Транзистор германиевый

Германий используют в качестве полупроводника в таких электронных приборах, как кристаллические выпрямители (диоды) и усилители (триоды, или транзисторы). Кристаллы германия применяют также для изготовления термисторов (измерителей температуры), Б фотоэлементах с запирающим слоем и в термоэлементах. Германиевые полупроводниковые устройства с успехом заменяют электронные вакуумные лампы, отличаясь от них компактностью, надежностью в работе и долговечностью. [c.207]

Технология извлечения германия еще более резко, чем у других рассеянных элементов, делится на два этапа. Первый этап — получение богатого германиевого концентрата (иногда это техническая окись или тетрахлорид германия). Эта часть технологии тесно связана с источниками сырья соответствующие цеха, как правило, расположены на металлургических, коксохимических и т. п. заводах. Второй этап — получение высокочистого германия. В отличие от технологии германиевых концентратов, характеризующейся большим разнообразием методов, технология высокочистого германия единообразна. Так как получить высокочистый германий можно только соблюдая требования полупроводниковой технологии (стерильная чистота помещения, кондиционирование воздуха и т. д.), то процесс чаще всего ведут на специализированных предприятиях, на которых обычно проводят и дальнейшие операции — легирование германия, выращивание монокристаллов и т. д., вплоть до изготовления диодов, транзисторов и других полупроводниковых устройств. Эти этапы технологии будут нами рассмотрены особо. [c.357]

Особенно большое применение нашел индий в стандартных германиевых транзисторах типа р — п — р. [c.62]

Чтобы не исключать из рассмотрения все редкие элементы, проведем несколько опытов с полупроводником германием. Германий стоит на границе между металлами и неметаллами. Он является полупроводником, и это свойство обуславливает его сегодняшнее широкое применение. Небольшие, специально обработанные кусочки германия используются в диодах для выпрямления электрического тока и в транзисторах в качестве усилителей тока и напряжения. Для опытов 88 возьмем два пли три испорченны.х германиевых диода [c.88]

Применение германия и его соединений. Германий — один из ценнейших полупроводниковых материалов. Его применяют в незначительных количествах во многих электронных приборах. Это германиевые кристаллические детекторы диоды как выпрямители переменного тока триоды, или транзисторы (германиевые усилители), заменяющие электронные лампы, причем срок их службы измеряется десятилетиями германиевые фотоэлементы термисторы, позволяющие определять температуры по электросопротивлению. [c.409]

Примесные полупроводники р-типа (рис. А.62, е). Внесение примесных атомов, способных быть акцепторами электронов, приводит к тому, что примесные энергетические термы находятся несколько выше валентной зоны О. Вследствие переноса электронов из валентной зоны на уровни атомов-акцепторов в валентной зоне становится возможной дырочная проводимость . (Комбинации германиевых и кремниевых полупроводников с р- и л-проводимостью применяются в транзисторах.) [c.143]

Первый Б мире германиевый транзистор создан в 1948 году, а уже через двадцать лет выпускались сотни миллионов таких приборов. [c.111]

Главная область применения германия — полупроводниковые приборы, применяемые в электронике и радиотехнике и позволяющие конструировать компактные, надежно работающие установки различного назначения. Например, так называемые транзисторы (усилители) заменяют триодные радиолампы они несравненно прочнее, так как не имеют нитей накала, требуют очень небольшую мощность — примерно в миллион раз меньшую, чем триодная лампа, п в то же время занимают гораздо меньше места если самая маленькая триодная лампа имеет объем около 2 см , то германиевый транзистор — всего 0,04 см [596]. [c.226]

Потеря выпрямляющего действия германиевых транзисторов. [c.219]

Под натиском кремния, арсенида галлия и других полупроводников германий утратил положение главного полупроводникового материала. В 1968 году в США, например, производилось уже намного больше кремниевых транзисторов, чем германиевых. [c.116]

Сердцем большинства полупроводниковых приборов считают так называемый р—п-переход. Это граница полупроводников р-тина — с дырочной проводимостью и п-типа — с электронной проводимостью. Примесь индия придает германию дырочную проводимость. Это обстоятельство лежит в основе технологии изготовления многих типов германиевых диодов. К пластинке германия п-типа прижимается контактная игла, покрытая слоем индия, который во время формовки вплавляют в германий, создавая в нем область р-проводимости. А если два шарика индия вплавить с двух сторон германиевой пластинки, то тем самым создается р—п—р-структура — основа транзисторов. [c.304]

В настоящее время сплав Аи—ЗЬ применяется при производстве транзисторов. При этом содержание сурьмы не должно превышать 1 %, так как иначе при спайке с германиевой пластинкой образуется хрупкий тройной сплав, который легко растрескивается. Наиболее хорошие результаты дает сплав, содержащий 0,3% ЗЬ и менее. [c.301]

Прогресс, достигнутый в последнее время в области автоматики, радиоэлектроники и преобразования различных видов энергии, в большой мере обусловлен применением германия в полупроводниковой технике. Он используется для изготовления полупроводниковых элементов — диодов и триодов (транзисторов), заменяющих собой обычные вакуумные радиолампы и отличающихся от них малыми размерами, устойчивостью к вибрации, долговечностью и меньшим расходом электроэнергии. Эти полупроводниковые элементы изготавливаются десятками и сотнями миллионов штук в год [П. Германиевые выпрямители по сравнению с селеновыми имеют больший коэффициент полезного действия при меньших размерах вследствие этого они находят все большее применение. Есть силовые германиевые выпрямители, пропускающие ток в десятки тысяч ампер. Применяются германиевые датчики эффекта Холла и многие другие полупроводниковые устройства [2. В последнее время большое внимание уделяется устройствам с применением монокристаллических германиевых пленок. Из элементарного германия изготавливают линзы для приборов инфракрасной оптики (германий прозрачен для инфракрасных лучей), дозиметры ядерных частиц, анализаторы в рентгеновской спектроскопии. Германий с добавкой индия применяется для низкотемпературных термометров сопротивления, работающих при температуре жидкого гелия [2]. [c.349]

Основной потребитель монокристаллического германия—радиотехника. Германиевый диод размером всего с кукурузное зерно представляет собой пластинку из германия, в которую упирается металлический усик. Он действует как выпрямитель, заменяющий вакуумную диодную лампу, превосходя ее надежностью работы, долговечностью и компактностью. Транзисторы, или германиевые триоды, имеют те же самые преимущества перед вакуумными ламповыми триодами. Действие этих приборов основано на особых свойствах полупроводников, представителем которых является свободный германий. [c.598]

К бесконтактным элементам цепей управления автоматических катодных станций и усиленных электродренажей относят кремниевые и германиевые выпрямительные диоды малой мощности, транзисторы, магнитные усилители управления, а также схемы транзисторных и комбинированных магнитно-транзисторных усилителей предварительных каскадов усиления указанных устройств. [c.56]

У приборов, разработанных до 1964 г., выпуск которых продолжается, условные обозначения состоят из двух или трех элементов. Первый элемент — буква Д—для диодов, П — для плоских транзисторов второй элемент показывает область применения приборов плоскостные германиевые диоды — 301—400, плоскостные кремниевые— 201—300, мощные германиевые низкочастотные транзисторы — 201—300, мощные кремниевые низкочастотные транзисторы — 301—400 и стабилитроны — 801— 900. [c.57]

В схеме (рис. 151) можно выделить три узла БУВ преобразователя напряжения Я, магнитного усилителя МУ к блокинг-генераторов БГ1 и БГ2. Основными элементами преобразователя Я являются два стабилитрона, блокинг генератор на германиевых триодах (транзисторах) и трансформатор с насыщающимся сердечником. Магнитный усилитель МУ обеспечивает сдвиг управляющих импульсов. Сигнал управления 1у из селективного узла является током управления МУ. Рабочая обмотка МУ питается от преобразователя напряжения Я. Напряжение на выходе магнитного усилителя 1У у зависит от тока управления у. Передний фронт напряжения, которым определяется момент подачи управляющего импульса на УВМ, перемещается в зависимости от величины у. [c.184]

В. И. Михайлов и соавт. [с.215,№ 176] для одновременного наблюдения катодного и анодного процесса на осциллографическом полярографе типа ПО-5122 предложили схему, позволяющую получать вместо пилообразных импульсов треугольные. Схема собрана на базе германиевого диода, транзистора конденсаторов и сопротивлений. [c.9]

Вновь открытый элемент в честь своей родины Винклер назвал германием. Открытие германия явилось триумфом Периодического закона и Периодической системы элементов Д. И. Менделеева. Но Менделеев не мог предвидеть того громадного интереса, который вызвал этот элемент спустя три четверти века после его предсказания. В 1945 г. впервые был создан германиевый диод с высоким обратным напряжением, а через три года — транзистор из германия. Этому предшествовала огромная работа по изучению свойств этого элемента, и в настоящее время германий является одним из самых хорошо изученных химических элементов. Особенно подробно изучены электрофизические свойства германия в зависимости от способа получения, термообработки, наличия примесей и т. п. [c.92]

Германиевые д и о д ы—-радиотехнические приборы, в которы.х кристаллы германия Б сочетании с другими металлами служат выпрямителями тока в германиевых триодах, или транзисторах, кристаллы германия являются усилителями тока. [c.195]

В 1953 г. Брэдли , Тили и Уильямс описали конструкцию и электрохимический метод изготовления германиевого высокочастотного транзистора, так называемого поверхностно-барьерного триода. Это был первый транзистор плоскостного типа, который мог работать [c.154]

Эффективность покрытий проверялась при проведении диффузии мышьяка, сурьмы и фосфора. Так, при диффузии мышьяка при 700° С в течение 2 час. была достигнута поверхностная концентрация 1020 атом/см 3 на незащищенной части поверхности германиевой пластины, в то время как не наблюдалось изменения сопротивления на защищенной поверхности. Изложенный метод получения диффузионных масок используется в производстве германиевых транзисторов. [c.427]

Покрытия из благородных металлов используются не только для отделки, по и для улучшения эксплуатационных характеристик изделий. Эти покрытия, как правило, имеют высокую стойкость против коррозии в агрессивных средах, сопротивление механическому и электроэрозионному износу, высокую отражательную способность и низкое удельное сопротивление [07]. В радиоэлектронике серебрение и золочение токонесущих деталей применяется для улучшения поверхностной электропроводности и максимального снижения переходного сопротивления в местах контактов. В производстве транзисторов, имеющих хрупкую и тонкую обкладку из кремния, для нринаивания контактов используется сплав золота с добавкой 0,5% сурьмы. Германиевая пластинка без всякого флюса припаивается к коваровому диску, покрытому сплавом Аи—Sb или Аи—In (0,5—1,0% In). В области низкочастотных коммутирующих устройств нашли применение золото-никелевые сплавы, содержащие 0,5—2% никеля. В производстве печатных схем также находят применение золото-серебряные сплавы, содержащие 1—3% серебра. В электронной технике особое значение имеет получение покрытий из золота с добавкой кобальта, которые отличаются большим сроком службы в условиях высокотемпературных режимов. Электролитически осажденные пленки таких редких металлов, как германий, таллий, галлий, индий, необходимы в полупроводниковой технике 167]. [c.378]

К теории германиевых выпрямителей и транзисторов. [c.242]

Германиевые транзисторы с р — п переходами. [c.243]

В качестве полупроводниковых датчиков температуры могут быть использованы также полупроводниковые диоды и транзисторы. При постоянном значении тока, протекающего в прямом направлении через переход транзистора, изменение напряжения на переходе практически линейно меняется с температурой. Датчиками могут быть как германиевые, так и кремниевые транзисторы. [c.183]

Индий эффективно применяется за рубежом в радиоэлектронике и полупроводниковой технике. Он является неотъемлемой составной частью германиевого транзистора, в котором он выполняет очень ответственную роль. Индий применяют при изготовлении Гфмание-вых кристаллических выпрямителей и усилителей как примесь, создающую дырочную проводимость в германии. [c.62]

З.а последние (ГОДы разр-аботано М(Н0Г0 новых типов германиевых детекторов. (Особый интерес для техники представляет кристаллический триод (транзистор), разработанный в 1948 -г. [c.99]

Кремний (Si)—элемент темно-серого цвета с енневатым оттенком. Открыт в 1811 г. Ж. Гей-Люссаком и Л. Тернаром. Полупроводниковые свойства кремния выявлены и использовались еш,е до второй мировой войны. Однако со времени создания германиевого транзистора (1948 г.) применение кремния временно сократилось, так как германий высокой чистоты получить в чистейшем виде оказалось проще, чем кремний. Производство высокочистого кремния для полупроводниковых приборов [c.203]

Обратные ветви ВАХ Си1п5е2 — У аналогичны некоторым кремниевым н германиевым точечно-контактным диодам, что представляет интерес для изготовления высоковольтных диодов и транзисторов на основе Си1п5е2. [c.333]

Чтобы не исключать из рассмотрения все редкие элементы, проведем несколько опытов с полупроводником германием. Германий стоит на границе между металлами и неметаллами. Он является полупроводником, и это свойство обуславливает его сегодняшнее широкое применение. Небольшие, специально обработанные кусочки германия используются в диодах для выпрямления электрического тока и в транзисторах в качестве усилителей тока и напряжения. Для опытов возьмем два или три испорченных германиевых диода или транзистор из негодного радиоприемника. Так как в последнее время в полупроводниковых элементах стали использовать неметалл кремний, необходимо посоветоваться со специалистом и убедиться, что наша проба действительно содержит германий. Осторожно вскроем клещами оболочку элемента. В глубине мы увидим блестящий кристаллик германия. Извлечем его тонкой отверт- [c.75]

Одной из разновидностей активных элементов, в технологии изготовления которых нашло широкое применение напыление металлов в вакууме, являются меза-тран-знсторы, или транзисторы с диффузионной базой. В качестве исходного материала для их изготовления часто служат тонкие германиевые пластинки, обладающие проводимостью типа р. С одной стороны пластинки методом диффузии создается тонкий слой германия типа п и образуется базовый диффузионный р-п переход. [c.68]

Б — батарея аккумуляторов СЦ-25 Д — датчик частоты (генератор) V — вольтметр на 7,5 в для контроля напряжения аккумулятора Я, — выключатель то,, и-г — катушка вибратора Тр,, Трг — входной и выходной трансформаторы усилителя мощности С,, С,, С —электролитический конденсатор Сг — бумажный конденсатор В,, В — выпрямитель Р — разъем для присоединения к прибору Н373-3 Став, П4Б — германиевый транзистор Л, — реохорд 5 ом.-, Л, — сопротивление 10 ком П, — сопротивление 1,6код1. [c.126]

В качестве примера положения дела обеспечения надежности полупроводниковой аппаратуры приведем опубликованные данные по оборонной промышленности США [9], [10]. Научные работы в этой области опираются на статистические методы, причем изучается интенсивность отказов приборов в процентах на 1000 часов работы. Согласно данным фон Алвена (корпорация ARIN ) [9, стр. 12] в результате дрейфа параметров средняя интенсивность отказов в 1961 г. по маломощным германиевым и кремниевым транзисторам и диодам колеблется в пределах от 0,02 до 0,5% (на 1000 часов). Проверка надежности приборов в пределах таких технических условий требовала хотя и больших, но терпимых (экономически оправдываемых) расходов в миллионах долларов. Но в 1962 г. в опубликованных фирмой Боинг данных по ракете Минитмен (доклад Виддич и Бартоломеу [10], стр. 423) сообщалось, что для наземного оборудования ракеты.содер-жащего 4000 электронных элементов, исходя из принципа современные системы оружия требуют высокой надежности , были введены технические условия интенсивности отказов отдельных элементов порядка [c.452]

Получение и очистка 1фемния. Кремний как полупроводник открыт и использован раньше германия. Со времени создания германиевого транзистора (1948 г.) применение кремния приостановилось, так как германий получить в чистейшем виде гораздо проще, чем кремний. Однако с конца 50-х годов кремний становится ведущим полупроводниковым материалом благодаря открытию бестигельной зонной очистки кремния (1958 г.). В настоящее время кремний—самый главный полупроводниковый материал как для создания дискретных приборов, так и в области микроэлектроники. [c.103]

Первоначальным импульсом к развитию процессов ХОГФ эпитаксиальных пленок кремния и германия послужила необходимость улучшения характеристик биполярных кремниевых и германиевых транзисторов. Впоследствии кремниевые эпитаксиальные структуры (монокристаллическая кремниевая подложка с одним или несколькими эпитаксиальными слоями, отличающимися типом проводимости и удельным сопротивлением (степенью легирования)) оказались незаменимыми дпя производства высококачественных микропроцессоров и устройств памяти по КМОП технологии. Эпитаксиальные структуры позволяют получать [28, 29] [c.107]

Применение. Основным потребителем Г., как полупроводника, являются радио- и электротехника, где его используют для изготовления кристаллич. выпрямителей (диодов) и усилителей (транзисторов), к-рые нашли широкое применение в радиоприемниках, счетно-решающих устройствах, телевидении, радиолокации, электролизе и т. д. Монокристаллич. Г. может быть использован для дозиметрии радиоактивных излучений и в качестве преобразователя световой эпергии в электрическую. Однако для солиечногс> света германиевые фотоэлементы имеют значительно более низкий кпд, чем кремниевые. Подобно нек-рым другим полупроводникам, Г. применяют для изготовления термометров сопротивления термо.метры с германиевым мостом весьма устойчивы при темн-рах, близких к абсолютному нулю. Одной из важных областей применения Г. является инфракрасная техника, поскольку он способен пропускать инфракрасное излучение. Высокий показатель преломления Г., по сравнению с Na l, обусловливает меньшую кривизну оптич. поверхностей. Инфракрасная оптика из Г., благодаря коррозионной устойчивости последнего, невосприимчива к атмосферным и темп-рным [c.431]

Такой способ введения поглотителя влаги был проверен па тянутых германиевых транзисторах и дал положительные результаты. В качестве дисперсионной среды вместо полимстилсилоксана может быть использован и ряд других кремпийоргапических соединений. Концентрация щелочного металла в растворе составляет 1,5—50%. [c.451]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология