Электроника полупроводниковая

Применение кремния и его соединений. Кремний — ведущий современный полупроводниковый материал, который широко применяется в электронике и электротехнике для изготовления интегральных схем, диодов, транзисторов, тиристоров, фотоэлементов и т. д. Технический кремний — легирующий компонент в производстве стали (например, трансформаторная сталь), [c.213]

В современных отраслях техники — ядерной энергетике, квантовой электронике, полупроводниковом материаловедении и т. п.— требуются материалы значительно более высокой степени чистоты. Такие особочистые вещества можно получить только с помощью специальных физико-химических методов очистки, основанных на [c.46]

Алюминий высокой степени чистоты используют в ядерной энергетике, полупроводниковой электронике, радиолокации, для изготовления отражающих поверхностей рефлекторов и зеркал. В металлургической промышленности алюминий применяется в качестве восстановителя при получении ряда металлов (алюминотермия), раскисления стали, для сварки отдельных деталей. [c.16]

Л. И. Брежнев говорил Нашу сегодняшнюю экономику невозможно представить без атомной энергетики, электроники, производства вычислительной техники, полупроводниковых материалов многих других отраслей индустрии, которых в 1936 г. у нас не было. В общем объеме промышленного производства доля отраслей, определяющих технический прогресс и эффективность народного хозяйства, более чем утроилась . [c.58]

Основой современной полупроводниковой электроники является двойственный характер проводимости — электронный и дырочный. Механизм проводимости за счет отрицательно заряженных частиц- [c.8]

Существенное значение имеют достижения аналитической химии в развитии отраслей промышленности и народного хозяйства, связанных с новой техникой — применением атомной энергии, развитием ракетостроения и промышленности жаропрочных сплавов, электроникой и промышленностью полупроводниковых материалов. Аналитическая химия не только обеспечила эти области эффективными методами анализа, но и послужила основой разработки многих новых технологических процессов. [c.8]

В качестве присадок к германию и в виде интерметаллических соединений с мышьяком и с сурьмой галлий и индий применяются в полупроводниковой электронике. [c.403]

Ядерная энергетика, ракетостроение, авиация, электроника и другие области современной техники побуждают к поискам новых материалов, выдерживающих высокие и низкие температуры, устойчивых к агрессивным средам, негорючих и не-воспламеняющихся, обладающих особыми свойствами, например полупроводниковыми, каталитическими и др. [c.267]

Успешно разрабатываются и синтезируются новые полимерные материалы с ценными свойствами, такими, как высокая термостойкость, полупроводниковые свойства и др., способствующие прогрессу в области электроники, электротехники, радиотехники, автоматики, телемеханики и т. п. Постоянно расширяется ассорти.мент высокомолекулярных соединений и композиций на их основе, способных сохранять приданную им в определенных условиях форму и обладать достаточной механической прочностью при эксплуатации. [c.328]

Для оценки концентрации и поведения примесей в кристаллах изучение электрических свойств твердых веществ также играет важную роль. Если в металлах примеси несколько снижают электрическую проводимость (за счет увеличения рассеяния носителей тока и, следовательно, снижения их подвижности), то в полупроводниках ничтожные количества примеси (порядка 10" —10 %) резко увеличивают электрическую проводимость. Именно благодаря успехам в изучении полупроводниковых материалов стало возможным получение сверхчистых веществ, без которых немыслимо развитие ряда современных областей техники (полупроводниковой электроники, атомной энергетики и др.). [c.318]

Применение р-элементов III группы. Свободный бор применяют в разных областях техники. Электроника использует электрическую проводимость бора при низких температурах электронную (табл. 13.3), при высоких — полупроводниковую, которая возникает за счет диссоциации ковалентных связей в кристаллах бора при нагревании. [c.403]

Кинетика и механизм диффузионных процессов представляют огромный интерес для полупроводниковой электроники, техники квантовых оптических генераторов, процессов изготовления микроминиатюрных устройств, твердых и пленочных схем. Изготовление активных элементов полупроводниковых схем и р—/г-переходов (см. гл. IX) основано на диффузии легирующих примесей в полупроводниковый монокристалл из газа или расплава. Этот процесс сводится к налета-нию молекул (атомов) из газовой фазы и к диффузии их внутрь кристалла. Второй процесс медленнее первого. А так как диффузия примесей протекает по уравнениям первого порядка, то весь процесс псевдо-мономолекулярный. Таков же характер процесса травления полупроводника, если диффузионная стадия самая медленная. В этих случаях особую роль играет закон анизотропии кристаллов (см. гл. IV), так как диффузия в кристаллах идет с разной скоростью в разных направлениях. Скорость роста кристаллов, скорость окисления кислородом, скорость травления зависят от того, какая грань подвергается воздействию. Например, доказано 178], что различные грани кристаллов вольфрама обладают разной активностью по отношению [c.49]

Исследовательские работы с введением скандия в сплавы, чугуны и стали показали существенное улучшение их свойств, в частности, жаропрочности и твердости. Установлено, что скандий — хороший модификатор железа и алюминия [4]. Практическое применение в металлургии может получить и карбид скандия, резко повышающий твердость карбидов титана [51. Скандий рассматривается также как материал, который можно использовать в качестве добавок в квантовомеханических усилителях — лазерах. Проводятся работы по изысканию возможностей применения соединений скандия в полупроводниковой технике, радиотехнике, электронике и светотехнике (в качестве активаторов фосфоров), а также в стекольной промышленности для создания новых видов оптических стекол [61. Известны исследования о возможности применения скандия в ядерной технике для термоионных преобразователей, высокотемпературных нейтронных замедлителей, конструкционных материалов, специальных огнеупорных материалов и т. д. Возможно использование его в качестве активатора в портативных источниках жесткой радиации [7]. [c.15]

Полупроводниковый лазер. Применение в квантовой электронике полупроводников привлекательно тем, что открывает возможность осуществления непосредственного преобразования энергии электрического тока в энергию когерентного излучения в широком диапазоне от ультрафиолетовых волн до миллиметровых. Для получения состояния с отрицательной температурой в полупроводнике могут быть использованы различные переходы электронов между валентной зоной и зоной проводимости, межДу зоной и примесными уровнями, между примесными уровнями. [c.523]

Интересы электроники, электро- и радиотехники, вакуумной техники, технологии производства радиоаппаратуры, полупроводниковых приборов и приборов автоматики и телемеханики требуют от химической науки и промышленности создания новых веществ с комплексом свойств, которыми не обладают природные вещества. Необходимы новые конструкционные материалы, высококачественные диэлектрики, химически чистые реактивы и особо чистые вещества. Требуется увеличить объем производства и ассортимент полупроводников, фотокиноматериалов, люминофоров, ферромагнетиков, жаростойких и жаропрочных материалов, монокристаллов, лазерных материалов, искусственных камней (алмазов, рубинов и др.) и т. д. [c.503]

В современных отраслях техники — ядерной энергетике, квантовой электронике, полупроводниковом приборостроении и т.п. — требуются материалы значительно более высокой степени чистоты. Такие особо чистые вещества можно получить только с помощью специальных физико-химических методов очистки, основанных на различном содержании примесей в сосуществующих фазах. Методами сублимации, экстракции, хроматографии, направленной кристаллизации, зонной плавки удается получить вещества, которым присваивается квалификация "особо чистый" (ос.ч). Для характеристики таких материалов используется не общее содержание примесей, а содержание так называемых анапизируемых примесей. При этом число анализируемых примесей достаточно велико 10 — 20, а иногда и более. В маркировке ОСЧ-материала указывается количество анализируемых примесей и их общее содержание. Например, мышьяк маркировки ОСЧ10-5 означает, что в материале определено содержание 10 примесей, а их суммарное количество — 10 масс.доли, %, т е. содержание основного вещества 99,99999%. [c.255]

Для квантовой электроники, полупроводниковой техники, электрвтех-нической и светотехнической промышленности предстоит изыскать и разработать новые высокоэффективные химические вещества и материалы и внедрить их в производство. [c.166]

Итак, химическая промышленность достигла немалых успехов, но предстоит сделать еще больше. Развивающаяся промышленность нашей страны требует все новых и новых синтетических материалов — следовательно, химики должны значительно расширить ассортимент продукции. Нужны новые сверхчистые реактивы, нужны новые красители и полупродукты, нуншы новые материалы для космической техники, полиграфии, радиоэлектроники, квантовой электроники, полупроводниковой техники, электротехнической и светотехнической промышленности. [c.167]

Крайне актуальной остается проблема получения высокочистых алмазов типа Па и ПЬ для использования в лазерной оптике, электронике и полупроводниковой технике. Изучены процессы роста высокочистых алмазов типа Па и ПЬ методом температурного градиента под давлением, получены кристаллы весом до 5 карат. Измерено удельное электросопротивление допированных бором [c.20]

Селен — типичный полупроводник. Важным свойством его как полупроводника является резкое увеличение электрической проводимости при освещении. На границе селена с металлическим проводником образуется запорный слой — участок цепи, способный пропускать электрический ток только в одном направлении. В связи с этими свойствами селен применяется в полупроводниковой технике для изготовления выпрямителей и фотоэлементов с запорным слоем. Теллур — тоже полупроводник, но его применение более ограничено. Селениды и теллуриды некоторых металлов также обладают полупроводниковыми свойствами и применяются в электронике. В небольших к личествах теллур служит легирующей добавкой к свинцу, улучшая его мехп шческие свойства. [c.468]

В последние годы развитие химического эксперимента происходит в направлении не только его соединения с педагогической техникой (проекционной аппаратурой), но и с электроникой в направлении максимального сокращения времени для подготовки демонстрационных и лабораторных опытов (про-цессоризация химического эксперимента) . В этом плане для сборки и конструирования приборов по химии применяются радиотехнические материалы (монтажные провода, пластмассы и пластики, металлы и сплавы) и полупроводниковые детали (диоды, транзисторы, конденсаторы, резисторы). Все это позво- [c.152]

Развитие химии и химической промышленности является обязательным условием построения материально-технической базы коммунизма в нашей стране. вpeмeннaя химия играет весьма заметную роль в развитии микроэлектроники, электроники твердого тела, в технологии изготовления радиоаппаратуры, автоматических и вычислительных устройств, полупроводниковых и вакуумных приборов. Вследствие этого знание основ химии имеет не только общенаучное и методологическое значение, но и специальное значение для инженеров. [c.5]

Быстрое развитие новых отраслей техники (атомная энергетика, полупроводниковая электроника, жаропрочные материалы) требует производства очень чистых металлов. О необходимой степени чистоты материалов, применяемых в ряде специальных случаев, можно судить по используемому для их оценки способу выражения концентрации — число атомов примеси на 10 атомов основного металла (р. р. т. — parts per million, т. e. число частей на миллион). [c.101]

В технике широко применяются арсенид, в меньшей степени фосфид и антимонид галлия, а также твердые растворы арсенида с фосфидом галлия или этих галлиевых соединений с аналогичными соединениями алюминия и индия. Они используются для изготовления разнообразных полупроводниковых устройств — выпрямителей, транзисторов, детекторов ядерного излучения, приборов, использующих эффект Холла, и т. п., а также лазеров [80], Сейчас широко начинают применяться люминесцентные источники света в виде полупроводниковых диодов. Отличаясь малой инерционностью, они легко сочетаются с другими элементами электронных схем. На этой основе развивается новое направление электроники — оптикоэлектроника. С помощью фосфида галлия получают источники зеленого и желто-зеленого светов твердые растворы фосфида с арсенидом дают свечение от желтого до красного. Арсенид и антимонид галлия дают инфракрасное излучение 0,85—0,90 и 1,6 мкм соответственно. На основе арсенида галлия и других материалов этой подгруппы работают лазеры как для видимой, так и для инфракрасной областей спектра. Из других полупроводниковых соединений галлия начинает входить в практику селенид GaSe [80]. [c.245]

Особое место в развитии методов спектрального анализа занимает анализ веществ высокой чистоты, значение которого в различных областях техники и науки постоянно возрастает. Это радиоэлектроника, особенно полупроводниковая техника, квантовая электроника, космическая и квантовая техника, новые системы преобразования энергии, производство химических реактивов и др. Содержание п И1месей в ряде. материалов не должно превышать 10" —10 % и ниже. Для решения такой задачи привлекаются различные методы аналитического контроля, однако методы спектрального анализа обладают рядом преимуществ, например доступностью и простотой эксплуатации спектральных установок наряду с возможностью определения большого числа элементов одновременно, низкими пределами обнаружения н допустимой для этих объектов точностью анализа. [c.195]

Применение элементов подгруппы германия и их соединений. Германий является одним из основных полупроводниковых материалов, используемых в современной технике. В 1948 г. Бардин, Браттайн и Шоттки на основе особо чистого монокристаллического германия разработали первый полупроводниковый триод (транзистор). С этого момента начинается развитие полупроводниковой электроники, которая, в свою очередь, стимулировала интен- [c.231]

Со многими металлами 5Ь и образуют интерметаллические соединения, многие из них обладают хорошими полупроводниковыми свойствами (1п5Ь и т. д.) и нашли широкое применение в электронике. Для электроники требуется очень высокая чистота металлов, поэтому они подвергаются дополнительной специальной очистке. Сами по себе 5Ь и В обладают сравнительно малой электрической проводимостью. [c.425]

Большой интерес представляют редкоземельные ферриты (гранаты), сочетающие полупроводниковые, диэлектрические и ферромагнитные свойства (микроволновые передатчики, резонаторы и т. д.). Особое внимание уделяется иттриево-железным гранатам типа ЗУзОз- бРе Оз, являющимся ценным материалом для магнитных сердечников в микроволновой и телевизионной аппаратуре [23]. Алюмо-иттрие-вые гранаты имитируют бриллианты [3]. Разнообразие магнитных свойств редкоземельных металлов и их сплавов представляет несомненный интерес с точки зрения использования их в электронике [2]. Окислы тяжелых РЗЭ применяются в запоминающих устройствах электронно-вычислительных машин [3]. Большое значение РЗЭ приобретают как полупроводниковые материалы. Принципиально возможно получить большое число соединений РЗЭ с 5е, Те, 5, 5Ь, В и др., имеющих широкий набор полупроводниковых свойств [13, 2]. [c.89]

Комбинации диодов и транзисторов в одной монокристалли-ческой пластине кремния стали основой так называемых интегральных схем [17, на использовании которых базируется развитие электронно-вычислительной техники. Непрерывное совершенствование методов создания р—п-переходов и использование новых материалов способствует повышению надежности полупроводниковой электроники [17—19]., [c.464]

Кинетика и механизм диффузионных процессов представляют огромный интерес для полупроводниковой электроники, техники квантовых оптических генераторов, процессов изготовления микроминиатюрных устройств, твердых и пленочных схем. Изготовление активных элементов, полупроводниковых схем п р— -переходов основано на диффузии легирующих примесей в полупроводниковый монокристалл из газа или расплава. Этот процесс сводится к налетанию молекул (атомов) из газовой фазьг и к диффузии их внутрь кристалла. Второй процесс медленнее первого. А так как диффузия примесей протекает по уравнениям первого порядка, то весь процесс псевдо-мономолекулярный. Таков же характер процесса травления полупроводника, если диффузионная стадия самая медленная. В этих случаях особую роль играет закош анизотропии кристалов, так как диффузия в кристаллах идет с разной скоростью в разных направлениях. Скорость роста кристаллов, скорость окисления кислородом,, скорость травления зависят от того, какая грань подвергается воздействию. Например, доказано, что различные грани кристаллов вольфрама обладают неодинаковой активностью по отношению к кислороду и разной способностью эмитировать электроны при нагревании между этими свойствами наблюдается коррелятивная зависи.мость. Медь быстрее всего окисляется в направлениях, перпендикулярных граням кубических кристаллов. Обнаружено,, что внутреннее строение пленки СигО определенным образом ориентировано по отношению к поверхности кристаллов меди, что называется явлением эпитаксии. [c.61]

Одним из актуальных направлений развития технологии и материаловедения полупроводников является создание и изучение низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур, находящих все более широкую практическую реализацию в устройствах современной электроники. [c.157]

Эти три квалификации охватывают все реактивы общего назначения. Препараты более высокой очистки ( особой чистоты ) предназначены лишь длн специальных целей, когда даже миллионные доли процента примеси являются совершенно недопустимыми. Основные нотребитеди таких препаратов — промышленность полупроводниковых материалов, радиоэлектроника, квантовая электроника. Совершенно недопустимо и бессмысленно использовать дорогие вещества особой чистоты для выполнения рядовых аналитических и научных работ. [c.10]

Углеграфитовые материалы получили широкое распро,-странение в различных отраслях промышленности — металлургической, химической, электротехнике, их используют как конструкционные и строительные материалы, в новой технике — электронике, атомной энергетике, полупроводниковой, ракетной технике, в маШино-, авиа- и аппаратостроении. По отдельным видам материалов и изделий опубликовано довольно много справочной литературы. Однако разобщенность публикаций затрудняет их использование. В связи с, этими обстоятельствами появилась большая потребность в справочном руководстве, в котором были бы собраны все необходимые данные об углеграфитовых маз риадв-х-тт разнообразных изделиях, выпускаемых в настоящее время отечественной промышленностью. [c.5]

ИНДИЯ ОРТОФОСФАТ 1пР04, ( л 1600 °С. (разл >1800°С раств. в воде, концентриров. минер, к-тах. Получ. взаимод. Н3РО4 со слабокислыми р-рами солей 1п +. Добавка к стеклам спец. назначения и зубным цементам. ИНДИЯ СЕСКВИОКСИД ТпгОз, светло-желтые крист. ( л 1910 °С, (кип ок. 3300 °С не раств, в воде, раств. в разбавл. к-тах при нагревании. Получ. прокаливанием 1п(ОН)з или In(NOs)3. Примен. основа прозрачных электропроводящих пленок на стекле в смеси с Ag — для электрич. контактов в радиотехнике и электронике компонент стекол, поглощающих тепловые нейтроны чистый И. с.— перспективный полупроводниковый материал. [c.220]

СВИНЦА СУЛЬФИД РЬЗ, черные крист. г л1114°С, (,озг 1281 °С не раств. в воде. Примен. в произ-ве РЬ полупроводниковый материал в электронике и радиотехнике. [c.519]

Б. г. (кроме Не) получают как побочные продукты при произ-ве N2 и О2 из воздуха Гелий выделяют из подземных гелионосных газов. Используют Б. г. в кач-ве инертной среды в металлургии, атомной и ракетной технике, в произ-ве полупроводниковых материалов и др., как наполнитель в электронике, электротехнике и др., рабочее в-во в лазерной технике. [c.297]

Получают 1П2О3 прокаливанием нитрата или гидроксида 1п, в виде пленок распылением индия в присут. О2, термич. разложением паров ацетилацетоната 1п и др. 1п20э основа прозрачных электропроводящих пленок (обычно легированных 8п02) на стекле, слюде, лавсане и др. материалах, используемых для изготовления жидкокристаллич, дисплеев, электродов фотопроводящих элементов, высокотемпературных топливных элементов, резисторов и др., в смеси с AgO материал электрич. контактов в радиотехнике и электронике компонент шихты спец. стекол, поглощающих тепловые нейтроны перспективный полупроводниковый материал. [c.231]

Применеиие. К.-один нз осн. полупроводниковых материалов в электронике. Приборы на его основе могут работать при т-рах до 200 °С. Его используют для изготовления интегральных схем, диодов, транзисторов, солнечных батарей, фотоприемников, детекторов частиц в ядерной физике и др., а также линз в приборах ИК техники. В металлургии К. применяют как восстановитель (для получения силико-марганца, силикоалюминия и др.), при произ-ве ферросилиция, для раскисления-удаления растворенного в расплавленных металлах кислорода. К.-компонент электротехн. н др. сталей, чугунов, бронз, силуминов. К. и его соед. используют для получения кремнийорг. производных и силицидов ряда металлов. а-81 Н применяют для изготовления солнечных батарей, полевых транзисторов и др. [c.509]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология