Давление паров летучих соединений

Давление паров летучих соединений [c.177]

Bo всех случаях при температуре реакций давление пара летучего соединения бериллия значительно превышает давление пара бериллия при той же температуре. [c.217]

Температуры реакций данного типа определяются давлением паров летучих соединений. [c.118]

Фосфид и арсенид галлия обладают существенным давлением диссоциации при температуре плавления. Конгруэнтное плавление этих соединений и, наоборот, кристаллизация из стехиометрических расплавов возможны только под давлением паров летучего компонента, равным давлению диссоциации. Это сильно осложняет как синтез соединений из компонентов, так и их кристаллофизическую очистку. [c.269]

Для создания в сосуде, в котором происходит синтез, давления летучего компонента пользуются трехзонным или двухзонным методом (рис. 56, а). В трехзонном методе давление пара летучего компонента создают, нагревая его избыточную навеску <3, помещенную в холодную зону ампулы, до температуры, при которой давление пара равно давлению диссоциации синтезируемого соединения. В горячую зону печи I при температуре несколько выше температуры плавления сое- [c.269]

В двухзонном методе давления в ампуле регулируют не конденсатом летучего компонента, а его загрузкой. Здесь также металл помещают в лодочку, находящуюся в горячей зоне установки, тогда как летучий компонент может находиться в любом месте ампулы. Количество летучего компонента подбирают так, чтобы его хватило как для образования стехиометрического соединения, так и для создания нужного давления паровой фазы (избыточного конденсата при этом не остается). Давление в ампуле мало зависит от колебаний температуры и соблюдается с достаточной точностью. Температура второй, менее нагретой зоны должна быть ниже температуры плавления синтезируемого соединения и выше температуры конденсации летучего компонента. Возникновение метастабильных модификаций мышьяка или фосфора не мешает процессу. Скорость образования соединений и соответственно скорость нагрева ампулы в конечном счете определяются прочностью ампулы, так как синтез выгоднее вести при максимальном давлении паров летучего компонента. Уже через несколько минут после достижения конечной температуры, лежащей немного выше температуры плавления соединения, можно начинать направленную кристаллизацию, передвигая ампулу во вторую печь [128]. [c.271]

Зонную плавку этих соединений, как и выращивание их монокристаллов вытягиванием по Чохральскому, чтобы они не диссоциировали, следует проводить под давлением паров летучего компонента. Давление создают так же, как описано выше либо регулированием температуры печи, либо количеством загружаемого летучего компонента. Схема зонной плавки по двухзонному и трехзонному методам показана на рис. 56, б. В обоих случаях температура второй зоны должна быть выше температуры конденсации паров летучего компонента. [c.271]

Для создания в сосуде, в котором происходит синтез, давления летучего компонента пользуются трехзонным или двухзонным методом (рис. 23). В трехзонном методе давление пара летучего компонента создается нагреванием конденсата, помещенного в холодную зону 3 ампулы, до температуры, при которой давление его пара равно давлению диссоциации синтезируемого соединения. В горячую зону печи при температуре несколько выше температуры плавления соединения помещается лодочка 1 с исходным металлом, в нашем случае с галлием или индием. В печи II устанавливается промежуточная температура (несколько ниже температуры плавления соединения). После того как расплав металла прореагирует с парами летучего компонента (мышьяка или фосфора) и будет достигнуто равновесие, в ампуле создается постоянное давление пара, обеспечиваемое остатком компонента в холодной зоне. Затем ампула медленно передвигается так, что лодочка с расплавом вещества постепенно переходит в печь II со средней температурой. В результате происходит направленная кристаллизация расплава соединения в лодочке. [c.170]

Метод консервации летучими ингибиторами основан на использовании относительно больших давлений пара таких соединений, способных быстро насыщать пространство, адсорбироваться металлической поверхностью, препятствуя развитию коррозионного процесса при последующей конденсации влаги. Надежная защита может быть обеспечена только при условии постоянного насыщения атмосферы, в которой находится изделие, парами летучего ингибитора. [c.190]

Как было показано в работах [6—8], чтобы прекратить диссоциацию соединения, необходимо создать в системе давление паров летучего компонента, равное упругости диссоциации соединения при температуре его плавления. В том случае, когда давление паров в системе превышает давление диссоциации, соединение плавится конгруэнтно, однако полученный расплав содержит избыток летучего компонента и не отвечает стехиометриче-скому составу. При низком давлении плавление соединения происходит конгруэнтно, т. е. соединение ниже температуры плавления начинает распадаться на жидкость, обогащенную нелетучим компонентом, и пар летучего компонента. [c.91]

Процесс испарения летучего компонента может зайти настолько далеко, что приведет к существенному разложению соединений на составные части. Поэтому существуют другие методы синтеза, сводящиеся к независимому регулированию давления паров летучего компонента. [c.85]

Построение диаграмм Р — Г — X является крайне трудной операцией. Поэтому в большинстве случаев определяется температурная зависимость давления паров летучего компонента над твердым чистым соединением и жидкими растворами соединения в труднолетучем компоненте. Поскольку равновесие между конденсированными фазами (твердыми и жидкими) слабо зависит от давления, то форма и расположение соответствующих моновариантных линий практически не зависят от величины внешнего давления. [c.160]

АВ, не будет градиента температуры, то в результате взаимодействия паров В с жидкостью А поверхность этой последней покроется поликристаллической пленкой соединения АВ и рост монокристаллического слоя не будет обеспечен. Чтобы создать необходимый для правильной кристаллизации градиент, рекомендуется использовать радиационный нагрев поверхности жидкости А (например, параболическое или эллиптическое зеркало, в фокусе которого расположена лампа накаливания 500—1000 вт). Скорость нагрева обеих печей следует регулировать таким образом, чтобы обеспечивалось равенство давлений паров летучего компонента над пленкой расгвора и над чистым компонентом В. По достижении необходимой температуры процесса давление паров чистого компонента В устанавливается выше равновесного и включается источник радиационного нагрева. Большим преимуществом этого метода является то, что при равномерном нагреве поверхности происходит равномерное растворение подложки компонента АВ в расплаве А, причем осуществляется очистка и сглаживание поверхности роста. [c.340]

Определение давлений паров при высоких температурах является очень сложной задачей, для решения которой применяются следующие методы масс-спектрографический анализ паровой фазы, образующейся при нагреве соединения метод определения точки росы. Метод, точки росы заключается в следующем. Синтезированное соединение, заключенное в эвакуированную и запаянную кварцевую ампулу, помещают в равномерно нагретую печь. На одном конце ампулы создается небольшая холодная зона, температура которой точно замеряется. Нагревая соединение до некоторой температуры и постепенно понижая температуру холодной зоны, определяют ту температуру, при которой на стенке кварцевой ампулы появляется конденсат летучего компонента. Зная температурную зависимость давления пара чистого летучего компонента, определяют соответствующее значение давления его паров над соединением. Определение давления паров летучего компонента над соединениями с высокими температурами плавления оказывается особенно затруднительным. [c.457]

Приведенный ряд изобарических сечений хорошо иллюстрирует зависимость характера плавления соединения от давления летучего компонента в системе. Прежде чем начать подробный анализ каждого Т—х-сечения, следует обратить внимание на диаграмму, соответствующую давлению Р , которое обычно называется упругостью диссоциации соединения при температуре плавления. Это единственное значение давления пара летучего компонента, при котором состав кристаллов АВ и равновесного с ними расплава будет одинаков В химии полупроводников знание упругости диссоциации соединения имеет принципиальное значение, так как определяет технологию выращивания монокристаллов из расплава стехиометрического состава. [c.233]

Что касается летучих аддуктов )3-дикетонатов актиноидов (Ш), то они известны лишь для ТПЭ (Ат, m, Вк) и исследовались А. В. Давыдовым и сотрудниками методом терморадиометрии, без вьщеления и анализа индивидуальных соединений. Растворы аддуктов 3-дикето-натов, полученные экстракцией, помещали в лодочку и нагревали в токе газа-носителя. За ходом испарения наблюдали по у бьши радиоактивности образца или (в случае берклия) собирали конденсат и определяли его радиоактивность [67]. Более детально были исследованы соединения америция [45, с. 92—100]. На основании терморадиометрических кривых авторы рассчитали давление пара летучих соединений америция (табл. 3.2). Можно отметить, что, как и в случае лантаноидов, аддукт Ат (ГФА) 3 с ТБФ по летучести превосходит адцукт с более сильным [c.58]

Нитриды железа, кобальта и никеля в отличие от нитридов предшествующих d-элементов фазами внедрения не являются. Об этом свидетельствуют их низкая термическая устойчивость и способность к последовательной диссоциации при иагревании с отщеплением азота и образованием все более бедных азотом соединений. Склонностью к термической диссоциации с последовательным отщеплением летучего компонента обладают также фосфиды и арсениды, причем первые — в большей степени. Для стибидов это свойственно в меньшей степени в силу небольшой летучести сурьмы. Фосфиды, арсениды и стибиды получают прямым синтезом из компонентов в эвакуированных и запаянных ампулах. Состав продукта зависит от исходного соотношения компонентов, температуры и давления пара летучего компонента в ампуле. Эти соединения разнообразны по составу, однако наиболее типичные фазы Э3П, Э2П, ЭП и ЭП. . Для кобальта и никеля известны фосфиды ЭР3. Высшие фосфиды ЭРз и ЭРз, а также арсенид FeAsj — полупроводники, остальные пниктогениды обладают полуметаллическими и металлическими свойствами. [c.407]

Используя пассивирующие свойства нитрит-иона, американские исследователи создали летучий ингибитор нитрит дициклогексиламина 12H24N2O2, защищающий хорошо черные металлы [48]. Давление пара этого соединения равно мм рт. ст. При его гидролизе, протекающем по схеме [c.181]

Для иолучения монокристаллов InSe применимы все известные методы кристаллизации полупроводниковых соединений нри небольшом давлении пара летучего компонента, такие, как направленная кристаллизация, зонная плавка, кристаллизация в печах с градиентом температур, метод химических транспортных реакций, метод [c.105]

Рис. 12. Зависимость давления пара летучего компонента от состава раствора при образовании нелетучего соединения (моносольвата) между компонентами раствора

Образование комплексов в смеси растворителей можно изучить, определяя отклонения в поведении растворов от закона Генри, вызываемые образованием связи метал.ч — донор с одним из растворителей [23, 24]. Парциальные давления паров летучих компонентов во многокомпонентной системе служат мерой нх активности. Об образовании комплексов летучего компонента можно судить на основе рассмотрения соответствующих изотерм парциальное давление — состав. В качестве примера рассмотрим раствор комплекса металла в смеси двух летучих растворителей, один из которых может образовывать комплекс с растворенным веществом, а второй инертен по отношению к растворенному веществу. Наблюдающееся понижение давления пара образующего комплекс растворителя в присутствии данного количества растворенного вещества позволяет определить степень комплексообразовання. Для этого строится зависимость парциального давления образующего комплекс растворителя от его концентрации нри заданном количестве растворенного вещества. Если кривая обнаруживает отклонение от закона Генри, количество растворителя, связанного в комплекс с. растворенным веществом, можно определить но величине смещения, получающегося при линейной экстраноляции. Пересечение экстранолиро-ванного линейного участка кривой с осью, на которой отложены концентрации растворителя, позволяет оценить значение х в формуле М хЬ, где М — растворенное вещество, а.Ь — рассматриваемый растворитель. Этот метод был использован для определения стехиометрии тетрагидрофу-рановых комплексов,литнйалюминийгидридат- соединений [c.148]

В этом случае направленную кристаллизацию проводят в герметичной емкости при различных давлениях пара летучего компонента. О достижении равновесного давления диссоциации исследуемого соединения при его температуре плавления свидетельствует фазовый анализ структуры перекристаллизова нных образцов, точнее их конечного участка (рис. 88). При давлении в системе, меньшем равновесного, этот участок неоднофазен и обогащен нелетучим компонентом (рис. 88а). Если конечный участок образца содержит газовые раковины и пузыри (рис. 886), то, следователь- [c.171]

Впервые о летучих ингибиторах атмосферной коррозии упоминается в английском патенте (принадлежащем фирме Шелл), в котором были предложены летучие соединения, содержащие ионы нитрита и органического основания. Давление паров этих соединений должно быть в пределах 0,0002—0,001 мм рт. ст. прн 2 В качестве органического основания можно использовать первичные, вторичные, третичные и четвертичные аммониевые основания, а также аналоги аммониевых осповани общей формулы КХН,у. (где К—органический радикал—алкил, циклоалкил, арил, аралкил или гетероциклическая группа X—атом фосфора, мышьяка, сурьмы, углерода, кислорода, серы, селена, олова, иода у колеблется от 2 до 4, в зависимости от валентности атома X). Примером такого соединения является нитрит триметилсульфонпя. [c.156]

При нагревании подобные соединения начинают диссоциировать, находясь в твердом состоянии. Предположим, что степенью диссоциации в твердом состоянии можно пренебречь.и что соединение удается довести до плавления, в атмосфере инертного газа или в вакууме. При температуре плавления получается не расплав и равновесные с ним кристаллы АВ, а расплав чистого компонента А и пары чистого компонента В. Такие соединения плавятся инконгруэнтно с образованием паровой фазы. Следовательно, необходимо учитывать три независимые переменные, которые полностью характеризуют систему концентрацию X, температуру Т и давление паров летучего компонента Р. Соответствующие диаграммы состояния должны быть построены в трехмерной систе- ме координат Р, Т, X. Для наглядности (а в практических случа-" ях и в силу недостаточности экспериментальных данных) пространственное изображение разлагают на ряд изобарных, изотермических и изоконцентрационных сечений и сводят к серии двухмерных диаграмм X — Т при P = onst, Р — X при r = onst и Р — Т при X= onst. [c.158]

Такое противодавление можно определить только на основе полной Р—Т— лг-диаграммы состояния, учитывающей зависимость фазового равновесия в системе как от температуры, так и от давления. Объемная Р—Т—лг-диаграмма для системы галлий — фосфор, построенная в координатах давление — температура — состав, приведена на рис. 55. Анализ трехмерной диаграммы обычно проводится рассмотрением отдельных ее сечений при Р — onst или Т = onst (Г — х-или Р — х-сечения). На рис. 108 показан ряд изобарических сечений, представляющий набор привычных Г—х-диаграмм, причем каждая из них построена при вполне определенном и постоянном давлении пара летучего компонента. В данном случае состав паровой фазы практически целиком состоит из молекул летучего компонента и поэтому кривая, характеризующая состав пара, отсутствует (она сливается с ординатой летучего компонента В). Такое допущение оправдано только для некоторых систем, в частности для систем А В , у которых в паровой фазе не было обнаружено ни компонента А, ни молекул соединения. [c.232]

Для масс-спектрометрического анализа достаточно иметь давление 10" —10" мм Hg в впусковом резервуаре. Поэтому давление паров летучих жидкостей достаточно для масс-спектрометрического анализа. Определение изотопного состава некоторых металлов удобно производить с их жидкими карбонильными или металлоорганическими соединениями. В частности, для точного определения состава свинца был применен тетра-метилсвинец, кипящий при 110 [328]. [c.123]

Зонную плавку используют для удаления атомов примесей из кристаллов простых веществ (германий, кремний, теллур, металлы), а также соединений при условии, что они плавятся без разложения (например, антимонид сурьмы, хлористый натрий [13], тройные соединения [14]). Если соединения разлагаются с выделением летучего компонента, то их все же можно подвергать зонной плавке, если предотвратить разложение, поддерживая во всей системе соответствующее давление пара данного компонента. Для этого слиток помещают в запаянную кварцевую трубку [15]. Соединение начинает диссоциировать, но образующийся при этом пар препятствует дальнейшему течению процесса. Совершенно очевидно, что температура всей трубки должна быть достаточно высоко й, чтобы не происходило конденсации летучего компонента, т. е. выше те мпературы, при которой чистый компонент имеет давление пара, равное тому, которое поддерживается в системе. Указанный метод используется для проведения кристаллизации арсенида галлия, фосфида индия [15], хлористого и бромистого серебра [16]. В более сложной установке используется двухтемпературная печь при этом давление пара летучего компонента регулируется путел нагревания в одном из концов трубки некоторого количества этого компонента до температуры, соответствующей заданному давлению пара (рис. 1.8) [17]. Необходимо принять специальные меры, чтобы поддерживаемая температура чистого компонента была самой низкой температурой системы. Такую методику применяли, например, при кристаллизации сульфида свинца, теллурида кадмия, арсенида галлия [17]. Наконец, для поддер- [c.18]

ЖИДКОЙ и твердой фаз практически совпадают. Из диаграммы (рис. 1.9) следует, что соединение АВ можно очистить зонной плавкой. Кристаллы, плавящиеся с образованием жидкости, в которой содержание компонента В больше, чем при максимальной температуре плавления, очищают зонной плавкой с выделением компонента В ( в < ) Кристаллы, при плавлении которых образуется жидкость, обедненная компонентом В по сравнению с составом при максимальной температуре плавления, очищают зонной плавкой с выделением компонента А ( д < ) В обоих случаях твердая фаза стремится достичь состава, отвечающего максимуму температуры плавления, т. е. точке m на рис. 1.9. Однако в общем случае точка т необязательно соответствует стехиометрическому составу. Все сказанное справедливо, если давление пара любого из компонентов соединения не играет никакой роли. В противном случае (как это наблюдается для разлагающихся соединений, обсуждавшихся выше) положение осложняется теперь каждой точке ликвидуса отвечает определенное давление пара летучего компонента. Если, поддерживая в системе определенное давление пара летучего компонента, удается предотвратить разложение, то система стремится сохранить состав, соответствующий этому давлению, например точке а на рис. 1.9. При зонной очистке таких соединений состав твердой фазы имеет тенденцию к сдвигу от а к Хт, причем расплав обогащается компонентом В. Однако теперь расплав больше не находится в равновесии с паром, поэтому реакция между указанными фазами (т. е. переход атомов В из расплава в пар) будет протекать до тех пор, пока снова не установится равновесие. Будет достигнуто стационарное состояние, для которого состав кристаллов оказывается промежуточным между а я т. Математический анализ зонной очистки соединений, содержащих и не содержащих летучие компоненты, проведен Ван-дер-Боомгаардом [211, а позднее Маделунгом [22]. Зонная очистка соединений без летучих компонентов не отличается от обычной очистки. Зонная плавка соединений с летучими компонентами сопровождается образованием несовершенств в кристаллах и дает возможность управлять их концентрацией, о чем подробно говорится ниже. [c.20]

Предотвращение разложения соединений обсуждалось в разделе 1.1.2, посвященном зонной очистке. Наилучший способ состоит в том, что давление пара летучих компонентов поддерживают равным давлению диссоциации. Когда оно меньше 1 атм, то это легко осуществить в запаянных или проточных системах. Если же давление диссоциации выше I атм, то следует использовать закрытые сосуды. В любом случае процессы кристаллизации с использованием вытягивания и вращения связаны с необходимостью решения лшогочисленных технических проблем. На рис. 1.12 показаны три варианта конструкций. В отпаянных трубках вытягивание и вращение выполняют с псмощью специального внешнего магнита, который определяет положение к елезного сердечника внутри кристаллизационного сосуда. Сердечник жестко связан с держателем кристалла и для предупреждения коррозии запаян в кварцевую трубку [138]. [c.37]

Для определения давления насыщенного пара летучих соединений металлов используют ряд методов. Наиболее точные результаты обычно дает статаческий метод с мембранным нуль-манометром. Этот метод применим, однако, лишь для ограниченного числа соединений, легко поддающихся глубокой очистке и способных развивать давление пара до 10 Па без заметного разложения в течение длительного промежутка [c.9]

По-видимому, ни одно из упомянутых выше летучих органических и комплексных соединений /-элементов не удовлетворяет условиям, при которых производят разделение изотопов газокинетическими методами. Давление паров этих соединений при температуре, близкой к комнатной, существенно ниже требуемого. Ближе всех к нужным пределам находятся боргидриды актиноидов (IV), особенно ргид-риды нептуния и плутония. Однако эти соединения термически крайне неустойчивы и не могут быть использованы в указанных процессах. [c.180]