Плазменного травления метод

Методами комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции исследованы образцы графита с разупорядоченной кристаллической структурой. Исследован широкий набор образцов, полученных различными технологическими методами - облученный графит, углеродные пленки полученные разложением углеводородов и плазменным напылением, методом анодного травления впервые получен пористый графит и др. [c.144]

Пульсационная пульверизация с частотой 10—20000 Гц достигает эффективности ультразвуковой очистки без эрозии пленок. При использовании свежих порций растворителя этот метод дает самые хорощие результаты. Плазменное травление, которое проводится в окислительных или восстановительных средах, представляет собой очень эффективный метод, дающий в большинстве случаев оптимальные результаты. Шлифование поверхности, которое обычно используется для обработки стеклянных подложек хромовых масок и приготовления шлифованных кремниевых подложек, для очистки поверхностей применяется редко. [c.17]

Для контроля плазменного травления предложен ряд методов механическое измерение рельефа [126], интерферометрические методы [134], прямое измерение состава газовой фазы при помощи эмиссионных спектров [135], масс-спектрометрия [101, 136] и др. [137]. [c.62]

ТУЛ.З. Плазменное травление как метод оценки толщины рабочего слоя мембран [c.202]

Плазменное травление является новым методом, который позволяет определить толщину непористого верхнего слоя композиционных и асимметричных мембран. Метод также позволяет оценить равномерность структуры верхнего слоя, изучить свойства слоя, расположенного непосредственно под ним и более глубоких слоев мембраны. Травление состоит в химической реакции материала поверхности по- [c.202]

Для удаления всех этих загрязнений можно использовать жидкостную очистку, высокотемпературное окисление, плазменные методы и шлифование. При жидкостной очистке применяют растворы кислот, оснований и органические растворители (спирты, кетоны, хлорированные углеводороды, фреоны и др.). Воду и незначительные количества диоксида кремния можно удалить при 1000°С в кислороде, вакууме или восстановительной атмосфере. Метод нельзя использовать в случае, когда высокая температура изменяет свойства подложки, например, диффузионных слоев. Диоксид кремния, кроме того, удаляют плавиковой кислотой с добавками или травлением плазмой. Для других неорганических загрязнений используют сильные неорганические кислоты или окислительные смеси типа хромовой. Жидкостная очистка производится погружением, обработкой парами растворителя, ультразвуком и пульверизацией. Очистка парами растворителя очень распространена и эффективна, особенно если сочетается с пульверизацией. Рекомендуется использовать негорючие растворители (фреоны, хлорированные углеводороды), [c.16]

Перспективной для использования в производстве ИС является сухая микролитография , при которой не используются жидкие реактивы. Она должна способствовать повышению качества и выхода приборов, упрощению технологии и повышению ее уровня. Сухая микролитография заключается в сухом нанесении резиста (например, сублимацией или путем синтеза полимерной пленки из мономеров на подложке), сухом проявлении (например, экспозиционном, термическом, плазменном), сухом травлении подложки и удалении резиста. Две последние операции удается провести с помощью плазмы, две первые находятся в стадии интенсивной разработки. Хотя изучается применимость существующих резистов или их модификаций в новой технологической цепи, очевидна необходимость разработки новых материалов для всего цикла сухой литографии и усовершенствования ее методов [31]. [c.187]

С начала 70-х годов выполняется широкий комплекс исследований и разработок, связанных с созданием ионно-плазменных методов осаждения и травления тонких плёнок. В результате этих работ был создан ряд оригинальных, не имеющих аналогов в мире, холодных ионных источников с практически неограниченным сроком службы типа Радикал , Холодок . На базе этих источников создана целая гамма установок для ионно-лучевого и реактивного ионно-лучевого травления и осаждения тонких плёнок. [c.10]

По-видимому, наибольший прогресс в практическом использовании плазмы низкого давления к настояш ему времени достигнут в электронной промышленности и прежде всего в микроэлектронике. Здесь плазмохимическими методами решаются задачи нанесения тонких диэлектрических, проводяш их и полупроводниковых слоев, создания поверхностной конфигурации интегральных схем путем локального плазменного травления указанных поверхностных слоев, а также очистки поверхностей неорганических материалов от органических вепдеств (включая удаление резистивных слоев в литографических операциях). Основными особенностями этой сферы использования неравновесной плазмы являются беспрецедентные [c.336]