Карбид тантала удельное

В СШ. 55% тантала расходуется в электронной промышленности, преимущественно для изготовления конденсаторов. На проведение опытных работ по изысканию жаропрочных сплавов для аэрокосмической и ядерной техники расходуется 20% Та. Б химическом машиностроении потребляется 15% выпускаемого металла, а в производстве карбида тантала для твердосплавных композиций — 5%. В последние годы в результате технических усовершенствований расход тантала на конденсатор неизменной емкости сократился на 30—50%. Однако уменьшение удельного расхода компенсировалось до сих пор увеличением количества изготовляемых конденсаторов. В 1971 г. в США продано 248 млн. конденсаторов. [c.24]

Путем катодного распыления удается получать пленки тугоплавких металлов. Для получения нитридов тугоплавких металлов применяется разряд в смеси аргона с азотом, для получения карбидов — смесь аргона с метаном или аргона с окисью углерода. Поскольку такие металлы, как титан, тантал, цирконий и ниобий, являются хорошими газопоглотителями, то даже при распылении в атмосфере аргона без специальной добавки ре-а 1(тивного газа образуются пленки, удельное электрическое сопротивление которых больше, чем удельное сопротивление распыляемого металла. Эти пленки имеют такую же структуру, как и сам распыляемый металл, а растворенные в них атомы газов, не вытесняя атомов металла из кристаллической решетки, располагаются в промежутках между ее узлами. [c.21]

При 1600° С графит превосходит по прочности большинство известных в настоящее время высокотемпературных материалов, за исключением некоторых тугоплавких карбидов. Если сравнить удельную прочность на разрыв, то оказывается, что прочность графита превосходит прочность молибдена и тантала уже примерно при 1400°С [10]. [c.23]

Так, карбид тантала (ТаС) плазменного происхождения спекается при Т — 1373 - - 2073 К, в то время как температура спекания промышленного порошка ТаС микронной фракции превышает 3273 К 2]. Установлено [2], что температура спекания нитрида алюминия (A1N) с удельной поверхностью 30 м /г на 300 К ниже, чем для A1N с удельной поверхностью 5 м /г. Еш,е больше понижается температура спекания для высокодиснерсного нитрида титана — на 500 -Ь 700 К [3. [c.633]

Очень мелкий ультрадисперсный порошок карбида тантала получен испарением смеси оксида и углерода в дуге высокой интенсивности [183], размер частиц его 5,6 нм, удельная плоп] адь поверхности 72,4 м г. Частицы имеют кубическую структуру. Такие порошки отличаются сильной пирофорпостью, они самовоспламеняются на воздухе, нагрев в аргоне до 1100 °С и выдержка в этих условиях в течение 2,5 ч позволяет пассивировать ТаС. [c.321]

При исследовании платинового катализатора на носителе обнаруживается зависимость поверхности и, возможно, удельной активности платины от природы подложки. В реакциях анодного окисления были испытаны платиновые катализаторы, нанесенные на угольный субстрат 1203], графит, карбиды титана и вольфрама [223], гранулированный активированный уголь [224, 225], на уголь, распыленный на никелевой сетке [224, 225], на карбид бора [226], на поливинилхлорид [227] и тантал [228]. Авторы цитированных работ отмечают возможность более эффективного использования платинового катализатора при нанесении на подложки с развитыми поверхностями. Так, Кэйрнс и Мак-Инерней [203], испытавшие платиновый катализатор, нанесенный на уголь- пьш субстрат, пришли к выводу о возможности сокраш ения затрат платины на порядок по сравнению с электродами из черней без носителя при сохранении той же активности электрода. Отмечается также, что поверхности катализаторов на носителях меньше сокращаются в ходе работы при повышенных температурах в растворах электролитов. [c.314]

Удельное электросопротивленне графитов СГ-М увеличилось после пропитки на 50—60%, а графита СГ-Т всего на 13%. 0 том, насколько присутствие чистого карбида кремния повышает теплопроводность силицированных графитов, можно судить по эксперименту с графитами ГМЗ и ПГ-50, пропитанными кремнием, содержащим небольшие добавки ниобия и тантала [0,5% (по массе)]. Теплопроводность этих материалов при комнатной температуре оказалась одинаковой и равной 110—140 Вт/(м-К). Эта величина ниже теплопроводности силицированных графитов СГ-М и СГ-Т, пропитанных только чистым кремнием. Причина уменьшения теплопроводности заключается в образовании наряду с Si некоторого количества новых фаз (карбидов или силицидов ниобия и тантала). При этом теплопроводность силицированного графита СГ-М снижается до уровня теплопроводности исходного материала, в то время как теплопроводность силицированного графита СГ-Т остается достаточно высокой. [c.180]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология