Энергия свободных ионов

Рис. 7-10. Диаграмма Оргела, иллюстрирующая влияние кубического возмущающего поля на уровни энергии свободного иона МпП — -ион.

Рис. 6.22. Диаграмма уровней энергии свободного иона (б) с учетом спин-орбитального взаимодействия (а), расщепления в октаэдрическом (в) и тетрагональном (и) полях, слабого и среднего спин-орбитального взаимодействия в сочетании с октаэдрическим (г, д) и тетрагональным (э, ж) полями е— промежуточная область

Электроны центрального иона заселяют ijg- и е -орбитали в соответствии с принципом минимума энергии и принципом Паули. Заселение электронами г-орбиталей приводит к понижению энергии, а заселение Sg- к повышению энергии системы по сравнению с энергией свободного иона в сферическом поле. Суммарный эффект называется энергией стабилизации полем лигандов (ЭСПЛ). [c.335]

Энергетические у-ровни ионов, вводимых в кристаллическую решетку в качестве активаторов, значительно отличаются от уровней энергии свободных ионов. Под действием поля кристаллической решетки происходит расщепление, смещение и уширение уровней ионов. На рис. 33.40 показаны энергетические уровни двухвалентных ионов редкоземельных элементов, актиноидов и элементов группы железа, а на рис. 33.42 и 33.43 уровни трехвалентных ионов редкоземельных элементов. Наи- [c.738]

Рис. 32. Диаграмма Оргела, основанная па уровнях энергии свободного иона Мп(П) (т. е. конфигурации й ).

Сделанное выше заключение особенно справедливо для октаэдрических возмущающих полей, так как орбиты центрального иона металла в этих случаях в значительной степени сохраняют такой же характер, как у свободного иона. Для тетраэдрических полей положение несколько иное, так как нарушение уровней энергии свободного иона гораздо больше вследствие смещения р-орбит с de-компонентами -орбит. [c.275]

Наконец, рассмотрим кратко возможность предсказать, будет ли экстрагируемое вещество диссоциировано в органической фазе. Основной причиной диссоциации является снижение энергии свободных ионов в среде с высокой диэлектрической постоянной [c.17]

Сходные соображения можно высказать и об энтальпии активации. При 8 1-реакциях в качестве промежуточных продуктов образуются ионы, что требует довольно больших затрат энергии этому соответствуют значительные энергии активации. 81<12-Реак-ции идут не через стадию образования богатых энергией свободных ионов, а через описанное выше переходное состояние. Оно характеризуется синхронным протеканием процессов разрыва и образования связи, свободные ионы пе возникают ни на какой стадии реакции. Следовательно, нет необходимости затрачивать энергию, по величине равную энергии связи, и поэтому необходимая энергия активации обычно ниже, чем при 1-реакциях. [c.145]

Рис. 4. Схема уровней в октаэдрическом комплексе а — уровни энергии свободного иона, в — уровни лигандов, б — уровни энергии объединенных орбит металла и лигандов.

Так как строение активированного комплекса близко к строению конечного состояния стадии диссоциации, влияние различных факторов на энергию активированного комплекса должно быть близким к влиянию тех же факторов на энергию свободных ионов и ионных пар. [c.282]

Рис. 45. Диаграмма уровней энергии, показывающая влияние спин-орбитального взаимодействия и возмущений октаэдрического и тетрагонального характера на терм свободного иона с одним электроном, о — уровни свободного иона с учетом спин-орбитального взаимодействия б — термы энергии свободного иона в — сильное октаэдрическое ноле г — сильное октаэдрическое поле -f слабое спин-орбитальное взаимодсЁствне 0 — сильное октаэдрическое поле -Ь среднее сшш-орбиталь-ное взаимодействие е — промежуточная область м — сильное октаэдрическое поле -Ь среднее тетрагональное пойе -Ь среднее спин-орбитальное взаимодействие а — сильное октаэдрическое попе - - среднее тетрагональное поле - - слабое спин-орбитальное взаимодействие и — сильное октаэдрическое поле -1- среднее тетрагональное поле.

Количественной характеристикой устойчивости ионов в том или ином окружении является энергия стабилизации, определяемая в теории кристаллического поля как разность между энергией свободного иона и энергией нижнего терма в поле данной симметрии. Она отражает особенности строения электронной оболочки нона, которые проявляются либо в образовании ковалентных связей между катионамп и кислородным окружением, либо в стабилизации катионов в кристаллическом поле [c.22]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология