд, так и процессы, происходящие в дуговой плазме. Для регулирования процессов поступления вещество буфера добавляют в пробу в количестве, сравнимом с количеством пробы, а часто и превосходящем его в 10 и более раз [240, 980, 1156]. Таким образом, вещество буфера становится основным компонентом, в известном смысле новой матрицей для определяемых элементов. [c.146]

Разрушение армирующего наполнителя в глубине полимерной матрицы определяется интенсивностью поступления водородных ионов к границе раздела компонентов. Диффузия ионов гидроксония в дефекты связующего происходит в противотоке ионов Na , Са , молекул борной и кремневой кислот. Именно поэтому увеличение числа слоев стеклопластика приводит к повышению химического сопротивления материала и изменению характера его повреждения. Труднорастворимые продукты гидролиза, образующиеся в поверхностных слоях материала, заполняют открытые капилляры и создают стерические затруднения переносу кинетически активных частиц к зоне реакции. Насыщение зоны реакции продуктами взаимодействия приводит к уменьшению скорости процесса (см. рис. 5.26). [c.140]

Пример 7.5.5.З. Стохастическая модель непрерывной кристаллизации. При непрерывной массовой кристаллизации необходимо учитьшать изменение массы целевого компонента в кристаллизаторе за счет его поступления с исходным раствором и убыли с маточным, а также убыль из системы массы дисперсньгх частиц различных фракций. При этом предполагается, что в аппарате достигается режим идеального смешения по сплошной фазе — раствору. Обозначим через М массу целевого компонента в исходном растворе, через М2 — в растворе кристаллизатора, через М3 — в метастабильном состоянии и через М4 — массу целевого компонента в маточном растворе на выгрузке. Введем также в рассмотрение массы кристаллов различных фракций, поступающих на выфузку. Это связано с тем, что необходимо различать кристаллы одинакового объема, находящиеся в аппарате и на выгрузке. Основное рекуррентное соотношение для М, п) как меры вероятности пребьгеания целевого компонента в том или ином состоянии не изменится. Изменится структура матрицы переходных вероятностей 2, которая записывается с учетом работы проточного кристаллизатора [c.691]

О, Сдо 20, = 20 = 10). Из графиков следует, что закономерности распространения ионов по трещинам при гомовалентном обмене хорошо согласуются с физическими представлениями. Так, сравнение кривых показывает, что при линейной (АГ 2= 1) обменной сорбции в блоках происходит замедление переноса вытесняющих катионов Су по сравнению с переносом инертного компонента. Такая же картина наблюдается и для обмена по выпуклой изотерме (К 2 = 20), причем катионы Су перемещаются по трещинам медленнее, чем при линейном обмене. Последнее обусловлено поддержанием повышенных концентрационных градиентов в пористой матрице, что интенсифицирует ее насыщение веществом из трещин. И, наоборот, при вогнутой изотерме (АГ 2 0,15) выполаживание концентрационного профиля в блоках замедляет поступление в них катионов из трещин, ускоряя миграционный процесс. [c.443]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология