Галоидные ионы, свободная энергия

В отношении механизма электронного перехода, связанного с экситонным поглощением, и модели самого экситона могут быть две альтернативы переход электрона в какое-то возбужденное состояние иона хлора или переход электрона с иона хлора на соседний ион щелочного металла. Совершенно бесспорно, что собственное поглощение щелочно-галоидных кристаллов обусловлено поглощением света ионами галоида. В связи с этим можно полагать, как и поступает Декстер [15] в своих вычислениях, что возбужденный электрон преимущественно связан с ионом галоида, возбужденное состояние которого подобно 3p 4sP состоянию. Следует отметить, что для свободных отрицательных ионов водорода теоретически доказана возможность существования дискретных уровней энергии, расположенных ниже потенциала ионизации [23]. Напряженность поля, в котором находится избыточный электрон в отрицательном ионе водорода, падает более быстро с расстоянием по сравнению с кулоновским полем. Поэтому в таком поле может быть только ограниченное число дискретных состояний. [c.13]

Гетеролитические реакции возможны только в жидкой фазе, и им благоприятствуют ионизирующие растворители (т.е. растворители с большими диэлектрическими постоянными и сольватирующей способностью), так как в этих условиях благодаря участию растворителя энергия диссоциации ковалентной связи на ионы настолько понижается, что она может стать меньше энергии диссоциации той же связи на свободные радикалы. Аналогично в реакциях, в которых участвуют ионы и которые протекают предпочтительно по механизму переходного состояния, последний обусловливает значительное снижение энергии активации. Эти факты имеют решающее значение для механизма реакции, как будет указано ниже (см. также Механизм реакций галоидных соединений , стр. 417). [c.185]

Теоретические расчеты поверхностной свободной энергии твердых тел были впервые проведены в 1928 г. Леннард-Джон-сом и Дентом [10]. Перемещения положительных и отрицательных ионов, когда данный внутренний слой становится поверхностным слоем, были описаны Вервеем [11]. Расчеты Шаттл-ворса [12] показали, что вклад ван-дер-ваальсовых сил в поверхностную энергию значителен. Бенсон с сотрудниками провел тщательное исследование галоидных солей щелочных металлов [13—16] и окиси магния [17]. [c.254]

AGsi) от l/vi как для катионов, так и для анионов выражаются параллельными прямыми. Суммарная свободная энергия гидратации иодистого цезия была затем разбита на две составляющие, соответствующие отдельным ионам так, что на графике зависимости 5 AGsi) от l/r , свободные энергии гидратации всех ионов щелочных металлов и галоидных ионов располагаются на одной линии. [c.144]