Эффективное сечение захвата рекомбинации

При энергиях электронов, соответствующих комнатной температуре, эффективное сечение захвата имеет порядок 10 см . Коэффициент рекомбинации в этих условиях равен 3-10 2 см -сек- . При рекомбинации в тройных столкновениях, когда выделяющаяся энергия отдается инертному атому, коэффициент рекомбинации достигает больших значений, чем при радиационном захвате. Для разных газов он имеет величину порядка 10 —10 см -сек К Если положительный ион является многоатомным, то процесс его рекомбинации с электроном может сопровождаться диссоциацией [c.85]

Допустим, что имеется один тип ловушек, обменивающихся электронами только с зоной проводимости. В таком случае концентрация электронов в зоне проводимости при затухании определяется уже не только рекомбинацией, т. е. уравнением (1.11), но и захватом. На основании тех же соображений, какие привели к уравнениям (1.11) и (1.19), можно принять что число актов захвата электрона ловушкой в единицу времени определяется произведением ази Уз—Пз)п, где Оз —эффективное сечение захвата, зависящее от природы центра Vз — общая концентрация ловушек Пэ—концентрация захваченных электронов. С другой стороны число актов освобождения электронов из ловушек, протекающего как мономоле-кулярный процесс, равно шпз. Поэтому можно записать следующее выражение для скорости изменения числа захва- [c.22]

Оказалось [88, 118], что центры свечения кристаллов класса в частности dS- u, I, обладают малым эффективным сечением рекомбинации (порядка 10 2° см ) и большим эффективным сечением захвата дырок (около 10 см ). [c.111]

С другой стороны, примеси могут влиять на зарядовое состояние собственных дефектов. Так, при обработке в парах серы ZnS, активированного металлом III группы, последний, являясь поставщиком электронов, способствует превращению Vzn в Vzn и появлению соответствующей полосы излучения. Увеличение яркости люминесценции при введении донорных примесей в некоторых случаях объясняется тем, что заселение электронами центров с боль-шим эффективным сечением безызлучательной рекомбинации (захвата электронов) элиминирует их действие как центров тушения [118]. [c.205]

В гл. I, 1 было дано представление о характеристиках затухания люминесценции в связи с рассмотрением ее механизма. Там же было показано, что такие параметры оптически активных центров, как их энергетическая глубина ( а и Ез), эффективные сечения рекомбинации а и захвата Стз, вероятность теплового освобождения носителей заряда и т. п., определяют кинетику рекомбинационной люминесценции. Поэтому их часто называют кинетическими [c.61]

Богатую информацию о структуре фосфора, механизме возбуждения люминесценции и особенностях трансформации и миграции энергии в кристалле при различных видах возбуждения дает изучение кинетики люминесценции. Это обусловлено тем, что кинетика люминесценции определяется большим числом различных параметров, так называемых кинетических параметров. К числу последних относятся такие величины, как вероятности ионизации центров свечения и высвобождения локализованных зарядов, эффективные сечения рекомбинации и захвата свободных электронов, глубина ловушек и т. д. [3]. На кинетику люминесценции оказывают влияние, кроме того, тип и условия возбуждения, так как именно они часто определяют значения кинетических параметров и стадию, ответственную за кинетику люминесценции. [c.12]

Показано, что в ЩГК подавляющее большинство носителей заряда термализуются в генетических парах (>90%). Для кристалла КС1 определена энергия активации разделения генетических пар = 0,06 эВ при j < 300 А/см , которая снижается при увеличении плотности возбуждения, а также температтоная зависимость эффективного сечения e-Vt рекомбинации 5= 5,77-10 см . Для кристаллов sl и sBr определены энергии активации разделения генетических пар = 0,07 зВ и = 0,1 эВ соответственно, и температурные зависимости эффективных сечений e-Vt рекомбинаций S= 1,М0 Г см и S = 4,37-10 Г см соответственно. Для кристалла sl-Tl определено эффективное сечение захвата электрона на TI -центр при300К5=7-10- Чм . [c.77]

Здесь А п и Л2( 1 — ) суть вероятности рекомбинации и локализации электронов, находящихся в полосе проводимости они соответственно пропорциональны числу дырок п и числу свободных уровней прилипания (V] — у) с другой стороны, они пропорциональны скоростям электрона в полосе проводимости и эффективным сечениям захвата электрона положительной дырко или уровнем прилипания. Величины А и А в характеризуют эффективные сечения захвата и скорости движения электронов в полосе проводимости. Таким образом, число электронов, рекомбинирующих за время будет А1п1 й1, а число электропов, локализующихся на уровнях прилипания, будет А2 1 — )) N(11, откуда и следуют написанные уравнения. [c.341]