Щелочные металлы, галогениды в паровой фазе

Выращивание галогенидов щелочных металлов из паровой фазы на монокристаллах галогенидов щелочных металлов. [Данные для галогенидов лития]. [c.26]

Выращивание кристаллов галогенидов щелочных металлов из паровой фазы и из раствора на слюде [В т. ч. RbJ]. [c.63]

Существенно, что в насыщенных водных растворах галогенидов щелочных металлов и других хорошо растворимых при высоких температурах солей критические явления не имеют места ни при каких температурах обычные жидкие водные растворы этих солей существуют наряду с паровой фазой при температурах, на сотни градусов превышающих критическую температуру воды (кривая растворимости соли не пересекается с критической кривой). [c.125]

КОМПЛЕКСООБРАЗОВАНИЕ В ПАРОВОЙ ФАЗЕ СИСТЕМ, ОБРАЗОВАННЫХ ДИГАЛОГЕНИДАМИ ОЛОВА И ГАЛОГЕНИДАМИ ЩЕЛОЧНЫХ МЕТАЛЛОВ [c.48]

В опытах по определению коэффициентов диффузии, следует, считаться с возможной конкуренцией ряда процессов диффузии в объеме, диффузии по поверхности, испарения (десорбции) с поверхности и т. п. Если х — среднее расстояние, на которое удалится атом вследствие диффузии на поверхности раньше, чем он будет десорбирован в паровую фазу, то условие, при котором можно наблюдать диффузию по внешней поверх- Остп кристалла, очевидно, будет x ia Xg, где Хтш — минимальное расстояние, на которое должен продиффундировать атом для того, чтобы процесс поверхностной диффузии можно было бы обнаружить. Возможность наблюдения поверхностной диффузии с помощью меченых атомов для случая кристаллов галогенидов щелочных металлов, как это ни странно, подвергается сомнению, так как грубые оценки показывают, что Xinin> s. Между тем Нейман 7 и Гегузин [8] интерпретировали ряд эффектов, связанных с макроскопическим переносом вещества, как диффузию по поверхности. Мейер [9], однако, полагает, что в этих случаях быстрый перенос осуществляется посредством диффузии в водяной пленке, которая удерживается на поверхностях кристаллов Na l в высоком вакууме до температуры в 500° С. Таким обр.азом, вопрос о возможности макроскопического наблюдения диффузии по внешней поверхности в случае кристаллов галогенидов щелочных металлов остается открытым. [c.99]

В табл. 18 сопоставлены теоретические значения энергий решеток некоторых кристаллических галогенидов щелочных металлов с найденными экспериментально по циклу Борна. Энергия решетки, рассчитанная таким образом, относится к всесторонне связанной структурной единице она указывает количество энергии, которое освобождается при встраивании 1 моля структурных единиц внутрь кристалла. В действительности рост кристалла из раствора, расплава или из паровой фазы происходит все-таки путем наращивания на поверхности. Поэтому освобождающаяся энергия наслоения всегда меньше, чем энергия решетки, и, по Косселю, зависит от типа наращивания. Она максимальна при регулярной пристройке, т. е. при наращивании одного ряда атомов в одной, еще не заполненной плоскости решетки. Изолированное наращивание где-нибудь на уже готовой поверхности будет давать, например, в случае ЫаС1 только 7,6% максимальной энергии связывания, так как оно здесь происходит только от одной из шести граней куба. В тепловом равновесии всегда предпочтительны энергетически благоприятные возможности роста кристаллов, поэтому кристаллы всегда строятся регулярно. [c.140]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология