Монокристаллы чистые, переход

Впрочем, этот переход для чистых монокристаллов олова выражен, разумеется, отнюдь не так ярко, как для чистого цинка при температурах ниже Тд монокристаллы чистого олова становятся менее деформируемыми, однако не дают зеркальных сколов по плоскостям спайности, как это имеет место для цинка. [c.214]

Переход монокристаллов чистого висмута из металлического состояния в полупроводниковое при высоком давлении. [c.187]

Наконец, следует заметить, что шлифование и механическое полирование способны вызвать фазовые превращения. Например, в нержавеющей стали 18 8 около 90 /о аустенита в слое 2,5 X 10 см толщиной переходит в феррит, и еиз.менный аустенит появляется только на 4 X X 10 см ниже [159]. Шлифование монокристалла чистого железа шлифовальной бумагой 0000 также вызывает появление на поверхности у-фазы, которое указывает на то, что температура при этом достигает более 900° С, вслед за тем наступает почти мгновенное охлаждение [160]. [c.73]

Для чистых монокристаллов переход из нормального в сверхпроводящее состояние происходит в очень узком температурном интервале. Так, для монокристалла чистого олова этот интервал составляет около 0,001°. Для поликристаллических образцов, а также образцов с примесями температурный интервал перехода более широк. Обнаружено, что для нагартованной танталовой проволоки переход из сверхпроводящего состояния в нормальное совершается по З-образной кривой значительной ширины (кривая зависимости сопротивления от температуры). Кривая может быть хорошо описана интегралом вероятности. [c.379]

Другое исследование было проделано при тех же температурах и давлениях с химически чистым монокристаллом N 0 строго стехиометрического состава. Изменение электросопротивления оксида никеля с увеличением давления уменьшается скачками, между которыми оно почти не меняется. При давлении, немного большем 200 ГПа, электросопротивление уменьшается сразу от значения порядка 10 Ом до значения менее чем Ю Юм. Очевидно, здесь монокристалл оксида никеля переходит в металлическое состояние. [c.162]

Максимальную скорость растворения имеет грань (110). Поверхность грани (100) выявляется четко, а грани (111) и (ПО) плавно переходят к соседним. Аналогичная зависимость скоростей растворения от направления в кристалле получена и на монокристаллах КС1 и КВг, выращенных из химически чистых солей по методу Киропулоса. [c.182]

На рис. 5. 12 приведен спектр поглощения монокристалла о-ксилола при 20°К в поляризованном свете. Сдвиг спектра кристалла относительно спектра паров составляет 420 см в длинноволновую сторону. Чисто электронному переходу в спектре кристалла соответствует дублет резко поляризованных полос [c.229]

Особенностью электрических свойств твердых органических веществ является то, что в большинстве случаев их проводимость мала эти вещества относятся обычно к классу изоляторов или полупроводников. Исключение представляют вещества, у которых химическая ненасыщенность распространяется вдоль кристалла таким образом, что движение электронов происходит как бы внутри одной гигантской молекулы. Такого типа металлические свойства имеет графит по двум направлениям, хотя в третьем направлении он представляет собой молекулярный кристалл, являясь предельным членом в ряду ароматических углеводородов с постепенно возрастающим числом гексагональных колец. Электропроводность в направлении, параллельном молекулярным плоскостям, в этом случае в 100 раз больше, чем в перпендикулярном направлении. При проведении опытов на чистых монокристаллах при низких температурах удалось установить, что это соотношение увеличивается еще во много раз. Оптическая прозрачность монокристаллов, скажем, при 4°К для света, возможно даже в видимой части спектра, поляризованного в плоскости, перпендикулярной молекулярным плоскостям, также должна быть относительно большой, если в основном и возбужденном состояниях электроны совершают движение по я-орбитам. Такого типа переходы между основным и возбужденным состояниями еще не удалось наблюдать, так как обычно они замаскированы другими переходами разных типов. [c.660]

ЖИТЬ, какая часть внутренней поверхности катализатора эффективно использовалась в процессе катализа (см. также разд. 4.4.3). Но наиболее далеко идущие выводы из применения оптической микроскопии были сделаны в работе Гуотми и Каннингема [3, 472—475], посвященной изучению изменений структуры поверхпости в ходе каталитической реакции. По причинам, которые до сих пор остаются еще в значительной мере неясными, при использовании монокристалла меди в качестве катализатора для реакции водорода с кислородом при температуре 400° все грани чистых (99,999%) кристаллов меди перестраиваются, образуя грани, расположенные параллельно плотноупакованным плоскостям 111 . Используя сферический монокристалл меди, Гуотми и Каннингем смогли также установить, что каталитическая активность изменяется при переходе от одной грани к другой и что во время катализа наблюдается медленное образование порошкообразной меди (подобно описанному ранее [476] эффекту). [c.143]

Здесь следует отметить, что схематические представления, подобные изображенным на рис. 17.9, основаны на предположении о бесконечных размерах кристалла без ограничивающей его повер.хности и без внутренних дефектов структуры. Однако на самом деле любой образец металла имеет границы, а большинство образцов состоит из огромного числа крошечных кристалликов, в которых имеются дефекты. Эти кристаллики соприкасаются своими внешними гранями, и их поверхности потенциальной энергии претерпевают большие изменения при переходе нз одного кристаллика в другой. Наличие примесей и дефектов кристаллической структуры та кже приводит к искажениям формы потенциальных поверхностей. Вследствие этого во многих случаях свойства реального кристалла в большой мере определяются характером его внешних граней, дефектами структуры и наличием примесей, чем видом поверхностей потенциальных энергий чистого монокристалла. Однако вое указанные эффекты можно интерпретировать как деформации потенциальных поверхностей идеального кристалла, делая соответствующие допущения о характере таких деформаций. Так, например, известно, что почти все примеси снижают электропроводность чистого металла сопротивление меди увеличивается почти на 200% при введении в нее 2 мол.% никеля. [c.521]

Границей электролитического восстановления СеОз является граница существования а-фазы [5, 6]. В восстановленных кристаллах электроны проводимости локализованы в вакансиях кислорода, переход ионов церия в трехвалентное состояние не обнаружен. Мы не обнаружили также ионов Рг " , тогда как ионы ТЬ в наших кристаллах присутствовали. Очевидно, в структуре а-фазы конфигурация 4/ не осуществляется. Ионы Рг " являются донорами электронов, заселяющих вакансии кислорода. Подобрав донорную примесь, мы получили монокристаллы и керамические образцы СеОз, обладающие чисто электронной проводимостью, устойчивой в воздушной атмосфере до 1500°. [c.98]

Аналогичная последовательность получается и при расчете для перехода в раствор и других силикатов. Последнее обстоятельство позволяет утверждать, что влияние отдельных окислов на химическую устойчивость керамических материалов в воде может быть охарактеризовано выщеприведенным рядом. Для применения в воде и водяном паре высоких параметров керамика должна быть изготовлена на основе инертных чистых окислов или из монокристаллов [484]. Монокристаллы, или плотные, практически однофазовые кристаллические тела обладают [485] максимальной химической инертностью и наибольщей высокотемпературной прочностью. Химическая инертность таки.х веществ обеспечивается [486] в основном совокупностью следующих свойств [c.178]

Рис. 108, а показывает, что при скорости растяжения 7 10 %мин (при этой скорости кристаллы деформируются макроскопически наиболее однородно) переход от хрупкости к пластичности происходит в интервале от —20 до -f-20° С, т. е. как и для амальгамированных монокристаллов цинка, в узком 40-градусном температурном интервале. Начало перехода от хрупкости к пластичности совпадает при этом с теьшературой, отвечающей сближению кривой, показывающей температурную зависимость предела текучести чистого олова, и кривой, выражающей температурный ход хрупкой прочности амальгамированного олова это соответствует схеме А. Ф. Иоффе. Конец переходного интервала соответствует температуре, при которой та же кривая прочности амальгамированных монокристаллов олова сближается с кривой, выражающей температурную зависимость прочности чистого олова [140]. [c.213]

Для радиолокации, электронно-вычислительной техники и цветного телевидения изготовляются звукопроводы как части ультразвуковой линии задержки. Это они задерживают электрические сигналы на заданный промежуток времени путем преобразования в ультразвуковые сигналы. Раньше звукопроводы изготовляли из монокристаллов кварца или некоторых солей и окислов, а теперь переходят на звукопроводы из сплавов на основе магния и алюминия. В данном случае решающим является свойство сплава из чистых алюминия и магния хорошо проводить ультразвуковые волны. [c.119]

В отсутствие магнитного поля, как это следует из рис. 1.29, линии, соответствующие переходам Чг /г -> /2, группируются в одну из линий квадрупольного спектра, а линии 2 V2, + /2 -> 2 — в другую. Поэтому отношение интенсивностей линий в чисто квадрупольном спектре монокристалла будет определяться выражением [c.79]

Полупроводниковые кристаллы-активные среды полупроводниковых лазеров. Излучение в них генерируется в результате переходов между энергетич. уровнями зоны проводимости и валентной зоны. Иссюльзуют [юлу-проводники типа А В , А "В , А В . Активные элементы изготовляют из монокристаллов (напр., dS, GaAs, InAs, PbS), содержащих в своем объеме области, для к-рых характерен электронно-дырочный переход (р - и-переход), и из кристаллич. гетероструктур, образованных чередованием кристаллич. слоев, различающихся по хим. составу, но имеющих одинаковый период кристаллич. решетки. Наиб, распространены гетероструктуры, образованные слоями полупроводников типа А "В на основе арсенидов, фосфидов, антимонидов Ga и А1 и их твердых р-ров. Гетероструктуры получают также на основе многокомпонентных (тройных и более) твердых р-ров замещения (напр., Al,Ga, As), в к-рых при изменении состава в широких пределах период решетки не меняется. Полупроводниковые монокристаллы [юлучают из особо чистых исходных в-в кристаллизацией из расплавов (метод Чохральского, горизонтально направленная или зонная кристаллизация в контейнере, бестигельная зонная плавка) и эпитаксиальным выращиванием тонких кристаллич. слоев при кристаллизации из газовой фазы или расплавов твердых р-ров. Необходимые характеристики достигаются введением примесей в расплав или методом ионного внедрения примесных атомов. В качестве легирующих примесей используют, напр., элементы П (Zn, d, Mg акцепторы электронов), IV, VI (Sn, Те, Se, S доноры) групп. Благодаря разнообразию полупроводниковых кристаллов созданы лазеры, излучающие в диапазоне длин волн 0,3-30 мкм, обладающие малой инерционностью ( 10 с) и высоким кпд (до 50%), работающие как в импульсном, так и в непрерывном режиме (мощности 10 Вт при длительности импульса 3 НС и 10 Вт соответственно). Лучевая прочность полупроводниковых Л. м. ограничивает выходную мощность лазеров. [c.566]

Если тип а характерен для чистых КВЦ, образованных жесткими или полностью выпрямленными и полностью закристаллизованными цепями, то типы бив характеризуются чередованием аморфных и кристаллических зон, образующих уже знакомые нам большие периоды, но в одном случае цепи все же развернуты, так что можно говорить о незавершенных КВЦ, а в другом мы явно имеем дело с типичными КСЦ. Существенно здесь то, что при растяжении таких систем на прочность работают именно аморфные участки [51], но в структуре б (фибриллы по Стэттону, или фибриллы с пучностями) из одной кристаллической области в другую переходит почти 100 % цепей (если бы цепи были бесконечны, то было бы в точности 100 %), а в структуре в — значительно меньше часть цепей возвращается в свой кристаллит, а часть концов цепей теряется в межкристаллитной области. В структуре же типа а дефекты образованы лишь стыками между концами цепей, которые, по-видимому, проявляют некоторую тенденцию к сегрегации. Обратим внимание на то, что структура а обладает некоторыми чертами сходства с одномерным нематическим монокристаллом, а структура б — с квазиодномерным смектиком. [c.370]

Закономерности перехода от хрупкости к пластичности при изменении температуры и скорости деформации были подробно изучены Н. В. Перцовым, I0. В. Горюновым и Л. А. Кочано вой также на амальгамированных монокристаллах олова (чистотою 99,999% Sn) [125, 126]. Как уже было отмечено выше, хрупкость олова под действием ртути проявляется только при высоких скоростях деформации и относительно низких температурах, поскольку при обычных условиях чистое олово чрезвычайно пластично. В соответствии с этим скорость растяжения изменялась в широком диапазоне — от 10 до 10 %мин при комнатной температуре. Температурная зависимость эффекта действия ртути изучалась в интервале температур от -1-40 до —40° С при скорости растяжения Ё=7-10 %мин" . [c.213]

При ЭТОМ электрон переходит от катализатора к молекуле НСООН. Естественно, что повыщение концентрации электронов проводимости в катализаторе должно облегчать эту стадию реакции. Таким образом, по мнению авторов [132], перенос электронов от носителя к металлу является очень важным фактором в катализе. Несмотря на то, что в целом рассматриваемая работа является хорошо задуманным и оригинальным физико-химическим исследованием, анализ ее результатов обнаруживает ряд слабых мест. Начать с того, что, как справедливо отмечают сами авторы [132], необходимым условием электронного взаимодействия на поверхности раздела металл—носитель является значительная величина этой поверхности, т. е. малый размер частиц металла. Это условие в работе, по-видимому, не выполняется, так как германиевые носители имеют очень малую поверхность (600—1100 сж /г) и трудно предположить, что никель остается на них в виде мелких кристаллов. Каталитическая активность отнесена к 1 м общей поверхности, а не к 1 поверхности активной фазы, которая, по-видимому, уменьшается с увеличением толщины покрытия, поэтому заключение об увеличении активности с увеличением числа нанесенных слоев не кажется убедительным. Кроме того, изменение каталитической активности всего в 3 раза часто рассматривается как ее постоянство 1134, 135]. Далее известно, что объемные свойства германия сильно отличаются от свойств его поверхности, которую можно рассматривать как квазиизолированную . Поэтому характеристика электронных свойств германия [136, 137], чистого и содержащего легирующие добавки, по результатам эффекта Холла в соответствующих монокристаллах, может не иметь [c.49]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология