Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Рогинского зонная полупроводников

    Отсюда легко понять, что представления о роли -зон, претендовавшие на универсальность, не выдержали проверки временем. Преимущество переходных металлов в катализе,— говорит Рогинский,— может в большей мере определяться п о-вы шейной химической стойкостью их решеток, обусловленной -связями, чем прямым участием -зон в активности [177]. Преимущество же окислов МеО, содержащих переходные элементы, Рогинский объясняет тем, что наличие -электронов у катиона Ме создает предпосылки к появлению полупроводниковых систем с малой запрещенной зоной. Но и этот фактор нельзя переоценивать Поповский и Боресков [178] показали, что удельная каталитическая активность окислов определяется не столько электронной структурой катиона, сколько электронной структурой всего кристалла-полупроводника. [c.243]


    В развитие представлений о природе каталитического действия химических веществ большой вклад внесли работы советских ученых. Так, в муль-типлетной теории Баландина [1,2] обращено внимание на необходимость геометрического и энергетического соответствий реагирующих веществ и катализатора. Основополагающие принципы этой теории справедливы и в настоящее время [3]. В теории активных ансамблей Кобозева [4, 5] развит математический аппарат, позволяющий рассчитывать число атомов катализатора, входящих в его активный центр. В электронной теории катализа, развивавшейся в работах Рогинского [6] и Волькенштейна [7], обосновывается зависимость каталитической активности полупроводников от ширины их запрещенной зоны и положения уровня Ферми. Боресков [8] уделял внимание химическому аспекту каталитического действия веществ и выдвинул принцип постоянства удельной каталитической активности веществ постоянного химического состава. [c.5]

    Каталитическая активность полупроводника, как это было установлено С. 3. Рогинским [47, 48], в общем зависит от ширины запрещенной зоны. Ф. Ф. Волькенштейн [61], М. Будар [62] и К. Хауффе [63] нашли более точную зависимость между активностью катализатора и его электронной структурой характер хемосорбцяи и реакционная опособность хемосорбирован-пых молекул реагента определяются положением уровня Ферми. При этом значение уровня Ферми Ф входит в качестве слагаемого в энергию активации лимитирующей стадии реакции  [c.111]

    Начало современной теории полупроводников, как полагают Бэкер и Дженкинс [152], было положено Вильсоном в 1930— 1931 гг. [159], который тогда уже применил зонную теорию для объяснения электропроводности. В дальнейшем, в 30—40-х годах, в развитии этой теории приняли участие многие физики, в том числе Иоффе [160], Вагнер, Мотт и другие (см. [161— 164]). Связь же между полупроводниковыми и каталитическими свойствами впервые была отмечена в конце 30-х годов Вагнером и Хауффе [164], а затем более подробно описана (с привлечением материала о влиянии освещения) Рогинским (см. стр. 212 и рис. 2, 3). Попытки создания количественной электронной теории катализа начинаются только с конца 40-х годов. При этом на первый план выступают работы Рогинского, Волькенштейна, Теренина, Борескова, Бонч-Бруевича, Мясни-кова, Ляшенко (СССР), Гарнера, Даудена (Англия), Жермена, Эгрена (Франция), Будара, Тамару, Гомера (США), Вагнера, Хауффе, Зурмана, Шваба (ФРГ), Белянского, Дереня (ПНР), Коутецкого (ЧССР) и других. В 50-х годах появляется масса работ как по полупроводниковому катализу, так и по катализу на металлах и сплавах. Можно сказать, что начинается период подлинной электрификации теории катализа (Баландин) [71]. [c.241]


    Как известно, малые добавки оказывают сильное действие также на электропроводимость и другие характеристики полупроводников. Многие окис-ные катализаторы являются полупроводниками. В начале 50-х годов С. 3. Рогинским и Ф. Ф. Волькенштейном были сформулированы основные представления электронной теории катализа и хемосорбции на полупроводниках, основанные на применении к этим явлениям зонной модели и поддержании электронно-дырочного равновесия на поверхности полупроводника при взаимодействии с молекулами. Эта концепция в одноэлектронном приближении с несколькими дополнительными гипотезами дальше детально развивалась Ф. Ф. Волькенштейном, В. Л. Бонч-Бруевичем, В. Б. Сандомирским, Ш. М. Коганом, а за границей — Хауффе, Вейсом, Жерменом, Моррисоном и другими и стала впоследствии широко популярной среди всех специалистов по катализу. [c.8]


Смотреть страницы где упоминается термин Рогинского зонная полупроводников: [c.301]   
Инженерная химия гетерогенного катализа (1971) -- [ c.29 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Полупроводники

Полупроводники полупроводники

Рогинский



© 2024 chem21.info Реклама на сайте