Захват электрона эффективное сечение

Поскольку чистый углерод имеет небольшое эффективное сечение захвата нейтронов (3,5 Мбарн), его используют в атомных реакторах в качестве замедлителя нейтронов (ядерный графит) [24]. По данным отечественных и зарубежных исследователей [24, 156, 161], ядерный графит должен иметь плотност . 1650—1750 кг/м , эффективное сечение, характеризующее способность захватывать электроны, не более 4 Мбарн и низкую степень коррозии при взаимодеЛ-ствии с СОг. Особо высокие требования предъявляют к чистоте ядерного графита. Наиболее вредными примесями являются бор, ванадий, редкоземельные элементы и др. Эти примеси определялись в указанных выше работах специальными методами фотоколориметрии или пламенной спектрометрии. [c.103]

Ватанабе [505] установил, что правило аддитивности для сечений ионизации теоретически справедливо ( 20%) для некоторых углеводородов и их фторпроизводных с межъядерными расстояниями больше 2,5 Л и электронами с энергией выше 80 эв. Абсолютные сечения ионизации в области пороговых значений даны для гелия, неона, аргона, ртути, окиси углерода и азота [188]. Полное сечение ионизации при электронном ударе было измерено для атомного водорода и атомного кислорода с использованием техники модулированного молекулярного пучка [424]. Сечение образования двузарядного ионизованного гелия при электронном ударе измерялось по отношению к однозарядному гелию в диапазоне энергий 100—2400 эв [460]. Были проведены измерения сечений электронного захвата одно- и многозарядными ионами неона, аргона, криптона и ксенона [171]. Определялось эффективное, сечение образования тяжелых осколков при облучении 0 протонами с энергией 155 Мэе [215]. [c.665]

Дается систематизированное изложение методов детектирования в газовой хроматографии, основанных на сравнении эффективных сечений ионизации, явлений захвата электронов, подвижности электронов и ионов в условиях несамостоятельного разряда в газах. Основное вни.мание уделяется анализу физических основ рассматриваемых методов, связям характеристик детектирования с параметрами опыта и вопросам оптимизации этих характеристик. [c.258]

Оценим вероятность радиационного захвата электронов с энергией 1 эв. Такой электрон имеет скорость 6-10 см-сек и будет находиться в поле атома (размером порядка 10 см) около 10" сек. Коэффициент спонтанного излучения имеет величину порядка 10. Таким образом, вероятность излучения за это время составит около 10" Следовательно, лишь одно из 10 соударений электрона с атомами приведет к его захвату и образованию отрицательного иона. Такой расчет показывает, что вероятность радиационного захвата относительно невелика. На рис. 17 приведен график зависимости эффективного сечения захвата электрона атомом водорода от энергии электрона (по расчетным данным). [c.51]

При энергиях электронов, соответствующих комнатной температуре, эффективное сечение захвата имеет порядок 10 см . Коэффициент рекомбинации в этих условиях равен 3-10 2 см -сек- . При рекомбинации в тройных столкновениях, когда выделяющаяся энергия отдается инертному атому, коэффициент рекомбинации достигает больших значений, чем при радиационном захвате. Для разных газов он имеет величину порядка 10 —10 см -сек К Если положительный ион является многоатомным, то процесс его рекомбинации с электроном может сопровождаться диссоциацией [c.85]

По расчетным данным [36], эффективное сечение захвата электронов протонами имеет величину порядка 10 см при энергии электронов 0,01—0,3 эв. Эта величина зависит от энергетического уровня, на который захватывается электрон, и уменьшается с увеличением главного квантового числа этого уровня. [c.72]

Вероятность захвата возрастает с уменьшением энергии электронов. Так, при уменьшении энергии электронов в 10 раз эффективное сечение радиационного захвата увеличивается примерно в 8 раз (при захвате на основной уровень, п = 1). Таким образом, для низших состояний эффективное сечение захвата электрона приблизительно обратно пропорционально энергии электронов. [c.72]

Как видно на рисунке, функция имеет максимум при энергии электрона около 1 эв. Эффективное сечение захвата увеличивается с уменьшением энергии электрона. Это обусловлено, грубо говоря, тем, что электрон, имеющий меньшую кинетическую энергию и, следовательно, скорость, большее время находится в поле захватывающей частицы. Однако при очень низ- [c.61]

Рис. 17. Зависимость величины эффективного сечения (0 захвата электрона атомом водорода от э нергии электрона.

Допустим, что имеется один тип ловушек, обменивающихся электронами только с зоной проводимости. В таком случае концентрация электронов в зоне проводимости при затухании определяется уже не только рекомбинацией, т. е. уравнением (1.11), но и захватом. На основании тех же соображений, какие привели к уравнениям (1.11) и (1.19), можно принять что число актов захвата электрона ловушкой в единицу времени определяется произведением ази Уз—Пз)п, где Оз —эффективное сечение захвата, зависящее от природы центра Vз — общая концентрация ловушек Пэ—концентрация захваченных электронов. С другой стороны число актов освобождения электронов из ловушек, протекающего как мономоле-кулярный процесс, равно шпз. Поэтому можно записать следующее выражение для скорости изменения числа захва- [c.22]

С другой стороны, примеси могут влиять на зарядовое состояние собственных дефектов. Так, при обработке в парах серы ZnS, активированного металлом III группы, последний, являясь поставщиком электронов, способствует превращению Vzn в Vzn и появлению соответствующей полосы излучения. Увеличение яркости люминесценции при введении донорных примесей в некоторых случаях объясняется тем, что заселение электронами центров с боль-шим эффективным сечением безызлучательной рекомбинации (захвата электронов) элиминирует их действие как центров тушения [118]. [c.205]

Гафний — блестящий серебристо-белый металл с плотной гексагональной или кубической объемно-центрированной структурой. Он относится к тяжелым металлам плотность 13,31 г/сл при 20°. Металл тугоплавкий, т. пл. 2222°, т. кип. 5280°. В чистом состоянии металлический гафний очень пластичен, мягок (легко прокатывается и протягивается). Гафний хорошо проводит электрический ток, обладает высокой электронной эмиссией и в отличие от циркония имеет большое эффективное сечение захвата тепловых нейтронов, уступая в этом отношении только гадолинию. Эмиссионный спектр гафния богат спектральными линиями. [c.129]

Вероятность захвата электрона молекулой, определяющая скорость процесса образования отрицательных ионов, характеризуется обычно эффективным сечением захвата, которое зависит от природы вещества и энергии электрона. [c.115]

Сечение захвата резко возрастает, если в процессе захвата принимает участие третья частица. Способность атомов или молекул выполнять роль третьей частицы зависит от того, могут ли они поглощать освобождающуюся при захвате электронов энергию. Благодаря большому числу внутренних степеней свободы молекулы эффективнее, чем атомы, выполняют роль третьей частицы при захвате электрона. Когда освобождающаяся при захвате электрона энергия полностью идет на увеличение потенциальной энергии третьей частицы, наблюдается резонанс — резкое увеличение сечения захвата. Поскольку вероятность тройных столкновений при повышенных давлениях (1 атм и выше) возрастает, увеличивается и вероятность захвата электронов при тройном столкновении. [c.116]

Богатую информацию о структуре фосфора, механизме возбуждения люминесценции и особенностях трансформации и миграции энергии в кристалле при различных видах возбуждения дает изучение кинетики люминесценции. Это обусловлено тем, что кинетика люминесценции определяется большим числом различных параметров, так называемых кинетических параметров. К числу последних относятся такие величины, как вероятности ионизации центров свечения и высвобождения локализованных зарядов, эффективные сечения рекомбинации и захвата свободных электронов, глубина ловушек и т. д. [3]. На кинетику люминесценции оказывают влияние, кроме того, тип и условия возбуждения, так как именно они часто определяют значения кинетических параметров и стадию, ответственную за кинетику люминесценции. [c.12]

Относительно большое количество работ посвящено захвату электронов молекулами нитрометана [76, 80, 207], в котором происходит образование отрицательных ионов в шести резонансных пиках, максимумы которых располагаются от энергии электронов 0,6 эв (ионы N02) до энергии электронов 8,3 эв. Эффективное сечение образования ионов КОг составляет величину 10 1 см у сечения образования остальных ионов ((М—Н) , СЛ О , СХ , 0Н , (М—ОН) , N0 ) на три порядка меньше. Выделяется ник ионов 0 (5,6 эв), эффективный выход которых только в 40 раз меньше выхода ионов N02. [c.100]

В первой группе соединений общее эффективное сечение диссоциативного захвата электронов молекулами невелико (—10 см ), наблюдаются три резонансных пика выхода ионов в области энер- [c.142]

Показано, что в ЩГК подавляющее большинство носителей заряда термализуются в генетических парах (>90%). Для кристалла КС1 определена энергия активации разделения генетических пар = 0,06 эВ при j < 300 А/см , которая снижается при увеличении плотности возбуждения, а также температтоная зависимость эффективного сечения e-Vt рекомбинации 5= 5,77-10 см . Для кристаллов sl и sBr определены энергии активации разделения генетических пар = 0,07 зВ и = 0,1 эВ соответственно, и температурные зависимости эффективных сечений e-Vt рекомбинаций S= 1,М0 Г см и S = 4,37-10 Г см соответственно. Для кристалла sl-Tl определено эффективное сечение захвата электрона на TI -центр при300К5=7-10- Чм . [c.77]

Связь между эффективными сечениями отрыва и захвата электронов [49]. Для атома, молекулы или иона эффективное сечение сгр , м поглощения фотона энергии /гссо с отрывом электрона связано с эффективным сечением а , щ захвата электрона со скоростью V и испускания фотона энергии /гссо следующим соотношением [c.155]

Как видно на рисунке, функция имеет максимум при энергии электрона около 1 эв. Эффективное сечение захвата увеличивается с уменьп1ением энергии электрона. Это обусловлено, грубо говоря, [c.51]

Иаксимальиая эффективность STOI O процесса отвечает энергии 1,9 эв сечение процесса составляет приблизительно 10 см и иа 2 порядка превышает сечение захвата электрона без диссоциации [81]. [c.136]

Вторичные электроны, обладающие большой энергией, быстро расходуют избыток энергии на различные процессы. С другой стороны, в большинстве систем яе возникает процессов с достаточно большим сечением захвата электронов до того, как они превратятся и тепловые. Поэтому можно ожидать, что в облучаемых системах имеется большое число тепловых электронов, энергия которых порядка НТ 0,6 ккал1моль 0,025 эв при 300°К. Эти тепловые электроны эффективно захватываются положительными ионами, а также атомами и молекулами, обладающими достаточным сродством к электрону. [c.17]

При выводе уравнения (2) введено условие, что электрон могут потерять только те ионы Рп в, которые не стоят рядом с поверхностной вакансией. Но такой ион может оказаться рядом с вакансией в следующем за поверхностью более глубоком слое. Если учесть эти вакансии, коэффициент при а в уравнении (2) должен быть >2, что противоречит экспериментальным данным По-видимому, практически все анионные вакансии в объеме кристалла, имеющие эффективный положительный заряд, являются центрами локализации (захвата) электронов, которые остаются после удаления из кристалла атомов фтора. Локализованный на ближайшем к вакансии ионе Со " электрон должен иметь сильно вытянутую в сторону вакансии орбиту. Таким образом, происходит компенсация эффективного заряда вакансии. Поверхностная вакансия, вероятно, не может захватить электрон и, сохраняя эффективный положительный заряд, снижает энергию электронов соседних ионов фтора. Если бы поверхностная вакансия была способна захватить электрон от иона фтора, несомненно, должен был бы наблюдаться автокатализ. То же самое нужно сказать об объемной вакансии, захватившей уже один электрон, оставшийся после удаления из кристалла атома фтора. Далее, совершенно очевидно, что сечение, представленное на рис. 4, не является поверхностью кристалла СоРз, так как над поверхностными ионами Со + должно находиться некоторое число ионов фтора, образующих еще один малозаполненный слой. Эти ионы также способны вступать в реакцию и покидать кристалл, в результате чего возникают вакансии. Однако последние практически не (Имеют эффективного заряда и не должны влиять на образование Ртов в указанном выше сечении. С другой стороны, ионы фтора малозаполненного слоя до взаимодействия с водой должны терять электрон. Так как кристалл СоРз является изолятором, а описываемые ионы фтора наименее связаны с кристаллом, электроны последних, по-видИмому, могут переходить лишь на имеющиеся в сечении (см. рис. 4) атомы PSob, что не должно привести к изменению ранее вычисленной концентрации (Рпов) =/С(1 — 2а). [c.57]

Взаимодействие между ионом и электроном для изотопов отличается лишь силами гравитационного притяжения, которые сказываются только на очень близких расстояниях. В наихем случае ими мол-сно пренебречь. В формулах сечений процессов (1—3), очевидно, по этим причинам не отражаются индивидуальные свойства изотопов [29, 30]. Например, эффективное сечение первого процесса с захватом электрона на уровень, энергия ионизации которого равна /г п [29], имеет вид [c.107]

Можно предположить, что этот эффект имеет химическую природу. В этом случае можно думать, что молекула воды диссоциирует на поверхности германия и или протон, или гидроксил насыщают свободную валентность поверхностного центра, наличием которой и обусловливается поверхностный рекомбинационный уровень. В этом случае эффект нейтрализации должен обладать двумя характерными особенностями. Во-первых, ов возможен только с легко диссоциирующими молекулами, дающими при этом ионы или радикалы, способные насытить свободную валентность рекомбинационного центра. Во-вторых, трудно допустить изменение параметров рекомбинационного центра. Центр может либо функционировать, имея определенное значение энергетического уровня и эффективных сечений захвата дырки и электрона, когда свободная валентность не насыщена, либо не функционировать в качестве рекомбинационного центра, когда валентность насыщена. [c.78]

Исследование кинетики эффекта поля в германии, как показал ряд работ [1—4], может дать сведения об энергетическом положении поверхностных состояний и эффективных сечениях захвата для электронов и дырок. Вычисления зависимости эффекта поля от частоты и времени релаксации переходных процессов как в случае носителей тока одного знака, так и в случае носителей тока двух знаков производились в приближении слабого нарушения равновесия [5—7], т. е. предполагалось, что изменение потенциала поверхности внешним электрическим полем много меньше kTlq. [c.127]

Рассеяние электронов на атомах или молекулярных системах можно разделить на потенциальное и резонансное рассеяние. Эффективное сечение потенциального рассеяния плавно зависит от энергии электронов и наблюдается во всей возможной области энергии рассеиваемых частиц. Резонансное рассеяние происходит в определенных узких областях энергии электронов, зависимость сечения рассеяния от энергии электронов имеет вид более или менее узких пиков (резонансов), располагающихся на фоне потенциального рассеяния. При потенциальном рассеянии в области эффективного действия рассеивающего потенциала электрон проводит время, равное времени его свободного пролета этой области. Резонансное состояние системы молекула (атом)—электрон предполагает задержку электрона у рассеивающего центра по сравнению с временем свободного пролета. Каждому резонансу соответствует образование отрицательного иона мишени в квазистацио-нарном состоянии или временноживущего относительно выброса электрона отрицательного иона. При этом такой ион может быть (но не обязательно должен быть) нестабильным относительно диссоциации по одному или нескольким направлениям (каналам) диссоциации с образованием фрагментарных отрицательных ионов. Образование в квазистационарном состоянии молекулярных отрицательных ионов и их дальнейший распад на осколочные отрицательные ионы и нейтральные осколки называется диссоциативным захватом электронов. Таким образом, резонансное рассеяние электронов молекулами можно представить состоящим из двух этапов — захвата электрона молекулярной системой (приготовление нестабильного относительно выброса электрона квази-стационарного состояния молекулярного отрицательного иона) и распада временноживущего иона по возможным каналам распада — каналу упругого рассеяния (входному каналу), неупругого рассеяния (когда выбрасываемый резонансной системой электрон затратил часть своей энергии на возбуждение молекулы) и каналу диссоциативного захвата электрона [c.6]

Кривые эффективного выхода отрицательных ионов, полученные при взаимодействии электронов с молекулами этилена, пропилена, 1-бутена и изобутена 74] свидетельствуют о существовании, по крайней мере, двух резонансных пиков захвата электронов в области энергии электронов 7—13 эв с максимумами выхода ионов 8 и 10—И эв. Эффективное сечение образования отрицательных ионов в первом пике не превышает величину 10" в этилене и изобутене, а в пропене и 1-бутене еще на порядок меньше. В рассматриваемых соединениях наблюдаются ионы С , СН , СЩ, СНз, gH и ионы (М—Н) , причем наиболее вероятными процессами являются процессы образования ионов (М-Н)- и Н . [c.66]

Диссоциативный захват электронов молекулами бензола наблюдается в области энергии электронов 7,5—12 эв [74, 118, 129]. С наибольшей вероятностью происходят процессы образования ионов СвЩ — (М—Н)" и СгН (см. рис. 9) — сечение процессов —10 см , на порядок ниже эффективный выход ионов (М—ЗН)", С5Щ, С4Н3 и Сг. Ионы (М—Н) образуются в возбужденном ав-тоионизационном состоянии со средним временем жизни 43 мксек, [c.69]

Интересен факт отличия масс-спектров отрицательных ионов двух изомеров — антрацена и фенантрена. На кривой эффективного выхода ионов (М—Н) антрацена наблюдается перегиб, который у фенантрена выражен слабее, т. е. кривая эффективного выхода ионов (М—Н) фенантрена более симметрична. Кроме того, в антрацене захватом тепловых электронов образуется долгоживущий молекулярный ион с т — 21 мксек. Эти особенности позволяют масс-спектрометрически различать рассматриваемые изомеры. Сечения образования ионов (М—Н) антрацена и фенантрена сечение недиссоциативного захвата электронов молекулами антрацена —10 см . [c.73]

В акриловом альдегиде и винилметилкетоне, где карбонильная группа сопряжена с С=С-связью, диссоциативный захват электронов наблюдается в области энергии электронов —3,5—10 эв и представлен четырьмя резонансными пиками выхода ионов. Вместе с кислородсодержащими ионами (0 , ОН , ОС2Н , ООН ) наблюдаются ионы СгН", СзЩ, СзЩ По сравнению с бутадиеном и пипериленом абсолютные сечения захвата электронов с образованием отрицательных ионов в рассматриваемых соединениях выше в 5—10 раз. Это относится не только к эффективному выходу ионов, содержащих в своей структуре атом кислорода, но и к углеводородным ионам. Например, при одинаковом токе электронов и одинаковом давлении вещества ток ионов 2H из винил-метилкетона в 4 раза больше тока из пиперилена, для ионов с та/е 27 ( 2HJ) аналогичное соотношение равно 10. Вообще, введение в молекулу полнена или ароматического соединения электроотрицательных групп (или атомов) — СО, СООСН3, NO2, F, С1, Вг — вызывает повышение эффективного выхода отрицательных ионов, по-видимому, вследствие увеличения времени жизни молекулярного иона относительно автоотщепления электрона, [c.79]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология