Область свободной миграции

Следовательно, нанесенные атомы располагаются на поверхности носителя в виде обособленных агрегаций (ансамблей), состоящих из нескольких атомов, локализованных по областям свободной миграции. На основании этих представлений была создана теория активных ансамблей. [c.447]

Поверхность носителя в соответствии с блочным строением реальных кристаллических тел представляет собой совокупность замкнутых ячеек (области свободной миграции), отделенных друг от друга энергетическими (и геометрическими) барьерами, непреодолимыми при данной температуре для нанесенных атомов. [c.447]

Если на поверхности имеется ZQ областей свободной миграции по Кобозеву [14, 21], или центров необратимой адсорбции по работам [22, 23], то из выражения (16) и [c.72]

Области свободной миграции отделены друг от друга геометрическими и энергетическими барьерами, не проходимыми при данных условиях атомами ансамблей. [c.234]

Рис. 91. Распределение атомов катализатора по областям свободной миграции носителя

В простейшем случае оказывается возможным вывести закон распределения активного компонента на поверхности носителя, если предположить, что попадание атомов наносимого металла на ту или иную часть поверхности происходит независимо, т. е. наличие в данной области свободной миграции одного или нескольких атомов металла не изменяет вероятность попадания следующего атома в ту же область. При не слишком большом числе атомов нанесенного вещества это положение физически вполне оправдано, ибо, как выше было показано, линейный размер области миграции имеет порядок 10 см, а силы адсорбционного взаимодействия сказываются на расстояниях около нескольких единиц 10 см. [c.470]

Рис. 92. Вероятность образования га-атомных ансамблей в зависимости от среднего числа атомов, приходящихся на область свободной миграции V = ра.

Эти эффекты можно объяснить, исходя из блочного строения поверхности носителя. Дефекты поверхности ограничивают поверхностную подвижность нанесенных атомов, которые локализуются в поверхностных блоках —областях свободной миграции (Н. И. Кобозев). В результате при повышении температуры на поверхности носителя образуются геометрические и энергетические барьеры, препятствующие тепловому движению по поверхности и не позволяющие активному компоненту спечься в неактивный или малоактивный агрегат атомов, как это произошло бы на идеальной кристаллической поверхности. Молекулы яда адсорбируются не только на активных центрах катализатора, но и на адсорбционных центрах носителя. Кроме того, значительная доля их локализуется [c.330]

Если нанести на поверхность идеального кристалла атомы металла, то они в результате теплового движения будут распространяться по всей поверхности и в итоге закристаллизуются в один каталитически неактивный или мало активный агрегат атомов. Для блочно-построенного кристалла атомам металла, попавшим на определенные участки поверхности кристалла, необходима избыточная энергия для преодоления геометрических (а следовательно, и энергетических) барьеров и для передвижения по всей поверхности. Таким образом, поверхность адсорбента оказывается разбитой на энергетически замкнутые области, в которых при данной температуре осуществляется безактивационное движение атомов нанесенного металла. Эти области были названы областями свободной миграции. [c.446]

Эти эффекты можно объяснить, исходя из блочного строения поверхности носителя. Дефекты поверхности ограничивают поверхностную подвижность нанесенных атомов, которые локализуются в поверхностных блоках — областях свободной миграции (по Н. И. Кобозеву). В результате при иовышенин температуры на поверхности носителя образуются геометрические [c.351]

Поверхность любого твердого вещества разбита микротрещинами на отдельные участки, внутри которых атомы, находящиеся в предкристаллическом (аморфном) состоянии, перемещаются без изменения энергии. Поэтому эти участки называются областями свободной миграции. Величина средней площади области свободной миграции равна [c.234]

Каждая область свободной миграции содержит некоторый ансамбль атомов, находящихся в предкристаллическом (аморфном) состоянии. Такие ансамбли являются носителями каталитической активности, т. е. представляют собой активные центры катализа. Число атомов в ансамбле, отвечающее максимальной его активности, вычисляется из опытных данных по соотношению [c.234]

Все каталитические процессы подчинены одному и тому же закону, согласно которому относительная активность (т. е. величина Л /Лтах или величпна а1ат ) как функция произведения степени заполнения на число атомов катализатора, покрывающих моноатомным слоем область свободной миграции т. е. величины ра), [c.234]

Наличие микротрещин ограничивает возможность миграции атомов иной химической Природы на поверхности кристалла. Если нанести на поверхность идеального кристалла атомы металла, то они в результате теплового движения будут распространяться по всей поверхности и в итоге закристаллизуются или спекутся в один каталитически неактивный или мало активный агрегат атомов. В случае же блочно построенного кристалла атомам металла, попавшим на определенные участки поверхности кристалла, необходима избыточная энергия для преодоления геометрических (а следовательно, и энергетических) барьеров и для передвижения по всей поверхности. Таким образом, поверхность адсорбента оказывается разбитой на энергетически замкнутые облавти, в которых при данной температуре осуществляется безактивационное движение атомов нанесенного металла. Эти области были названы Н. И. Кобозевым областями свободной миграции , или областями миграции . Следовательно, нанесенные атомы располагаются на поверхности носителя в виде обособленных агрегаций, ансамблей , состоящих из того или другого числа атомов, локализованных по [c.469]

Н. И. Кобозевым областями свободной миграции , или областями миграции . Следовательно, нанесенные атомы располагаются на иоверхиости носителя в виде обособленных агрегаций, ансамблей , состоящих из того или другого числа атомов, локализоваи- [c.479]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология