Катализ полупроводниковый

Установлено, что поверхности этих активных окисей восстанавливаются окисью углерода. Поэтому возможно, что катализ осуществляется с попеременным восстановлением и окислением поверхности. Этот механизм был предложен Бентоном [161] для окисления на двуокиси марганца. Как скорость восстановления несмешапнога катализатора, так и скорость каталитического окисления на нем пропорциональны давлению окиси углерода. С точки зрения более поздних данных этот механизм, по-видимому, маловероятен при использовании О было показано [162], что скорость восстановления поверхности в 10 раз меньше скорости каталитического окисления. Трудно понять, как добавка кислорода может изменять скорость восстановления поверхности, в особенности если было установлено, что окись углерода, содержащаяся в воздухе, извлекает с поверхности [163] относительно небольшое количество О . Другие механизмы включают реакцию между газами, хемосорбирован-ными на поверхностях окисей, или реакцию между окисью углерода из газовой фазы и кислородом, в той или иной форме хемосорбированным на поверхности. Стоун [164] подверг анализу результаты исследований, проведенных многими учеными, включая ученых бристольской школы, и показал, что имеется качественная связь между активностями различных окисей и их полупроводниковыми свойствами. Наиболее активны окиси р-тииа, дающие измеримые скорости окисления при низких температурах, в некоторых случаях ниже 50°. К их числу относятся двуокись марганца и некоторые из окисей, используемых в гопкалитах. Следующими па активности являются окиси п-типа — окись железа, окись цинка и двуокись титана, действующие в интервале 150—400°, но некоторые собственные полупроводники, вроде окисей меди и хрома, также [c.329]

Широко известна роль химии поверхности и адсорбции при поглощении отравляющих веществ и в гетерогенном катализе. С химией поверхности связана коррозия, приводящая к огромным потерям материалов и авариям и требующая создания устойчивых защитных покрытий. Химическое модифицирование поверхностей природных и искусственных материалов, наполнителей полимеров, формующих устройств для изделий из полимеров, строительных материалов, в частности полимерных, может придать этим поверхностям совершенно новые свойства. Например, химическая прививка к поверхности гидрофильного материала углеводородных групп делает эту поверхность устойчиво гидрофобной. Химия поверхности полупроводниковых материалов и изделий для микроэлектроники играет важную роль в современных электронных приборах. Химическое модифицирование поверхности используется и в этих случаях. [c.5]

Наряду с описанными разрабатываются и другие теории гетерогенного катализа — электронно-химическая теория, теория цепных реакций и др. В работах последних лет механизм действия некоторых полупроводниковых и металлических катализаторов рассматривается в связи с возможными переходами электронов между различными поверхностными электронными энергетическими уровнями, отвечающими различным состояниям катализатора. [c.498]

Однако при температурах промышленного катализа полупроводниковые катализаторы часто находятся в области собственной проводимости и проявляют ряд характерных свойств 1) слабую зависимость каталитической активности от количества и характера введенной примеси 2) связь каталитических свойств, в первую очередь, с энергетическими уровнями валентных электронов атома и размерами ионов, а через них с положением элементов, образующих катализатор, в периодической системе Д. И. Менделеева [c.168]

Реакции гетерогенного катализа обычно делят на два основных типа кислотно-основной катализ и окислительно-восстановительный катализ. В кислотно-основном гетерогенном катализе имеют место реакции, связанные с переходом протона, а в окислительно-восстановительном — связанные с переходом электронов. В связи с последним большое значение имеют каталитические процессы с применением полупроводниковых катализаторов. [c.164]

Авторы электронных теорий хемосорбции и катализа на полупроводниках до сих пор рассматривали только процессы на примесных полупроводниках. Однако при температурах, привычных для промышленного катализа, полупроводниковые катализаторы часто находятся в области собственной проводимости . Мы встретились с этим обстоятельством, изучая каталитические свойства бинарных изоэлектронных аналогов германия и кремния. Для большинства из них заметное разложение изопропилового спирта и дегидрирование циклогексана начинается в области собственной проводимости. Заметим также, что действие исходных [c.12]

Первые две стадии реакций контактного окисления, наряду с изложенными выше механизмами, могут протекать по механизму комплексообразования в тех случаях, когда катионы решетки сохраняют свою индивидуальность. Вервей [241 для обратных шпинелей , а затем Морин [25] — для окислов металлов с незапол- ненными З -уровнями электронов указали на такую возможность, объяснив возникновение в таких соединениях электропроводности присутствием в них ионов одного и того же металла в различных валентных состояниях и в эквивалентных позициях кристаллической решетки. Можно предполагать, что подобного рода механизм электропроводности возможен не только для окислов (в том числе и тройных систем окислов [26]), но и для многих полупроводниковых соединений переходных металлов. Базируясь на этих представлениях, Дауден [27 ] рассматривает хемосорбцию на поверхности и явления замещения одного сорбента другим как реакции образования и превращения комплексов по механизму и 8)у2-замещения. Киселев, [28] также рассматривает адсорбцию как процесс поверхностного комплексообразования, когда при возникновении донорно-акцеп-торных связей неподеленная пара электронов лиганда оказывается затянутой на внутренние орбитали атома решетки, являющегос центром адсорбции. При таком механизме адсорбированные молекулы всегда будут в той или иной мере реакционноспособны. Действительно, затягивание неподеленной пары лиганда на внутренние орбитали центрального атома приведет к деформации адсорбированной молекулы и ослаблению внутримолекулярных связей. Отметим попутно, что трактовка Киселева справедливо распространяет электронные представления и на механизм кислотно-основного гетерогенного катализа. Развивая представления теории поля лигандов, Руней и Уэбб [29 ] показали, что механизм реакций дейтеро- бмена, гидрирования и дегидрирования углеводородов на переходных [c.27]

Электронные полупроводники. Хотя в настоящее время по вопросам полупроводниковой теории катализа имеется обширнейшая литература, однако работ, посвященных проблеме прогнозирования каталитических свойств полупроводников, немного. [c.154]

По представлениям электронной теории полупроводникового катализа такие типичные каталитические процессы, как гидрирование этилена на полупроводнике р-типа и окисление водорода на полупроводнике п-типа, протекают по схемам, показанным на рисунке 67. [c.302]

Механизм отравления связан с типом катализа и различен для электронного (гомолитического) катализа на полупроводниках и металлах и ионного (гетеролитического) катализа [20]. Наиболее сложен механизм отравления на металлических и полупроводниковых контактах [20, 22, 30, 32, 33, 43, 45]. Катализаторы полупроводникового типа более устойчивы к действию ядов, чем металлические [20]. Это, видимо, связано с большим содержанием в полупроводниках различных примесей, вследствие чего дополнительное введение тех или иных добавок не приводит к сильному модифицированию свойств. Процесс отравления полупроводниковых контактов изучен значительно меньше, чем металлических [20]. [c.68]

Классич. область применения Э.- исследования оптич. св-в материалов, в т.ч. измерения оптич. постоянных тонких (напр., оксидных) пленок, а также их толщин. Интерес к Э. возрос в 70-80-х гг. 20 в. в связи с особым значением, к-рое приобрели анализ структуры, изучение физ.-хим. св-в и контроль чистоты пов-стей благодаря быстрому развитию твердотельной (прежде всего полупроводниковой) электроники. Э. используют также в исследованиях физ. и хим. адсорбции в глубоком вакууме на плоских пов-стях Si, Ag, Pt и др., адсорбции полимеров на фанице жидкость-газ и жидкость-жидкость, процессов катализа на микроуровне, св-в верх, слоев пов-стей, подвергнутых коррозии, в электрохимии для имения окисления и восстановления электродов, в микробиологии для исследования оболочек клеток и липидных мембран и др. [c.475]

Процессы, связанные с переходом электронов полупроводниковый катализ). В окислах металлов и в самих металлах свободные электроны способны к латеральным смещениям и к переходам с одних уровней на другие в пределах нескольких атомных расстояний, что влечет за собой проявление активности катализаторов и протекание реакций по типу электронных механизмов. К таким процессам С. 3. Рогинский относит окисления, гидрирования и дегидрирования. [c.171]

Многие химические процессы, применяемые в промышленности, и главным образом в основном химическом синтезе, основаны на реакциях твердой фазы с газом. К таким процессам относятся, например, получение металлов восстановлением газами, обжиг сульфидных руд, получение основных полупродуктов неорганического синтеза — аммиака, серной кислоты и многих органических соединений методами гетерогенного катализа, а также очистка веществ и выращивание монокристаллов (полупроводниковая промышленность). Очень важно здесь то, что в таких гетерогенных системах концентрация дефектов зависит не только от температуры, но и от равновесия между соответствующими компонентами твердой и газовой фаз. Так, например , состав решетки NiO меняется при увеличении парциального давления кислорода, причем в результате окислительно-восстановительной реакции увеличивается количество ионов О - в решетке и одновременно образуется эквивалентное количество ионов Ni +. В соответствии с требованиями об электронейтральности системы в целом, в решетке появляются катионные вакансии [c.435]

Для каталитических реакций окислительно-восстановительного типа, где механизм реакции связан с переходом электронов, процесс начинается с взаимодействия электронов или дырок твердого тела с реагирующими молекулами. Это приводит к зависимости между полупроводниковыми и каталитическими свойствами, и с этой точки зрения можно говорить о существовании особого полупроводникового катализа. Электроны и дырки являются основными действующими агентами в катализе этого класса. На этой базе и развивается современная электронная теория полупроводникового катализа, причем в первую очередь электронные представления развиты применительно к адсорбции. [c.162]

Созданию электронной теории катализа на полупроводниках посвящены работы Ф. Ф. Волькенштейна. В этой теории рассматривается полупроводниковый катализатор, представляющий"собой идеальный кристалл, образованный ионами с оболочкой инертного газа. При отличной от абсолютного нуля температуре в зоне проводимости такого кристалла имеются электроны, обеспечивающие свободные валентности на его поверхности. Эти электроны участвуют в образовании связей адсорбирующихся частиц с поверхностью кристалла. Возможны три типа связи. 1. Слабая гомеополярная связь, обеспечиваемая валентным электроном одного из адсорбирующихся атомов, затягиваемым в зону проводимости кристалла. 2. Прочная гомеополярная связь, в которой кроме этого электрона участвует электрон кристалла, переходящий на локальный энергетический уровень, возникающий в запрещенной зоне кристалла в результате адсорбции. 3. Ионная связь, образующаяся при переходе валентного электрона адсорбированного атома в решетку кристалла. Наиболее реакционноспособны состояния со слабой связью, так как они характеризуются ненасыщенными валентностями. [c.279]

Химические свойства соединений переходных металлов разнообразны и представляют интерес в связи с широким использованием некоторых из них в полупроводниковой технике и процессах катализа. Характерной чертой переходных элементов является наличие частично заполненных внутренних орбиталей. Если ограничиться наиболее изученными в этом отношении элементами, имен- [c.287]

В гл. I, 24 мы познакомились с сорбцией и, в частности, с адсорбцией, с их ролью в гетерогенном катализе. Поверхностные явления, в частности адсорбция, играют большую роль в самых различных областях техники. Для нас важно знать, что адсорбция изменяет не только поверхностные, но и объемные свойства полупроводниковых материалов, влияет на работу выхода электронов с поверхности твердых тел. С адсорбцией и десорбцией приходится сталкиваться в процессах химического и электрохимического травления и полирования полупроводников и металлов, при очистке поверхности твердых тел от загрязнений и т. д. Адсорбция и связанные с ней изменения поверхностного натяжения и разности потенциалов на границе раздела фаз играют громадную роль в коллоидной химии и электрохимии. Адсорбция используется для очистки газов и жидкостей, для удаления остатка газов из вакуумных приборов, для поглощения ОВ (в противогазах), для извлечения ценных веществ из растворов и газов и из отходов различных производств с целью рекуперации, для разделения и анализа смесей (хроматография) и т. д. [c.168]

Применительно к катализаторам полупроводникового типа заслуживают внимания работы Ф. Ф. Волькенштейна и других ученых в области электронной теории катализа, согласно которой взаимодействие реагентов с катализатором происходит при уча- [c.636]

Изучение адсорбции, десорбции и изотопного обмена кислорода на полупроводниковых катализаторах показывает, что при температурах катализа кислород прочно связан с поверхностью. Связь Ь — С более слабая, так как даже при температурах, значительно ниже тедшературы каталитической окислительной реакции, наблюдается слабая обратимая адсорбция углеводорода. [c.101]

Влияние освещения на полупроводниковый катализ, предсказываемое электронной теорией, также практически отсутствует или представляет единичные случаи, как например восстановление метиленблау в системе ZnO -t- свет в опытах проф. Л. А. Николаева (14] с сотрудниками, или образование перекиси водорода в той же системе в опытах Шваба и др. Характерно, однако, что на столь, близком полупроводнике, как ZnS, эти процессы не идут. [c.196]

Сильное изменение видимой энергии активации при промотировании полупроводниковых катализаторов добавками, на которое часто ссылаются, как мы видели, не может служить критерием истинной производительности активного центра из-за непостоянства частотного члена (см. табл. 1). Поэтому встречающиеся в литературе попытки судить о действии добавок на полупроводниковый катализ по величине энергии активации несостоятельны [15]. [c.196]

Таким образом, окислительно-восстановительное равновесие между катионом и атомом на поверхности полупроводника способно объяснить энергетические особенности полупроводникового катализа — высокую видимую энергию активации и ее сильную чувствительность к добавкам (через изменение величин [Ме+], [е], е, Л [c.199]

КАТАЛИЗ ПАРАМИ МЕТАЛЛОВ И НЕКОТОРЫЕ ВОПРОСЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КАТАЛИЗА [c.313]

Е(заимодействие без образования новых фаз. Изменение каталитических свойств поверхности катализатора под влиянием среды трудно рассматривать в отрыве от всего механизма гетерогенного катализа. Адсорбция компонентов реакционной среды на поверхности полупроводниковых катализаторов равнозначна внедрению примесей в поверхность катализатора с появлением новых локальных электронных уровней, сдвигом уровня Ферми и общим изменением состояния электронно-дырочного газа. Следовательно, с точки зрения электронной теории катализа данный тип влияния среды на активность катализатора включается в общее рассмотрение механизма гетерогенно-каталитических реакций. [c.49]

Электронная теория катализа допускает существование разных видов связи хемосорбированных частиц из газа на поверхности полупроводника слабой одноэлектронной связи и двух видов прочной двухэлектронной связи — акцепторной и донорной, которые в свою очередь могут иметь ковалентный или ионный характер в зависимости от природы адсорбируемой частицы. Предположим, что адсорбируемая частица является одновалентным атомом электроположительным атомом А (типа Na) или электроотрицательным атомом В (типа С1), а катализатор — полупроводниковый ионный кристалл состава MR (типа Na l), который имеет в узлах решетки и на поверхности кристалла частицы М+, R , М и R. При этом будут наблюдаться следующие шесть случаев химической связи, показанные на схеме (в двух случаях — 2 и 5 — связь не образуется). [c.455]

Взгляды Л. В. Писаржевского до сих пор представляют некоторый интерес, послужив стимулом для изучения электронного механизма каталитических реакций. Некоторые авторы установили, что чем выше электропроводность полупроводниковых катализаторов, тем больше их каталитическая активность. Работы С. 3. Рогинского с сотрудниками позволили предложить гипотезу, что для окисления углеводородов наиболее активными являются катализаторы, обладающие окраской. Интенсивность окраски и активность оказались пропорциональными. Это указывает на электронный механизм отмечаемых процессов. В настоящее время электронные представления в адсорбции и катализе освещаются в работах А. Н. Те-ренина, В. Е. Лашкарева, Ф. Ф. Волькенштейна, С. 3. Рогинского, Доудена и Кларка, Г. Тейлора и других ученых. [c.160]

Е торым структурным фрагментом называют группировки, обеспечивающие процессы переноса электронов и протонов. Сюда относят полупроводниковые цепи и структуры, ответственные за так называемое трансгидрироваиие нли перепое водорода. Легко видеть, что этот тип структурных фрагментов всецело связан с необходимостью привлечения углерода, а также других органогенов, способных образовывать двойные связи и служить донорами и акцепторами протонов. Нетрудно видеть также, что эти группировки служат началом или полупроводникового, т. е. окислительновосстановительного, или кислотно-основного катализа. [c.197]

Электронные и механические свойства нового материала зависят от геометрии трубок, а именно - от их диаметра и спиральности. Возможно, они найдут применение в катализе, медицгше, электронике. Так, предполагают, что удастся создать полупроводниковые схемы, которые будут устойчивы к повышенной температуре. Проводимость вдоль трубок оказывается гораздо выше, чем поперек перескакивая с волокна на волокно, электрон вынужден преодолевать силы связей, которые отсутствуют при движении вдоль трубки. [c.100]

В ТЭ реализуется в основном гетерогенный катализ. Многочисленные исследования процессов на ртутном электроде, очень удобном для теоретического анализа и исследования стадийности некоторых реакций химических превращений, не давали практического выхода к инженерным аспектам проблемы ТЭ, а также для химических производств, в которых использовались металлические и полупроводниковые электроды. Объектом изучения электрокатализа является кинетика перехода заряженных частиц (электронов или протонов) через поверхность раздела твердой и жидкой фаз. Скорость этого пере.хода характеризует вклад, вносимый в значение электрического тока генерации структурой поверхности. Если без катализатора скорость реакции — экспонен-циональная функция отношения энергии активации К средней энергии теплового движения кТ, то при наличии катализатора она меняется в зависимости от поля, вносимого катализатором. Тем самым можно влиять на сгсорость реакции (ток). [c.55]

Следует отметить, что теория гетерогенного катализа еню недостаточно разработана, поэтому подбор катализаторов производится в значительной степени эмпирическим путем. Важную роль при этом играет электронная структура веществ иа поверхности катализатора. Каталитическим действием часто обладают металлы, не слишком легко теряюнше электроны, а также вещества с полупроводниковыми свойствами, [c.52]

Вследствие неодинаковых электронных свойств металлов и полупроводников каталитическая активность их должна быть различной. Однако в условиях окислительного катализа металлы бывают покрыты более или менее тонким полупроводниковым чехлом, состоящим из окисла, и может быть поэтому механизм окисления углеводородов на металлах и ио.лупроводниках имеет много общего [72, 73]. [c.20]

В процессе синтеза углеводородов из окиси углерода и водорода группой советских исследователей методом меченых атомов было показано, что на поверхности катализатора возникают и развиваются полидюризационные плоские цепп. Следовательно, могут существовать процессы, в которых должны наблюдаться обратные реакции — уменьшение размера молекулы в результате деструктивных и окислительных реакций. Поэтому Рогинский [199] предложил назвать такой процесс закрепленной цепной деструктивно-окислительной реакцией. Это интересное предположение пока еще не уточнено, не разобраны стадии процесса и не выяснена природа промежуточных продуктов, которые способствуют развитию цепных реакций при окислении органических веществ. В гипотезе о закрепленных цепях на поверхности учитываются как полупроводниковые свойства катализатора, так и строение реагирующих молекул и радикалов, образующихся в результате реакции, тогда как в ряде других стадийных схем гетерогенного окисления углеводородов механически перенесены ценные схемы гомогенных химических реакций в гетерогенный катализ. [c.92]

Исследование механизма различных окислительных реакций показало, что при катализе на поверхности металлических и полупроводниковых контактов образуются нестойкие промежуточные продукты, вероятно, перекисные радикалы, дальнейшее превращение которых приводит к образованию различных кислородсодержащих соединений концентрация их зависит от соотношения скоростей распада этих радикалов. Если бы существовали методы, позволяющие точно установить строение этих радикалов на новерхности твердых тел, то можно было бы управлять реакциями их распада и определить, какие образуются продукты их тех или иных углеводородов. Этих сведений иока нет, а следовательно, невозможно заранее установить, на каких катализаторах, например, пропилен превратится в окись проиилена или акриловую кислоту. Для поисков новых катализаторов пока приходится пользоваться эмпирическими данными и некоторыми аналогиями в поведении металлов и полупроводников в других сходных реакциях. [c.229]

Таким образом, общая концентрация ионов У + и характер структуры окисной системы определяют ее электронные свойства. Часто коллективные электронные свойства таких полупроводниковых систем являются отражением изменения структуры. и валентного состояния отдельных ионов — активных центро1в катализа и адсорбции. Существование максимума активности для образцов оо структурой бронз показывает, что для каталитических процессов особое значение имеет образование активных центров из парных ионов У" +. [c.203]

Энтропия катализатора характеризует многое степень упорядоченности его состояния и отсюда степень разнообразия образуемых катализатором активных структур и степень регулярности тех энергетических потоков, которые воспринимает на себя и отводит от себя катализатор в окружающую среду, в решетку, в носитель и передает другим а стивным центрам. В случае полупроводникового катализа она определяет степень упорядоченности дефектов решетки в виде сверхстехиометриче-ских атомов или вакансий Шоттки, которые играют значительную роль в катализе на полупроводниках. [c.4]

Наряду с особыми магнитными свойствами у адсорбционных катализаторов обнаруживаются также особые фотохимические свойства, имеющие непосредственную связь с их атомным строением. Оказалось, что практически все адсорбционные катализаторы являются фоточув ствительными системами. Это явление представляет самостоятельный интерес, особенно в связи с развитием электронных представлений в катализе. Работы, посвященные фоточувствительности катализаторов, относятся к области полупроводниковых катализаторов. Все же попытки обнаружить заметное изменение каталитических свойств металлов под влиянием освещения приводили к неудаче. [c.33]

Фотоактивности адсорбционных катализаторов отвечает также специфичность их люминесцентных и отражательных свойств. В работах [22,70] было найдено, что нанесение небольших количеств 10 монослоя) платины на силикагель и алюмогель резко снижает их отражательную и люминесцентную способность. Это тушащее действие зависит от природы металла и носителя, например для платины оно в 20 раз сильней, чем для серебра. Наиболее сильное тушение малыми дозами нанесенной платины происходит на носителях типа диэлектриков — на алюмогеле, сернокислом барие, двуокиси циркония и менее эффективно на полупроводниковых носителях, что соответствует найденному ряду фоточувствительности адсорбционных катализаторов. Эти центры высвечивания (они же центры люминесценции) представляют ловушки энергии, в которых поглощенная энергия излучается в виде световых квантов без значительной растраты на тепловые колебания. Чтобы прощупать более глубокие слои носителя и состояние его электронного газа, автором с Крыловой [55] были развиты исследования адсорбционных катализаторов методом экзоэлектронной эмиссии [71—75], вызывавшейся обработкой катализатора рентгеновыми лучами или бомбардировкой электронами с энергией в несколько киловольт. Экзоэлектронная эмиссия (эффект Крамера) представляет последствие такой обработки образцов и выражается в низкотемпературном доричардсоновском испускании электронов их поверхностью. Изучение экзоэлектронной эмиссии с пустого носителя и носителя, заполненного в той или иной степени атомами катализатора, позволяет охарактеризовать степень влияния электронного газа носителей различной природы на активность нанесенного металла и обратно — влияния этого металла на экзоэлектронную активность носителя. Было найдено, что концентрация и состояние электронного газа на разных носителях при разных степенях заполнения поверхности платиной сильно отлично. Однако это единообразно не сказывается на катализе. Следовательно, электронный газ носителя, в который погружены атомные, например платиновые, активные центры, определенным образом не сказывается [c.35]

Почти во всех исследованиях в области гетерогенного катализа скорость реакции определялась как скорость исчезновения одного из реагирующих веществ из газовой фазы или как скорость выделения в газовую фазу продукта реакции. Изменение свойств катализатора можно использовать для измерения скорости реакции только в одном тине гетерогенных реакций, в котором единственной реакцией является хемосорбция или десорбция атомов или молекул и в котором не обнаруживается дальнейшая реакция между хемосорбированными фрагментами. В этих случаях можно воспользоваться изменением таких поверхностных свойств, как коэффициент аккомодации [7, 12], контактный потенциал [13], эмиссия электронов [14] или поверхностная электропроводность [15]. Подобные исследования важны для развития современных представлений о катализе, так как хемосорбция представляет неотъемлемую стадию всех гетерогенно-каталитических реакций и изменения свойств поверхности можно использовать для установления того, какая хемосорбция происходит во время катализируемых реакций и, следовательно, каковы возможные механизмы последних. Так, например, Дауден [10] связал гидро- и дегидрогенизационные свойства ряда смешанных окисей с их полупроводниковыми свойствами. Эти методы рассмотрены в следующей главе. [c.158]

Все это приводит к тому, что при самых различных усло Виях образования металлических активных центров в шетках полупроводниковых кристаллов распределение металла между поверхностью и объемом является очень благоприятным для катализа. Интересным для катализа является и тот факт, что для полупроводников, в отличие от металлов, доля активных центров на поверхности практически не зависит от степени дисперсности или мозаичности кристаллов. Тем самым приобретает теоретическую интерпретацию факт, давно известный из практики приготовления полупроводниковых катализаторов. [c.122]