Щелочные металлы, галогениды кристаллы примесные

Наиболее детально исследовано осаждение металлов, имеющих кубическую гранецентрированную решетку, на гранях (100) щелочных галогенидов (посредством испарения примесного компонента в вакууме). Для некоторых комбинаций, например щелочной галогенид—-металл, необходимы минимальные (критические) температуры кристалла-носителя, чтобы происходил полностью ориентированный рост. Это условие является основным и при выполнении его достигается высокая подвижность оседающих атомов на кристалле-носителе. [c.338]

В качестве источника информации о дефектах можно указать на данные химического анализа. Ясно, что при любых обстоятельствах следует знать тип и приблизительную концентрацию различных атомов, имеющихся в кристалле. В случае соединения точное определение состава может показать, отклоняется ли состав соединения от строго стехиометрического, и если да, то в каком направлении. Например, с помощью химического анализа было установлено, что Рез04 обычно содержит больше кислорода, чем соответствует формуле [127] в восстановленной ZnO имеется избыток цинка [128], а нагретые в паре щелочного металла галогениды щелочных металлов содержат избыток металла [129]. Химический анализ может быть также использован для определения валентности примесных атомов. Так, этим методом было показано, что марганец, введенный в окислительных условиях в MgaTi04, четырехвалентен [1301. [c.182]

Для фотохимика ясно, что зависимость типа скорость= (интенсивность) возникает в результате бимолекулярного процесса между короткоживущими частицами, концентрация каждого типа которых пропорциональна интенсивности падающего света. Это основной момент при установлении механизма фотолиза. Так как в твердых веществах существуют ловушки электронов различных типов, как, например, катионные и анионные вакансии и примесные ионы окисного железа, то представлялось разумным предположить, что бимолекулярная реакция происходит на двух типах ловушек, причем на одном типе ловушек реакция происходит с затратой энергии активации, на другом же нет. Существование так называемых а, р-полос в галогенидах щелочных металлов (см. выше) наводило на мысль о том, что на анионных вакансиях образование экситонов происходит с меньшей затратой энергии, чем в бездефектных кристаллах, и что они поэтому способны к захвату экситонов. Согласно этим предноло-жэниям, бимолекулярная схема механизма принимает вид [c.164]

При прессовании электродов из графита с добавкой КС1 распределение ионов по зарядам как для калия, так и для хлора оказывалось нормальным. Аллард и Крулфельд (1967) предположили, что благодаря хорошей электропроводности графита в разряд поступает достаточно энергии, так что положительные ионы образуются из K I непосредственно, минуя газовую фазу из нейтральных молекул. Использование электродов из смеси графит — КС1 дало приемлемые результаты по большинству примесных элементов, но привело к ухудшению чувствительности и увеличению опасности загрязнений и сегрегаций. Поэтому данный метод непригоден для анализа кристаллов галогенидов щелочных металлов высокой чистоты. [c.309]

Заметим, что в отличие от таких ионов, как Ы+, Ма+, Вг"", С1 , введение которых в качестве примесей в кристаллы галогенидов серебра и щелочных металлов не сопровождается большими изменениями электрических и оптических свойств кристалла, ионы одновалентной меди Си+ дают весьма заметные и четко выраженные эффекты. Коэффициенты диффузии ионов Си+ в чистых хлориде и бромиде серебра, определенные П. Зюптицем [10] методом радиоактивных индикаторов ( Си), на несколько порядков выше коэффициентов диффузии других примесных ионов, так что и в этом случае медь среди примесей занимает особое положение, как и в том случае, когда она является примесью в полупроводниковых материалах— германии и кремнии. [c.71]

Согласно теории ассоциации ион примеси способен двигаться, лишь будучи связанным в парный комплекс с вакансией. Диффузия подобных комплексов осуществляется путем ряда связанных между собой прыжков, в которых примесный ион обменивается местом с вакансией с вероятностью W2, и вакансия прыгает вокруг примесного иона с вероятностью Ш]. Предполагается, что среднее время для прямого обмена примесь — вакансия должно быть продолжительнее по сравнению со средним временем прыжка вакансии вокруг примесного иона как центра, т. е. Ш2<СаУ . Измерения диффузии двухвалентных примесей в кристаллах галогенида щелочных металлов, серебра и др. могут дать информацию о существовании и концентрации комплексов примесь — вакансия в этих кристаллах. Экспериментальная работа должна заключаться в нахождении изотерм диффузии при нескольких температурах. Такого рода эксперименты были выполнены Хенлоном [4], который исследовал диффузию ионов кадмия в чистых и содержащих примесь СёВгг кристаллах AgBr. Полученные данные находятся в согласии с теорией Лидиарда [3]. [c.124]

Измерения термоэ.д.с. — простейшие опыты, которые несут полезную информацию, но, к сожалению, обременены необходимостью теоретических расчетов контактного потенциала электрод — кристалл или, что трудно выполнимо, исключением этого параметра удачным выбором условий опыта. Далеко не всегда можно подыскать обратимые (по отношению к соответствующему иону кристалла) электроды, для которых теория дает достаточно строгую температурную зависимость контактного потенциала, тем самым точную величину 0гет- Даже, в казалось бы, простейшем случае галогенидов щелочных металлов таких электродов пока что нет. В подобных случаях теория сомнительна и неоднозначна, а эксперимент плохо воспроизводим. Тем самым вполне естественно стремление перейти к прямым определениям коэффициентов Соре, однако такие эксперименты лишь начинаются и притом ограничиваются термодиффузией примесных ионов, хотя подобное ограничение и не является принципиальным. Мы остановимся на случае изучения состояния химических дефектов методом термической диффузии, проиллюстрировав имеющиеся возможности на примере нескольких работ. [c.188]

Остановимся теперь на исследовании эффекта Мессбауэра на примесных атомах олова в галогенидах серебра и щелочных металлов. Число работ, посвященных изучению состояния примесных атомов олова в кристаллах типа Na l, невелико, и природа примесных центров и Sn + окончательно не выяснена [30, 31]. [c.241]

Ионные кристаллы. С давних пор по традиции физики зани-.маются получением электронно-избыточных или электроиио-недо-статочных дефектных центров в кристаллах галогенидов щелочных. металлов (F- или V-центры), вводя ионы, которые могут действовать как источники или как ловушки электронов. При радиолизе кристалла вторичные электроны захватываются такими ловушками, в результате чего усиливается образование электронно-дефектных центров. Если примесный ион служит источником электронов, а дырки способны мигрировать по всему кристаллу, то последние могут исчезать при рекомбинации с электронами или за счет процесса переноса электрона. Например, введенные в кристаллы ионы Ag" и РЬ + усиливают образование V-центров, так как они легко переходят соответственно в Ag и РЬ +. При повышенных температурах суммарным результатом иногда является диспропорционирование ионов [c.53]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология