Полупроводниковые материалы, получение и использование германия

Инженерами В.П. Соседовым, Л.П.Овсянниковой и A. . Кармановым в 1957-1960 гг. создан процесс получения особо чистого графита классов В-3 и В-4. Здесь уже требовалась чистота значительно более высокая, чем для реакторного графита. Если в последнем общее содержание зольных примесей допускалось до 20 тысячных долей процента, то в особо чистом графите эта величина не должна была превышать одной тысячной процента, а содержание отдельных примесных элементов — не более М0 %. Такой фафит потребовался для получения сверхчистых германия и кремния в технологии создания полупроводниковых элементов в качестве контейнерного материала. Его производство было также организовано на МЭЗе, что потребовало модификации некоторых печей графитации, использования при газотермическом рафинировании кроме хлора также фторсодержащих соединений, получения в печи температуры не ниже 3000°С и проведения процесса в чистых углеродных материалах за время, не превышающее 10—12 ч. [c.44]

Получение и очистка 1фемния. Кремний как полупроводник открыт и использован раньше германия. Со времени создания германиевого транзистора (1948 г.) применение кремния приостановилось, так как германий получить в чистейшем виде гораздо проще, чем кремний. Однако с конца 50-х годов кремний становится ведущим полупроводниковым материалом благодаря открытию бестигельной зонной очистки кремния (1958 г.). В настоящее время кремний—самый главный полупроводниковый материал как для создания дискретных приборов, так и в области микроэлектроники. [c.103]

Получение. Для использования в приборах полупроводниковые материалы в осповном должны быть получены в виде монокристаллов со строго определенным содержанием легирующих примесей, придающих П. тот или иной тип проводимости и соответствующие свойства. Поэтому все неконтролируемые примеси перед легированием должны отсутствовать, т. е. исходный материал должен быть очень чистым. Большинство методов очистки было разработано при получении чистых кремния и германия (см. также Зонная плавка и Монокристаллы). Требования получения монокристаллов П. в очень чистом состоянии и оптически однородных привели к со.зданию новых методов синтеза. При синтезе сложных П.— различных двойных, тройных и т. д. хнмич. соединений, часто состоящих из элементов с сильно различающимися свойствами, появились новые варнанты синтеза — С1П1тез под давлением летучего компонента, синтез в газовой фа.эе, в различных неводных растворителях— расплавленных солях, металлах и т. д. [c.124]

Новейшее развитие радиоэлектроники и широкое использование ее б различных областях техники предусматривают самое широкое применение полупроводниковых металлических материалов и, в частности, германия и кремния. Возможность получения совершенных полупроводниковых приборов, отвечающих запросам современной техники, О Пределяется не только исходными электрическими свойствами материала полупроводников, но в большей степени зависит также и от их поверхностных свойств. Например, выбранная технология обработки поверхности при изготовлении п()лу]1роводниковых приборов (хи лическое травление), а также после-лующпе воздействие на поверхность полупроводникового прибора окружающей атмосферы заметно изменяют и его электрические свойства. Успешно-е разрешение вопроса о получении полупроводников с заданными стабильными свойствами в значительное мере определяется уточнением роли физико-химического коррозионного воздействия внешней среды (травильного раствора или атмосферы) на полупроводниковые свойства этих материалов. [c.584]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология