Вероятность рекомбинации электронов

В этом случае вероятность рекомбинации электрона с ионизованным центром свечения определяется соотношением [c.78]

При учёте рекомбинации электронов с положительными ионами часто наряду с коэффициентом пользуются вероятностью рекомбинации электронов Wg. Под Wg понимают вероятность рекомбинации электрона на 1 см его пути в газе или, другими словами, отношение числа рекомбинаций электронов, занимающих данный объём, на 1 см пути каждого из них, к общему их числу в этом объёме. [c.257]

Зависимость светоотдачи от температуры экрана определяется, главным образом, степенью участия в процессе неизлучающих переходов. В случае кристаллолюминофоров учитывают также меняющуюся вероятность освобождения уровней активатора за счёт рекомбинации его электронов с дырками верхней заполненной полосы. Вероятность неизлучающих переходов пропорциональна высокой степени температуры и выше некоторой границы (--400°) понижает отдачу до полного прекращения люминесценции. Вероятность рекомбинации. электронов излучающего атома и дырок также растёт с температурой. В соответствии с этим кривая зависимости светоотдачи от температуры проходит через пологий максимум, вслед за которым быстро падает до нуля. [c.244]

При очень кратковременном, но мощном возбуждении спонтанное послесвечение превалирует над фосфоресценцией. Если длительность возбуждения достаточно велика, то электроны успевают перейти на уровни прилипания и к спонтанному послесвечению прибавляется некоторая доля фосфоресценции. При очень мощном возбуждении фосфоресценция перестаёт зависеть от интенсивности возбуждения, так как все наличные уровни прилипания уже заполнены. Спонтанное послесвечение следует при этом за интенсивностью свечения в момент возбуждения. Комбинируя по произволу вероятность рекомбинации электрона с уровнем активатора и уровнями прилипания, что широко допускает формальная схема, можно математически обосновать всё разнообразие кривых затухания люминофоров и случаи количественного преобладания одного вида свечения над другим. [c.289]

Именно этот эффект — увеличение вероятности рекомбинации электронов с дырками при увеличении их концентрации в максимуме поглощения 680 нм — может создать фиктивный максимум 720 нм в спектре возбуждения сигналов ЭПР. [c.442]

Так как органические полимеры являются менее жесткими по сравнению с неорганическими кристаллами или стеклами, для них существенными могут оказаться процессы миграции зарядов. Они состоят в том, что при разогреве облученного полимера часть глубоких ловушек разрушается или начинает мигрировать в его объеме еще до того, когда из них освобождаются захваченные электроны. Миграция ловушек и их разрушение сопровождаются рекомбинацией связанных зарядов в отличие от рекомбинации электрона с дыркой . Миграции ловушек со стабилизированным зарядом становятся все более вероятными по мере размораживания подвижности отдельных звеньев, сегментов и макромолекул как целого. Таким образом, скорость высвечивания образца полимера при некоторой фиксированной температуре будет определяться временем релаксации определенной группы атомов макромолекул. Так как спектр фотолюминесценции полимера, облученного при 77 К, практически не меняется во время его нагревания вплоть до размягчения (или плавления), можно сделать вывод, что его РТЛ происходит за счет рекомбинации зарядов, захваченных в [c.238]

Спиновый катализ состоит в том, что катализатор снимает спиновый запрет на реакцию. Предположим, что дана геминальная радикальная пара в триплетном состоянии. Как правило, РП может рекомбинировать только в синглетном состоянии. Поэтому в рассматриваемом примере рекомбинация РП возможна только после конверсии пары из триплетного спинового состояния в синглетное. Эта конверсия может быть ускорена парамагнитными добавками. Спин-спиновые взаимодействия парамагнитных добавок с радикалами пары изменяют корреляцию спинов неспаренных электронов РП, тем самым индуцируют синглет-триплетные переходы в РП. Таким образом, парамагнитная добавка выступает в качестве катализатора рекомбинации РП. Если РП стартует из синглетного состояния, то парамагнитная добавка уменьшает вероятность рекомбинации геминальной РП, но одновременно увеличивает вероятность выхода радикалов пары из клетки, т.е. парамагнитная добавка выступает в качестве катализатора распада РП на независимые радикалы. [c.61]

У монокристаллов селена, полученных из расплава, проводимость и подвижность носителей вдоль цепочек (вдоль кристаллической оси с) в десятки тысяч раз больше, чем в перпендикулярном направлении. Селен — дырочный полупроводник. Вероятно, р-проводимость обусловлена дефектами решетки на концах атомных цепочек. Некоторые примеси (Hg, Т1) уменьшают проводимость селена, вероятно, потому, что они являются донорами, а это приводит к частичной рекомбинации электронов и дырок. Ширина запрещенной зоны серого селена 1,7—1,9 эв, аморфного 2,3 эв. После освещения селена проводимость увеличивается, и требуется некоторое время для того, чтобы проводимость достигла равновесного значения. [c.309]

Если, например, локализованный уровень активатора расположен немного выше валентной зоны и имеет большую вероятность захвата дырки, но вместе с тем и заметную вероятность захвата электронов зоны проводимости, то люминесцентное излучение возникает при рекомбинации свободного электрона зоны проводимости с захваченной этим уровнем дыркой (рис. 180, г, переход 2). [c.433]

В радикальных реакциях магнитное поле влияет на спиновую динамику в РП, на долю РП в реакционноспособном спиновом состоянии (обычно это синглетное спиновое состояние). В результате магнитное поле изменяет вероятность рекомбинации РП. Вероятность рекомбинации зависит от начального спинового состояния РП. Для дальнейших рассуждений будем предполагать, что два радикала могут рекомбинировать только при выполнении двух условий (а) партнеры РП должны оказаться на радиусе рекомбинации, т.е. радикалы должны сблизиться настолько, чтобы волновые функции неспаренных электронов сильно перекрывались и (б) РП должна быть в синглетном спиновом состоянии, учитывая, что в подавляющем большинстве молекул основное состояние является синглетным. Можно ввести три разные вероятности рекомбинации РП. [c.30]

Исследование на моделях с использованием аценафтиле-на и других ароматических углеводородов методом электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) в целях определения механизма химических реакций, протекающих на разных стадиях карбонизации, выполнено в [2-16,17]. Как многократно показано, спектры ЭПР полукоксов состоят из синглетных линий без сверхтонкого разрешения, ширина и интенсивность которых определяются температурой нагрева. Для определения промежуточных свободнорадикальных структур, возникающих в карбонизуемой системе при нагревании, аценафтилен и другие соединения разбавлялись в инертном растворителе м-пентафениле, что уменьшало вероятность рекомбинации промежуточных свободных радикалов и позволяло их обнаружить с помощью ЭПР. Результаты анализа спектров ЭПР показали, что при нагрювании возникают свободные ароматические радикалы, которые или взаимно рекомбинируют с выделением водорода, или в реакциях диспропорционирования преобразуются в ароматические фрагменты, или перестраивают свою структуру. При плоской конфигурации образующихся продуктов и достаточной подвижности системы карбонизация проходит через мезофазное превращение с последующим образованием при соответствующих температурах углерода с хорошо выраженной текстурой. [c.48]

Очевидно, что для магнитного полевого эффекта благоприятна спиновая селективность рекомбинации РП отличие вероятности рекомбинации РП в синглетном состоянии и в триплетном состоянии. Обычно это условие выполняется. Но не всегда. Например, рекомбинация электрон-дырочных пар может быть одинаково эффективной в синглетном и триплетном состояниях. В такой ситуации для наблюдения магнитного эффекта надо, чтобы различались продукты рекомбинации в синглетном и триплетном состояниях. Например, рекомбинация пар может дать возбужденную молекулу в синглетном состоянии, что сопровождается флуоресценцией, или возбужденную молекулу в триплетном состоянии, что сопровождается фосфоресценцией. [c.42]

Следует еще рассмотреть процесс рекомбинации электрона и иона. Вследствие малой вероятности радиационного захвата, т. е. процесса е- -А+=А + /г N [351], нужно ожидать, что здесь, как и при образовании отрицательных ионов, существенную роль должен играть механизм тройного соударения +А++М=А-ЬМ. [c.418]

ЭТОГО Процесса низок вследствие уменьшения вероятности теплового отрыва электрона от возбужденного /-центра при этих температурах. Освобождающиеся электроны аннигилируют с захваченными положительными дырками. Подобным же образом облучение в l/i-полосе вызывает ослабление V- - и /-полос одновременно, так как оно облегчает рекомбинацию электронов и дырок. В спектре кристаллов, облученных рентгеновскими лучами при температурах, слишком высоких для того, чтобы l/i-центры оставались устойчивыми, обнаруживаются V - и Vg-полосы. 1 2-центры также разлагаются при облучении в /-полосе, но 1/3-центры при этих условиях гораздо более устойчивы. При нагревании до комнатной температуры первой исчезает . -полоса (одновременно исчезает часть /-полосы), но Vg-полоса ослабляется только при более высоких температурах. Облучение в Уд-полосе вызывает только временное ослабление этой полосы, если кристалл не облучается одновременно в /-полосе. Эти факты согласуются с предположением Зейтца [23] о том, что Vg- и Кз-центры состоят соответственно из дырки, захваченной двумя катионными вакансиями, и двух дырок, захваченных двумя катионными вакансиями. Большая стабильность Уз-центра и явное отсутствие тенденции к захвату им электрона объясняются тем, что в этом случае образуется устойчивая конфигурация из молекулы галогена, по сторонам которой находятся вакансии двух катионов. Наблюдаются также полосы, возникающие вследствие поглощения в i/4-центрах, аналогичных УИ-центрам. Когда кристаллы галогенидов щелочных металлов окрашиваются при температуре жидкого гелия, появляется резко выраженная полоса поглощения (Я-полоса [58]) в непосредственной близости к той области длин волн, где должна была бы быть Vi-полоса (около 3,59 эв в КС1). Облучение в /-полосе ослабляет ее и одновременно, но медленно ослабляет Я-полосу. При нагревании до 78°К Я-полоса исчезает и появляется l/i-полоса. Таким образом, Я-центр состоит из положительной дырки, захваченной парой вакансий. [c.113]

Заметное влияние типа излучений на выход разложения воды по энергии, вероятно, зависит от степени разделения возникших Н- и ОН-радикалов, образовавшихся в треке ионизирующего луча, или от аномального распределения Н- и ОН-радикалов [86, 94]. Например, предполагается, что положительные ионы, возникшие по каждому следу а-частицы, протона или дейтона, быстро диссоциируют на Н" и радикал ОН, тогда как электрон, появившийся от первичного процесса, захватывается только на некотором расстоянии от этого пути. Вследствие этого создается избыток ОН-радикалов вдоль центра пути и избыток Н-радикалов в зоне, окружающей этот центр. Это увеличивает вероятность рекомбинации двух гидроксильных радикалов с образованием перекиси водорода и двух Н-атомов в молекулу водорода. При облучении рентгеновскими, у- или -лучами логично предполагать, что ОН- и Н-радикалы образуются в значительно меньшей концентрации и распределены более равномерно, что увеличивает вероятность их рекомбинации с образованием исходной воды. Аллен [96] показал, что потеря энергии быстрыми электронами, проходящими через воду, происходит внезапными толчками, что приводит к образованию скоплений пар ионов вдоль пути этих электронов, что также должно влиять на распределение ОН- и Н-радикалов. У нас очень мало сведений об относительных выходах по энергии в водяном паре по сравнению с выходами в жидкой воде. Однако близость между молекулами воды и наличие водородных связей в жидком состоянии, как можно предполагать, обусловливают значительные различия в механизмах реакций в обеих фазах. [c.62]

Здесь N означает концентрацию электронов в зоне проводимости п — концентрацию локализованных положительных дырок, V — Концентрацию электронов на уровнях захвата, VI — общее число электронных акцепторных уровней, отнесенное к 1 см . Коэффициенты р, А1 и Аз характеризуют соответственно вероятность высвобождения электрона с уровня захвата, вероятность рекомбинации, [c.248]

В действительности указанные явления обусловлены, по-видимому, другими причинами. Совершенно очевидно, что вероятность трансформации энергии рекомбинации электрона и дырки в энергию возбуждения активирующей примеси должна зависеть от концентрации последней. В частности, от концентрации активатора должна зависеть вероятность локализации положительной дырки вблизи иона активирующей примеси. В связи с этим фосфоресценция может практически отсутствовать при малых концентрациях активирующей примеси. [c.249]

Электроны, поступающие в зону отрицательного свечения, можно разделить, по меньшей мере, на две группы. Первую группу составляют быстрые электроны, образовавшиеся на катоде или вблизи него и не успевшие потерять энергию при столкновениях в темном пространстве. Вторая, большая, группа состоит из медленных электронов, образовавшихся в темном пространстве и испытавших много неупругих столкновений. Так как энергия медленных электронов меньше, чем энергия, отвечающая максимуму ионизации, но больше или близка к энергии, отвечающей максимуму функции возбуждения, то электроны испытывают много столкновений с возбуждением и вызывают образование отрицательного свечения. После этого их энергия становится настолько малой, что они легко рекомбинируют с положительными ионами. Этот процесс, вероятно, и имеет место в отрицательном свечении и за ним, так как концентрации ионов и электронов в этой области велики, а электрическое поле мало. Однако рекомбинационное излучение имеет, в общем, малую интенсивность. С удалением от границы свечения количество быстрых электронов уменьшается и интенсивность свечения падает. Последующее медленное увеличение поля приводит к тому, что вероятность рекомбинации уменьшается и появляется фарадеево темное пространство, свойства которого являются промежуточными между свойствами положительного столба и отрицательных зон. Так как поле возрастает в направлении к положительному столбу, то в первую очередь появляются спектральные линии, максимумы вероятности возбуждения которых лежат в области малых энергий. [c.228]

Примесные центры являются ловушками для электронов и дырок, что способствует образованию зародышей скрытого изображения, а также уменьшает вероятность рекомбинации. Сейчас нет единого мнения относительно химической природы центров чувствительности и их способности улавливать е или р. [c.62]

При увеличении напряженности электрического поля скорость перемещения ионов возрастает, а время пребывания их в межэлектродном пространстве соответственно уменьшается. Возрастание напряженности электрического поля способствует уменьшению объемной концентрации электронов и положительных ионов в реакционной зоне и вблизи нее. Это приводит к уменьшению числа неупругих столкновений ионов и, следовательно, к уменьшению вероятности рекомбинации. [c.67]

Величина тока инжекции и длительность его воздействия выбирается так, чтобы вероятность нахождения электронов в зоне проводимости превышала вероятность их нахождения в валентной зоне. Это обеспечивает возникновение состояния с инверсной населенностью. При установлении инверсии населенностей и наличии приложенного внешнего напряжения и потенциальный барьер р—п перехода У] уменьшается (см. рис. 2.38,6), появляется прямой ток, равновесие носителей нарушается и электроны и дырки, двигаясь навстречу друг другу, начинают рекомбинировать. Электроны, возвращаясь в процессе рекомбинации из зоны проводимости в валентную зону, выделяют кванты энергии бф в виде фотонов. [c.90]

После того, как кристаллофосфор запас светосумму, возможно протекание и других процессов. Вероятность рекомбинации электрона из зоны проводимости со свободной дыркой в валентной зоне крайне мала, но не равна нулю. В этом случае наблюдается так называемое краевое излучение, т. е. излучение, частота которого совпадает с краем полосы поглощения. Энергия кванта этого свечения лежит в пределах Вц— /, причем АЕ много меньше разности Ец — /, по вполне понятным причинам. Очевидно, что спектр краевого излучения всегда сдвинут в сторону меньших длин волн, по сравнению с излучением на активаторе. [c.64]

Затухание люминофоров и, в частности, температурная зависимость фосфоресценции удачно объясняются схемой при участии уровней прилипания. Пока излучение идёт помимо последних, скорость затухания мало зависит от температуры, как это имеет место в случае флуоресценции. Ход затухания следует закону бимолекулярной реакции, так как вероятность рекомбинации электрона и дырки пропорциональна концентрации свободных уровней загрязнения и концентрации находящихся в полосе проводимости электронов. Кактолько электроны попадают на уровни [c.288]

Тушение люминесценции приписывается образованию адсорбированными электроотрицательными молекулами поверхностных уровней захвата электронов, приводящих к снижению вероятности рекомбинации электронов с фотоиопизованными центрами слоя. Разгорание потушенной люминесценции при длительном освещении объясняется фотодесорбцией адсорбированных тушащих молекул. [c.196]

Приводит ли в данном случае обращенный процесс Оже к большей скорости рекомбинации с излучением, чем прямой процесс, зависит от относительных значений вероятностей перехода в нижние устойчивые состояния и от плотности предиссоциирующих или преионизирующих состояний. Для рекомбинации электрона с одноатомным ионом различными авторами [12, 451 было найдено, что при высоких температурах влияние обращенной преионизации велико (скорость увеличивается в 100—1000 раз). Этот факт имеет важное значение для понимания процессов в звездных атмосферах и в солнечной короне. Для рекомбинации радикала с атомом или радикала с радикалом, насколько известно, подобные расчеты не производились, однако весьма вероятно, что обращенная предиссоциация вносит существенный вклад в скорость рекомбинации при низком давлении, в частности,, в многоатомных системах. Обращенные процессы Оже также увеличивают скорость рекомбинации при соударении трех частиц, так как время жизни образующегося комплекса достаточно велико. [c.191]

При больших давлениях (атмосферном и выше) коэф. рекомбинации разноименно заряженных ионов м. б. выражен через их подвижности и а = 4яеО + й )> что подтверждается эксперим. значениями а 10" см с . При низких концентрациях ионов и низких давлениях повышается вероятность рекомбинации зарядов на стенке сосуда. Если длина своб. пробега иона больше или соиз.ме-рима с размерами сосуда, время жизни иона в отсутствие электрич. и магнитного полей определяется только временем его пробега между стенками. При меньших длинах своб. пробега время жизни 1 я 20, где х-расстояние между стенками, О-коэф. диффузии. Если концентрации положит, и отрицат. ионов (или электронов) одинаковы, их диффузия происходит с одинаковой скоростью (т. наз. амбиполярная диффузия). Коэф. амбиполярной диффузии определяется средним значением подвижности диффундирующих частиц О = (Л77e) l, где р = + р , Л-газовая [c.270]

В [9] рассматривается ситуация, которая имеет место ири определении вероятности рекомбинации атомов кислорода газодинамическими методами, и для которых характерна замороженность реакций в газовой фазе. Предполагается, что в этих условиях можно учитывать только образование и тушение на поверхности электронно возбужденных молекул Оз- Пе учитываются процессы, связанные с колебательно возбужденными молекулами Оз- Считается также, что гетерогенная рекомбинация протекает по ударному механизму Или-Райдила. Результаты расчетов показали, что в случае эффективного образования электронно возбужденных молекул О2, тепловые потоки на исследуемую поверхность могут быть снижены на 10-20 %. Это обусловливает погрешность восстановления коэффициента рекомбинации по измеренному тепловому потоку, достигаюгцую целого порядка. Отметим также, что в [9] показано, что на траектории входа планируюгцего аппарата в атмосферу Земли возбужденные частицы оказывают влияние на тепловой поток к поверхности с высокими каталитическими свойствами, а для низко каталитических покрытий их влияние не столь суш,ественно. [c.92]

Вероятность рекомбинации должна быть особенно велика также в случае рекомбинации электрона и молекулярного иона, когда возможно расщепление образующейся нейтральной молекулы на атомы или атомные группы е -Ь АВ+ = А -Ь В. Возможность такого механизма рекомбинации непосредственно была доказана Роджерсом и Бьонди [1079] на примере процесса [c.418]

Если молекула органического вещества типа перекиси или азосоеди-нения распадается в растворе па два свободных радикаЛа, синглетные электроны временно остаются в непосредственной близости друг от друга, а поэтому благодаря эффекту клетки вероятность рекомбинации или диспропорционировапия радикалов повышается. Стоит им выскользнуть из клетки — и каждый из них может атаковать молекулу мономера и начать цепь этапов роста цепи, приводящую к двум линейным макромолекулам, которые совершенно независимы друг от друга и обладают полной свободой перемещения всех своих сегментов в гомогенном полимерном растворе. Присоединение мономера к каждой из этих молекулярных цепей продолжается до встречи свободных концов цепей, в результате которой происходит либо рекомбинация, либо диспропорционирование с образованием двух устойчивых макромолекул, т. е. произойдет явление, называемое обрывом цепи. Итак, все вышеизложенное можно свести к следующим схемам [c.18]

При больших R значения и Х р стремятся к некоторому шшнему пределу. Например, для Н О, О , N , Н , Не и Ne этот предел имеет значения соответственно 50, 13, 3, 2, 0,1 и в[ом-мм Hg соответствующие значения могут быть найдены из рис. 124. При больших р теория не выполняется, так как уменьшается с возрастанием р и соответственно согласно (8.46) уменьшается LV—потенциал стенки относительно оси. В то же время увеличение плотности тока вызывает уменьшение плотности газа о на оси, так что Xjb имеет на оси большее значение, чем во внешних частях столба. Поэтому электроны и ионы движутся с уменьшенной скоростью по направлению к стенке в область более плотного газа, где сильно увеличивается вероятность рекомбинации и область положительного столба уже не простирается до стенки — столб стягивается в радиальном направлении. [c.263]

Основные исследования хмиграции дырки при облучении замороженных смесей проведены методом оптической спектроскопии. Сенсибилизированное образование катион-радикалов ароматических аминов [112, 150, 159, 337, 339, 357-360], олефинов (150, 349, 361], ароматических углеводородов [337, 339, 340], кетонов [112], алкилгалогенидов [32, 361, 362], диалкилсульфидов [264], высших парафинов [363, 364] наблюдается при облучении замороженных растворов этих соединений в алифатических углеводородах и алкилгалогенидах. Во всех случаях происходит передача заряда молекуле с меньшим потенциалом ионизации. Выход катион-радикалов в матрицах алканов возрастает в присутствии акцепторов электронов, что объясняется уменьшением вероятности рекомбинации зарядов. Спирты, эфиры, вода, алифатические-амины — вещества, способные остановить миграцию дырки в результате ионно-молекулярной реакции (У.35), — ингибируют образование катион-радикалов. Таким образом, акцепторами положительного заряда могут быть вещества с более низким, чем у растворителя, потенциалом ионизации, или соединения с большим сродством к протону. Акцепторы положительного заряда, в свою очередь, увеличивают выход стабилизированных электронов и анион-радикалов в неполярных матрицах [337, 345, 365]. [c.266]

Непосредственная рекомбинация электронов и дырок с обратным переходом в валентную зону мало вероятна, она осуществляется на различных дефектах кристаллической решетки, в центрах прилипания и сопровождается люминесценцией только при очень низких температурах. Хорошо очищенный AgBr при УФ-воз-буждении обнаруживает зеленое свечение с Я,макс 500 нм только ниже 50 К. Система из смешанных кристаллов AgBr(I) показывает зеленую люминесценцию уже при 150 К в интервале 530— 560 нм [6] в зависимости от содержания иода. Время жизни люминесценции 10 -i- 10 с. Совершенно чистые и структурно ненарушенные галогениды серебра в результате обладают очень малой светочувствительностью и непригодны для фотографических целей, так как рекомбинация первичных продуктов фотолиза идет за 10- с р + е—>-Х [в AgX]. [c.55]

Для рекомбинации не только необходима встреча противоположно заряженных частиц, но нужно ещё, чтобы скорость относительного движения этих частиц не была слишком велика и не позволяла бы этим частицам свободно пролетать друг мимо друга. Поэтому, для того чтобы рекомбинация заряженных частиц могла иметь место, очень существенна потеря кинетической энергии заряженной частицей прп столкновении с нейтральными частицами газа во время приближения ко второй заряженной частице. Так как при упругих соударениях доля энергии, теряемая быстрой частицей, пропорциональна отношению масс частиц, обменивающихся энергией, то положительный и отрицательный ионы имеют гораздо более шансов подойти друг к другу с достаточно малой для рекомбинации относительной скоростью, чем свободный электрон, приближающийся к положительному иону. Кроме того, при рекомбинации электрона и положительного иона избыточная энергия излучается, и осуществление всего процесса зависит ехцё от вероятности излучения, которая очень мала. Поэтому коэффициент рекомбинации электронов во много раз меньше, чем коэффициент рекомбинации ионов а именно, a —порядка 10 , —порядка от 10 до 10" и очень сильно зависит от средней кинетической энергии электронов в ионизованном газе- Коэф- [c.116]

Рекомбинация может произойти при одновременном взаимодействии положительного иона и двух электроиов (тройное соударение). В этом случае один электрон нейтрализует положительный ион, а другой принимает на себя выделяющуюся при этом процессе энергию ионизации и отлетает с увеличенной скоростью. Такое тройное соударение представляет собой элементарный процесс, обратный процессу ионизации путём неупругого соударения аервого рода. Вероятность рекомбинации иутём тройного соударения зависит от концентрации электронов в разряде. [c.118]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология