Коэффициент рекомбинации

Заметим, что если энергия активации для меньше, чем теплота суммарной реакции, то наблюдаемый коэффициент рекомбинации будет иметь отрицательную энергию активации, равную этой разности энергий. [c.278]

Для того чтобы решить систему этих уравнений, можно пренебречь флуоресценцией и дезактивацией возбужденных молекул Вг2, так что удельная скорость реакции 1 = 2/а, где —среднее число фотонов, поглощенных 1 см в 1 сек. Удобно также допустить, что определенная доля атомов Вг, ударяющихся о стенку, захватывается стенкой, давая Вг2. В действительности же коэффициент рекомбинации на стенке должен, конечно, зависеть от стационарной концентрации атомов Вг, химической природы стенки, концентрации других примесей, которые могут влиять на абсорбцию атомов Вг, и т. д. [c.289]

Мы пренебрегаем эффектом конвекции, который пропорционален по величине градиенту плотности. Скорость конвекции будет тем выше, чем больше градиент плотности, а следовательно, будет пропорциональна как давлению, так и молекулярному весу при некоторой данной температуре. Конвекция как бы делает стенки более доступными для рекомбинации на них атомов и, таким образом, служит препятствием для точного определения коэффициента рекомбинации в области высоких давлений. [c.290]

Налбандян А. Б., Шубина С. И. Измерение коэффициента рекомбинации Н на различных поверхностях методом определения нижнего предела воспламенения смеси Нз + 0 .— ЖФХ, 1946, т. XX, выи. И, с, 1249-1258. [c.374]

На плотность тока влияет также коэффициент рекомбинации [8]. [c.78]

Отсюда следует, что коэффициент рекомбинации К существенно зависит от энергетического расположения ловушек в запрещенной зоне (рис. 37). Максимальные зна-чения К наблюдаются в том случае когда энергетический уровень ловушек —Е находится около середины запрещенной зоны, т. е. вблизи уровня электрохимического потенциала. Наоборот, приближение уровня ловушек к зоне проводимости или к валентной зоне способствует уменьшению скорости генерации — рекомбинации. [c.143]

Рис. 37. Зависимость коэффициента рекомбинации К от положения уровня — л в собственном полупроводнике.

Рис. 38. Зависимость коэффициента рекомбинации К от положения уровня —Ед в примесном полупроводнике.

Заметим теперь, что в большинстве случаев время жизни т может быть выражено через коэффициент рекомбинации и концентрацию основных носителей заряда [c.146]

Примесное поглощение. За счет энергии падающего на кристалл света происходит также возбуждение примесных атомов. Для определения минимальной частоты, начиная с которой происходит такое возбуждение, в формулу (125) вместо ширины запрещенной зоны следует подставить значение энергии активации данной примеси. При этом очевидно, что примесное поглощение происходит при более низких частотах, чем собственное. Ясно также, что в результате возбуждения примесных атомов образуются не два носителя заряда, как это было при собственном поглощении, а один носитель и один ионизованный атом примеси. Заметим, что поскольку при обычных температурах легирующие примеси в большинстве полупроводниковых материалов практически полностью ионизованы, то поглощение света этими примесями возможно только при очень низкой температуре. Поэтому при обычных температурах примесное поглощение происходит в основном за счет ионизации ловушек, лежащих в средней части запрещенной зоны. Такая ионизация может привести к резкому изменению коэффициента рекомбинации [так как она определяет величины С и С" из уравнений (110) и (111)1. Это явление часто наблюдается на практике, причем освещение полупроводника, в котором имеются уровни прилипания, приводит к существенному уменьшению скорости процесса генерации—рекомбинации. [c.151]

Коэффициент рекомбинации изучен мало. Известно, что его величина максимальна при атмосферном давлении и увеличивается с уменьшением температуры газа [c.24]

Поскольку порядок температуры в пламенах тот же, что и для вольтовой дуги (при атмосферном давлении), постольку порядок коэффициента рекомбинации должен быть для пламени и электрической дуги одинаковым (а 2 10 °). [c.175]

Обобщая сказанное, можно отметить, что высокая ионизация в зоне реакции некоторых пламен (10 2 отрицательных частиц в 1 см ) по сравнению с равновесной (порядка 10 отрицательных частиц в 1 см ) объясняется главным образом присутствием в пламени мельчайших частиц сажистого углерода и некоторых радикалов, небольших количеств щелочных и щелочноземельных металлов, а также низкой величиной коэффициента рекомбинации. В дальнейшем с развитием теории горения, по-видимому, будет доказана особая роль ионизация в процессе воспламенения и горения. Под действием теплового возбуждения (подогрев горючей смеси) и, как следствие, усиления всех видов движения молекул облегчается ход процесса ионизации, особенно если в процессе подогрева появляются продукты с более низким потенциалом ионизации. [c.175]

При математической постановке задачи поверхностная активность входит в граничные условия системы уравнений описывающей многокомпонентное реагирующее течение у каталитической поверхности. Эффекты каталитической рекомбинации обычно описываются с помощью введения коэффициентов рекомбинации 7 , которые показывают долю атомов, рекомбинирующих на поверхности. Эффект частичной аккомодации химической энергии молекул, сформированных в результате рекомбинации, учитывается с помощью коэффициентов аккомодации Д. Они показывают отношение химической энергии переданной поверхности к той энергии, которая могла быть выделена в процессе рекомбинации. Коэффициенты, характеризующие процессы на поверхности зависят как от свойств поверхности, так и от условий в газовой фазе. Часто процессы в обеих фазах зависят друг от друга и должны рассматриваться совместно. Следовательно, как в экспериментах, так и в летных условиях требуется применять весьма точные теоретические модели течения и методы расчета теплообмена [c.7]

Оба соотношения приведены в литературе [14]. Обычно в экспериментах определяются коэффициенты рекомбинации. Поэтому при использовании коэффициентов каталитической активности необходимо учитывать с помощью какого выражения получены их значения. [c.14]

Рис. 2.4. Немонотонная зависимость коэффициентов рекомбинации от температуры

На рис 2.4 приведены температурные зависимости коэффициентов рекомбинации 70 и 7 по данным [57] (сплошные линии), а также [c.42]

Если ввести коэффициенты каталитической активности ку о, и соответствующие им коэффициенты рекомбинации 70, 7N с помогцью выражений [c.54]

Коэффициенты рекомбинации при Кп <С 1- Выписанные выше выражения для массовых скоростей образования компонентов на каталитической поверхности получены в условиях, когда предполагается возможным протекания реакций диссоциативной адсорбции молекул (обратные реакции в стадиях 3-4 и 9-11). Если скольжение на поверхности не учитывается, то указанными выше обратными реакциями можно пренебречь. В этом случае имеют место неравенства [c.57]

В работах [76, 77] использовалось представление коэффициентов скоростей элементарных стадий на основе теории абсолютных скоростей реакций и выражение для коэффициента рекомбинации записывалось в виде [c.67]

Заметим, что в этой модели при малых температурах коэффициент рекомбинации имеет обратно пропорциональную зависимость от концентрации атомов [c.68]

Параметры модели катализа определялись на основе литер ату рных данных, а также на основе подгонки вычисленных значений коэффициентов рекомбинации к их величинам, определенным в эксперименте для бинарных смесей. Их значения приведены в табл. 2.6. [c.72]

Формула (116) раскрывает зависимость коэффициента рекомбинации К от сечени11 захвата, энергетического расположения ловушек и температуры. [c.142]

Отсюда следует, что при рассмотрении процесса генерации — рекомбинации в примесном полупроводнике запрещенную зону можно условно разделить на три области среднюю область и две области, одна из которых прилегает к валентной зоне, а другая — к зоне проводимости (рис. 38). Ширина последних двух областей одинакова и равна расстоянию между уровнем электрохимического потенциала электронов [Хэ и ближайшей к нему зоны (проводимости или валентной). Если энергетический уровень ловушек находится в средней из выделенных областей, то коэффициент рекомбинации имеет максимальное значание и не зависит от положения этого уровня. Когда уровень ловушек находится в одной из крайних областей, коэффициент рекомбинации существенно зависит от положения уровня —При этом, так же как и у собственного полупроводника, скорость процесса уменьшается, по мере приближения уровня —к любой из основных зон (см. рис. 38). [c.144]

Заметим, что на практике обычно встречаются случаи, когда концентрация основных носителей и степень отклонения от равновесия сравнительно невелики. Применительно к таким случаям можно утвержадть, что энергетические уровни ловушек, оказывающих наиболее существенное влияние на скорость генерации — рекомбинации, должны находиться в средней части запрещенной зоны. Из сказанного понятно, что примеси, определяющие концентрацию основных носителей, и примеси, определяющие значение коэффициента рекомбинации имеют, как правило, различную химическую природу. Эффективными центрами рекомбинации в кристаллах германия и кремния являются атомы золота, се-рабра, меди, водорода и некоторых других элементов. Атомы всех перечисленных элементов образуют примеси внедрения, причем соответствующие им энергетические уровни находятся в средней части запрещенной зоны. [c.145]

Подставляя полученную величину в формулу (12ба), получаем выражение, связывающее между собой еличину фотопроводимости а, интенсивность света J и коэффициент рекомбинации К [c.153]

Таким образом, измеряя фотонрозодимость и зная интенсивность падающе -о света, можно определить коэффициент рекомбинации или время жизни носителе ) заряда в данном кристалле. [c.153]

Если считать, что скорость удаления неосновных носителей через невыпрямляющие контакты весьма мала и ею можно пренебречь, то скорость исчезновения этих носителей будет целиком определяться скоростью рекомбинации. Предположим теперь, что коэффициент рекомбинации равен нулю, и к контакту приложено прямое напряжение. В этом случае концентрация неосновных носителей в обеих областях перехода должна непрерывно возрастать. Естественно, что такое увеличение концентраций сверх их равновесных значений приводит к появлению встречного потока носителей, соответствующего по направлению обратному току перехода. Ясно также, что с11устя некоторое время противоположно направленные токи станут равны, т. е. плотность результирующего тока будет равной нулю. [c.174]

Здесь — величина суммарного массового потока атомов г-го сорта падающих на поверхность. Это отногаение называется коэффициентом рекомбинации или вероятностью рекомбинации. Оно зависит от сорта атомов и поверхности на которую они падают, а также от ее температуры. Часто считается, что 7 не зависит от давления, так как рекомбинация на поверхности считается реакцией первого порядка. Для идеально каталитической поверхности, на которой рекомбинируют все атомы, 7 = 1, а для некаталитической поверхности 7 = 0. [c.14]

Модели с эффективными коэффициентами каталитической активности не позволяют корректно учесть влияние каталитических свойств поверхности в широком диапазоне изменения параметров обтекания и описать теплообмен по всей длине космического аппарата и на всей его траектории входа. Имеюш иеся экспериментальные данные по коэффициентам рекомбинации и аккомодации химической энергии характеризуются большим разбросом (до порядка величины и выше). Объясняется это тем, что использование брутто реакций и эффективных коэффициентов каталитической активности, ограничено условиями, близкими к тем, в которых они получены. В то время, как в задачах гиперзвуковой аэродинамики и теплообмена параметры потока у поверхности изменяются вдоль траектории и их величины могут сугцественно отличаться от тех, при которых верны эмпирические выражения для суммарных скоростей образования компонентов на поверхности. Все это затрудняет прогнозирование теплообмена на современных теплозагцитных покрытиях космических аппаратов и приводит к необходимости рассмотрения детального механизма гетерогенных каталитических реакций на новерхности, состоягцего из последовательности элементарных стадий. Заметим, что такая кон- [c.16]

Как и в большинстве работ здесь нренебрегалось образованием окиси азота N0 на поверхности. Сравнение показывает, что эти формулы дают максимальные значения коэффициентов рекомбинации для атомов азота примерно в два раза большее, а для атомов кисло- [c.38]

Немонотонная зависимость коэффициентов рекомбинации от температуры. В работах [56, 57] экспериментально обнаружено немонотонное поведение коэффициентов каталитической активности на теплозагцитных покрытиях в области повышенных температур поверхности. Максимальное значение достигается при Т 1600 К, а дальше наблюдается быстрое падение. В связи с этим, требуется изменение знака кажуш,ейся энергии активации в аррениусовой температурной зависимости. Впервые такое поведение коэффициентов каталитической активности было обнаружено для поверхностей стекол, каталитические свойства которых аналогичны R G [56]. Измерения тепловых потоков в потоке за электродуговым разрядом в точке торможения были проведены в диссоциированном воздухе. Считалось, что коэффициенты каталитической активности поверхности относительно рекомбинации атомов кислорода и азота связаны соотношением kwN/kyjo = 3, 2/10, 4. На основе анализа экспериментальных данных были предложены следующие аппроксимационные зависимости [c.41]

Немонотонное поведение коэффициентов рекомбинации 70 и 7n на R G в диссоциированном воздухе было предсказано теоретически нри детальном рассмотрении процесса гетерогенной ре-комбрхнацир в рамках механизма рекомбинации Или-Райдила 65]. Их уменьшение нри высоких температурах объясняется главным образом за счет преобладания процесса десорбции в этой области изменения температуры. Такое же объяснение имеет место и в рамках механизма гетерогенной каталитической рекомбинации Ленгмюра-Хиншельвуда, а также, когда учитываются оба механизма рекомбинации [83]. Более подробно этот вопрос будет обсуждаться в следуюгцем разделе. [c.42]

Отметим, что немонотонная зависимость коэффициента рекомбинации атомов кислорода на силиконизованных покрытиях наблюдается и в диссоциированном углекислом газе. Так, в [84] для этой величины предложена аппроксимация [c.43]

Применение основанных на использовании брутто реакций эмпирических моделей и полученных в экспериментах коэффициентов гетерогенной рекомбинации возможно только в узком диапазоне изменения параметров потока. Рисунок 2.9 [15] иллюстрирует типичную область неоиределенности в тепловых потоках в критической точке аппарата с аэродинамическим торможением (AOTV) при использовании различных экспериментальных данных по коэффициентам рекомбинации. Сплошными линиями даны результаты, полученные с [c.47]

Соответствуюгцие им коэффициенты рекомбинации следуют из соотношений [c.56]

Константа равновесия К2 процесса адсорбции-десорбции атомов азота экспоненциально убывает с температурой. Поэтому при фиксированной величине р = рх найдется такая температура что Е <С 1 при Т < Т . Следовательно, становится возможным введение коэффициента рекомбинации атомов азота, зависягцего только от температуры, и при Т < имеем [c.65]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология