Полупроводники узкозонные

Классификация. В соответствии с зонной теорией различие между П. и диэлектриками чисто количественное-в ширине запрещенной зоны. Условно считают, что в-ва с Д > 2 эВ являются диэлектриками, с Д < 2 эВ-полупроводниками. Столь же условно деление П. на узкозонные (Д < 0,1 эВ) и широкозонные. Важио, что один и тот же по хим. составу материал в зависимости от внеш. условий (прежде всего т-ры и давления) может проявлять разные св-ва. Наблюдается определенная зависимость между концентрацией электронов проводимости и устойчивостью кристаллич. структуры п. Б частности, алмазоподобная структура устойчива до тех пор, пока в зоне проводимости еще остаются вакантные энергетич. уровни. Если все они оказываются занятыми и имеет место вырождение энергетических уровней, первая коордииац. сфера, а за ней и весь кристалл претерпевают перестройку с образованием более плотной структуры, характерной для металлов. При этом концентрация электронов проводимости перестает расти с т-рой и собств. проводимость П. падает. Классич. примером является олово, устойчивая полиморфная модификация к-рого (белое олово) при комнатной т-ре является металлом, а стабильное при т-рах ниже 13 °С серое олово (а-8п) - узкозонный П. С повышением т-ры и соответствующим изменением концентрации своб. электронов характерная для а-8п алмазоподобная структура переходит в структуру с более плотной упаковкой атомов, свойственной металлам. Аналогичный переход П.-металл наблюдается при высокой т-ре у Се, 81 и алмазоподобных бинарных П., к-рые при плавлении теряют полупроводниковые св-ва. [c.57]

К сожалению, отмеченные особенности узкозонных магнитных полупроводников до сих пор практически не изучены. Наиболее полно из этого класса веществ исследованы оксиды переходных металлов. Ферриты же как более сложные магнитные соединения менее изучены и в настоящее время отсутствует единое толкование механизма проводимости в них. [c.118]

Наконец, новое усложнение теории возникло в связи с активным изучением узкозонных полупроводников, важных в инфракрасной технике. Ввиду желательности весьма небольших изменений электрофизических свойств, в частности и длинноволнового края полосы по- [c.546]

Наложение электрического поля вызывает инжекцию электронов и дырок и заселение уровней узкозонного полупроводника арсенида индия, что затем генерирует лазерное излучение в видимом диапазоне. [c.497]

Исследованы особенности формирования гетероструктур на основе узкозонных полупроводников методом жидкофазной эпитаксии. С использованием разработанного в МИТХТ способа получены многослойные гетероструктуры на основе 1пА88ЬВ1Яп8Ь с резкими гетерограницами и толщиной слоев 25-30 нм, представляющие интерес для изготовления фотоприемников ИК-диапазона. [c.157]

Получены предварительные результаты по электроосаждению на алмаз dTe для получения гетероструктуры 7-aлмaз//г- dTe, которая легла бы в основу твердофазной солнечной батареи [218]. В этой батарее широкозонный полупроводник алмаз играет роль оптического окна , которое поглощает только жесткие кванты света длинноволновый же r ieT проходит через алмаз и поглощается в узкозонном полупроводнике [c.65]

Поликристаллический материал в виде черного порошка с игольчатой формой кристаллов состава ВаВ1Тез синтезирован и охарактеризован в [77]. Установлены параметры и тип слоистой кристаллической структуры. Данные по электропроводности, термо-э.д.с., теплопроводности и ИК-поглощению обсуждаются в рамках зонной схемы и указывают на принадлежность этого соединения к узкозонным полупроводникам. [c.248]

Таким образом, явление электронереноса в ферритах должно рассматриваться с учетом особенностей узкозонных и магнитных полупроводников. В общем случае эти особенности сводятся к следующим [c.118]

Если полупроводниковый фотоэлектрод содержит в глубине межфазные границы, обладающие фоточувствительностью, и все они наряду с границей электрод/электролит одновременно освещаются, то возникающие на них фотопотенциалы и/или фототоки складываются, способствуя более интенсивному протеканию фотоэлектрохимической реакции на поверхности электрода. Таким образом реакция эта становится по существу двух- (или много-) квантовой. Необходимым условием функционирования такого сложного электрода является проникновение фото-электрически-активного света во внутренние области полупроводника. Для этого внешний слой его должен быть достаточно прозрачным. Это возможно, если внешний слой изготовлен из полупроводникового материала с более широкой запрещенной зоной, чем внутренняя область. Тогда относительно длинноволновый свет (до порога собственного поглощения см. рис. 4) проходит сквозь внешний слой, практически не ослабляясь, и, дойдя до узкозонного полупроводника, поглощается им, генерируя неравновесные носители. Коротковолновый же свет эффективно поглощается внешним слоем, и образованные там неравновесные носители участвуют в фотоэлектрохимической реакции на поверхности электрода. Следовательно, двух-(или много-)слойные полупроводниковые структуры из различающихся материалов (называемые обычно гетероструктурами) позволяют более эффективно использовать весь спектр солнечного света. Твфдофазные фотовольтаические элементы, работающие по этому принципу, называются каскадными (см., напр., [c.76]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология