Время до рекомбинации

В цепи, изображенной на чертеже, слева проходит усиливаемый ток в пропускном направлении. При подаче импульса напряжения в левой цепи в о-полупроводник впрыскиваются дырки. В монокристаллах чистого германия время рекомбинации таких неравновесных носителей зарядов достаточно велико, чтобы они успели продиффундировать к правой границе о-Ое. На этой границе отсутствие дырок создавало запорный слой. Сопротивление этого контакта из-за прихода дырок уменьшится и возрастет ток. Так осуществляется усиление тока сигнала [c.522]

В табл. УП1.2 приводятся значения предельных ионных эквивалентных электрических проводимостей некоторых ионов в водных растворах. Отметим, что значения А, для Н+ и ОН существенно больше, чем у других ионов. В то же время рекомбинация именно этих ионов дает частицу растворителя. Точно так же в растворах серной кислоты, выступающей как растворитель, ионы Н" и ИЗО) превосходят остальные однозарядные ионы по значению ионной электрической проводимости в 50 и 100 раз. Аналогичные соотношения характерны и в других растворителях, способных к самоионизации, причем одним из ионов является ион Н+. Это эмпирическое правило позволяет считать, ЧТО ДЛЯ ионов-продуктов самоионизации растворителя механизм [c.453]

Для изоляторов явления рекомбинации свободных носителей тока не отличаются в принципе от рассмотренных выше. Однако ловушки здесь могут играть важную роль поэтому время рекомбинации часто становится весьма длительным. Таким образом, для данного типа твердых тел является очень существенным влияние радиации на число носителей тока, которое очень мало перед облучением, [c.221]

Собственные полупроводники. Следует напомнить, что концентрация носителей тока в данном типе полупроводников сравнительно мала (от 10 ° до 10 ). Как было показано выше, для того чтобы заметно изменить концентрацию носителей тока, содержащегося в количестве 10 (случай германия), требуются интенсивности 10 —10 эе се/с-> в зависимости от продолжительности жизни этих носителей. Следует подчеркнуть, что создание пар носителей тока не изменяет характера собственного полупроводника. Напротив, дефекты решетки, если только они активны, могут вызвать такие изменения полупроводника, в результате которых он станет примесным полупроводником. В зависимости от природы и интенсивности радиации преобладающую роль играет один из этих типов нарушений, что проявляется в соответствующем различии каталитических свойств твердого тела. Если преобладают электронные дефекты, то в благоприятных случаях наблюдается лишь слабое увеличение числа положительных и отрицательных носителей тока. И как следствие этого, разница, если она вообще имеется, между каталитическими свойствами при облучении и без облучения может быть только количественной. Если, напротив, изменения обязаны преобладанию дефектов решетки, то могут возникнуть не только количественные различия, но также и качественные. В этом случае эффекты активации при облучении практически идентичны с эффектами, наблюдаемыми для активации в условиях предварительного облучения, за исключением случая, когда дефекты решетки, возникшие под действием облучения, находятся сами в возбужденном состоянии или влияют на время рекомбинации носителей тока. [c.230]

Время рекомбинации х и время излучательной рекомбинации для некоторых полупроводников 1621. Концентрация носителей близка к собственной, Г=300 К. [c.342]

Так как время рекомбинации пары ti, определяемое выражением (IV.48), мало, концентрация частиц, рекомбинирующих внутри пары, будет также мала, а концентрация близка к наблюдаемой на опыте. [c.108]

Таким образом, в чистых фотохимически окрашенных кристаллах щелочно-галоидных соединений свечение обусловлено рекомбинацией электронов и положительных дырок, а при введении в кристалл активирующей примеси энергия рекомбинации электронов и дырок может быть трансформирована в энергию возбуждения центров свечения. Поэтому послесвечение этих фосфоров можно рассматривать как особый вид сенсибилизованной люминесценции. Подобное предположение было высказано впервые Дж. Франком в 1948 году [344]. По идее Франка электрон и дырка во время рекомбинации представляют собой резонатор переменной частоты. Благодаря внутренней конверсии потенциальная энергия системы электрон -f- дырка превращается в колебания решетки, и когда колебательная энергия последней достигает уровня, находящегося в резонансе с энергией возбуждения активатора, становится возможным переход активирующей примеси в возбужденное состоя- [c.247]

Значения к приведены в табл. 10.2, значения к2 можно рассчитать из уравнения термодинамического равновесия к2 = к1 Кр) , где Кр — константа равновесия реакций мономолекулярного разложения фторидов урана (10.1)-(10.6). Используя эти величины, нетрудно рассчитать время рекомбинации фторидов урана [c.513]

Время конденсации урана при охлаждении (и-Р)-плазмы, содержащей только атомы и, Р и ионизированные частицы, примерно на порядок величины меньше, чем время рекомбинации иГ (табл. 10.5). [c.516]

Часто наблюдается водородная хрупкость, возникающая при гальваническом Осаждении металла, особенно после процесса кадмирования [91]. Она становится заметной во время испытания высокопрочной стали (0,39% С 1,8% N1 0,75% Сг 0,24% Мо) на усталость при критическом, вызывающем мгновенный излом, на-прял ении, а также при повреждениях тех зон, которые несут большую нагрузку [92]. Во время рекомбинации могут возникать значительные давления — порядка 10 —10 ат [93]. [c.35]

Процесс 0+ + Ка М0+ + Ы, очевидно, приведет к тому, что после диссоциативной рекомбинации N0+ получатся атомы N и О, т. е. в результате этого процесса произойдет уничтожение молекул. К уничтожению молекул приводят любые процессы диссоциативной рекомбинации. В конечном счете в ионосфере будут уничтожены все молекулы. Поневоле возникает предположение, которое и высказал здесь Ю. И. Гальперин, не состоит ли вся ионосфера из атомов, хотя этому и противоречат ставшие за последнее время каноническими сведения о составе верхней ионосферы. Простой расчет показывает, что время рекомбинации атомов, образовавшихся в ионосфере, составляет от 10 до 10 сек. В результате и должны были бы произойти уничтожение молекулярной ионосферы и замена ее атомной (ночь не внесет практически никаких изменений), причем молекул осталось бы столь мало, что эффективные скорости рекомбинации ионов, вычисляемые на основе максимально возможных констант скоростей диссоциативной рекомбинации, все равно будут исключительно малы. [c.72]

В. В. Воеводский. Вы говорили о том, что увод с нижнего уровня В по равновесию Вг А обеспечивается с достаточно большой скоростью. Время увода должно быть порядка 10 сек. или меньше. Вы предлагаете рекомбинацию ионов. Времена рекомбинации ионов определяются не только константой, которая достаточно велика, но и концентрацией вторичных ионов. Что дают расчеты [c.307]

Поскольку подобное поглощение неспецифично для активных металлов и зависит от множества электрических и геометрических факторов, таких, как характер и частота столкновений электронов с молекулами газа, время рекомбинации, газокинетическая удаленность поглотителя от области разряда, форма электродов и т. д., в дальнейшем оно не рассматривается. [c.28]

Таким образом, диссоциативная рекомбинация электрона и молекулярного иона гелия происходит только в том случае, если молекулярный ион находится в колебательно возбужденном состоянии. В этом случае измеряемое в послесвечении плазмы время рекомбинации плазмы будет зависеть от способа создания заряженных частиц и от кинетики процессов перехода между колебательными уровнями молекулярного иона. [c.73]

Если молекулярный ион за характерное время рекомбинации успевает достигнуть низких колебательных уровней, то измеряемый коэффициент диссоциативной рекомбинации оказывается малым. В этом случае основным механизмом объемной рекомбинации становится тройная столкновительно-радиационная рекомбинация [2,5], где в качестве третьей частицы оказываются атомы или свободные электроны. При этом коэффициент рекомбинации возрастает с ростом плотности электронов и атомов [18, 19, 75, 76]. Так, в работах [18, 19] указанная зависимость наблюдалась и имела вид [c.73]

Это вызывает уменьшение эффективного коэффициента рекомбинации. Действительно, характерное время рекомбинации 1/а/г,. 10" —10 сек [c.73]

Из этой формулы видно, что поле излучения за время у достигает насыщения и параметрически зависит от концентрации электронов. Пред пол о кение о постоянстве электронной концентрации справедливо, если характерное время рекомбинации тк гораздо больше времени насыщения числа фотонов [c.137]

Квазистационарное приближение справедливо только в случае, если характерное время рекомбинации Трек значительно превышает время жизни молекул и атомов на поверхностных центрах, т. е. при выполнении соотношения [c.205]

При электрохимическом выделении водорода удаление его адсорбированных атомов может совершаться несколькими способами. Если эта стадия (стадия III в приведенной схеме) является замедленной, то скорость всего процесса должна определяться скоростью наиболее эффективного из указанных выше трех механизмов десорбции. Замедленная рекомбинация, например, означает, что каталитическое образование молекул водорода отличается большим торможением, чем разряд или стадия транспортировки, и в то же время совершается заметно быстрее, чем электрохимическая десорбция или эмиссия водородных атомов. При близких значениях [c.404]

Известные предположения о наиболее вероятном механизме выделения водорода на разных металлах можно высказать на основании общих положений электрохимической кинетики в применении к данной электродной реакции. Так, было предположено, что при увеличении теплоты адсорбции водородных атомов на катодном металле вероятность замедленного разряда падает, а замедленной рекомбинации растет. Это связано с различным влиянием изменения теплоты адсорбции водородных атомов на скорость разряда и на скорость рекомбинации. Как следует из потенциальных кривых (рис. 19.5), энергия активации разряда уменьшается с ростом теплоты адсорбции. Энергия активации процесса рекомбинации, напротив, увеличивается с упрочнением связи между металлом и поверхностными атомами водорода, количественной характеристикой которой является теплота адсорбции. В то же время увеличение [c.411]

В цепи, изображенной на чертеже, слева проходит усиливаемый ток в пропускном направлении. При подаче импульса напряжения в левой цепи в р-полупроводник впрыскиваются дырки. В монокристаллах чистого германия время рекомбинации таких неравновесных носителей зарядов достаточно велико, чтобы они успели продиффун-дировать к правой границе р-Ое. На этой границе отсутствие дырок создавало запорный слой. Сопротивление этого контакта из-за прихода дырок уменьшится и возрастет ток. Так осуществляется усиление тока сигнала. Изображенное справа на рисунке нагрузочное сопротивление й позволяет увеличивать сигнал и по напряжению. [c.660]

Явление невзаимозаместимости - отклонение от закона взаимозаместимости Бунзена - Роско, согласно к-рому общая экспозиция H=Et— onst, где Е - освещенность, t - вьщержка. В Ф. этот закон соблюдается только при малых вьщержках (до 50-100 мкс) и комнатной т-ре. При увеличении вьщержки до неск. секуцц светочувствительность растет, при дальнейшем увеличении - убывает. Причины отклонения от закона связаны с особенностями механизма образования скрытого изображения время рекомбинации электрона с подвижными ионами Ag составляет при комнат- [c.169]

Стационарные условия при облучении выражаются формулой (1п (И = О, откуда получается, что п = А. Это соотнощение позволяет произвести оценку стационарной концентрации избыточных свободных носителей тока, если известна величина т. В полупроводниках время рекомбинации, как правило, мало в больщинстве случаев оно составляет от 10 до 10" сек. Значительное увеличение его может быть результатом наличия некоторых дефектов (примесей, дефектов рещетки), имевщихся в твердом теле или возникших при облучении, которые действуют подобно ловушкам в отношении свободных носителей тока. Расчеты, описанные ниже, могут проводиться при условии отсутствия явлений, связанных с наличием ловушек. [c.219]

При решении уравнения Бибермана—Холстейна предполагалось, что концентрация нормальных атомов остается постоянной. При высоких частотах модуляции это условие хорошо реализуется, так как та <С 1- Однако при частотах модуляции ш < (1/тамб. 1/т рек) — тг 1 (Трек, Тамб — Соответственно время рекомбинации и время амбиполярной диффузии), поэтому при высокой вероятности возбуждения концентрация атомов становится, величиной переменной.- Если оптическая плотность 1, то за счет нелинейности поглощения деформируются контуры линии излучения на частоте 1-й гармоники и особенно на частотах 2-й и более высоких гармоник. В первом приближении контур линии излучения на частоте 2-й гармоники — 2и(v) —равен /2ш(v) /o(v), что соответственно приводит к эффективному ПЙ. Селективное детектирование атомов можно проводить по схеме 1. [c.14]

При детонации кислородно-ацетиленовых смесей (эквимолярных при <3,2—2 ат и с различными составаш при 1 ат) была измерена теплопередача к тонкой проволоке, пересекающей ось трубы [37]. Полученные значения были близки к тем, которые можно было ожидать, исходя из теоретических составов п давлений в детонационной волне. Так как половина общего тепла реакции расходуется на диссоциацию реагентов, то теплопередача осуществляется в значительной степени благодаря рекомбинации радикалов на поверхности пли в газовом пограничном слое, поскольку там более низкие равновесные концентрации. Если в пограничном слое отсутствует термодинамическое равновесие, т. е. время рекомбинации велико по сравнению со средним временем диффузии частицы через пограничный слой, то в случае, когда поверхность не слишком катализирует рекомбинацию радикалов, теплопередача будет уменьшена. Обработка проволоки иодом снижает теплопередачу вдвое. [c.570]

Филиновский и Чизмаджев [9], основываясь. на том, что взаимодействие электрона с полярными молекулами воды препятствует его возвращению к исх одмому иону, пришли к заключению, что время рекомбинации с ионом—порядка 10 сек, а не 10 , как принимают Сэмюэль и Магги [1J. Различия в поведении электронов могут обусловить различия в распределении радикалов Н. [c.316]

Величина po была подробно обсуждена в предыдущем разделе. Поэтому здесь мы остановимся только на рр (1.24). В отличие от экспоиеициальной модели эффективное время клеточной рекомбинации в континуальном приближении не дается соотношением (1.23). Для некоторых важных на практике примеров выражения Тр приведены в табл. 1.2. Эффективное время клеточгюй рекомбинации зависит от молекулярно-кинетических параметров радикалов, от. характеристик их реакционной способности и параметров межрадикального взаимодействия. Добавление акцепторов уменьшает эффективное время рекомбинации. Объясняется это следующим образом. Величина Тр — это суммарная продолжительность всех контактов данной пары радикалов на радиусе реакции. В промежутках времени между повторными контактами акцепторы могут перехватить радикалы и помешать им вновь оказаться на радиусе рекомбинации. В итоге эффективное время рекомбинации, или суммарное время пребывания двух радикалов на радиусе реакции, сокращается. Согласно табл. 1.2, для рекомбинации ион радикалов в таких сильнополярных растворителях, как вода, кулоновское взаимодействие незначительно изменяет эффективное время рекомбинации. В малополярных растворителях кулоновское взаимодействие реагентов может очень сильно изменить эффективное время клеточной рекомбинации. [c.20]

Из данных табл. 1.2 н 1.3 следует, что притяжение между реагентами может существенно удлинить эффективное время рекомбинации, связывая между собой партнеров, оказавшихся в клетке . Отталкивание между реагентами укорачивает эффективное время реакции, выталкивая партнеров из клетки . Влияние межрадикального взаимодействия на эффективное время реакции пренебрежимо мало, если даже при наибольшем сближении частиц оно остается малым по сравнению с тепловой энергией поступательного движения реагентов. [c.21]

ЦИИ обменное взаимодействие на малых расстояниях находит свос выражение в таких феноменологических параметрах, как константа скорости рекомбинацин РП в контакте, толщина реакционного слоя и эффективное время рекомбинации. [c.38]

Для объяснения наличия олигомерных ДНК постулировалось их возникновение либо в ходе репликации, либо во время рекомбинации. Поскольку механизм репликации до конца еще не ясен, образование катенановых олигомеров можно представить с помощью двух механистических моделей. Согласно первой модели, которая объясняет также образование димеров, молекулы кольцевой двунитчатой ДНК сначала спариваются, затем разрываются и вновь рекомбинируют. Модель допускает также образование индивидуальных катенановых молекул из циклических димеров и циклических мономеров, однако это не наблюдалось [23]. [c.33]

Из уравнения (I. 4. 149) следует, что характерным временем нарастания ионизации является l/n / ,, ,,,, а время рекомбинации существенно зависит от механизма рекомбинации. Рассмотрим стационарный случай, т. е. положим dnJdt Q. Тогда при выполнении условия [c.152]

Па рис. ХП1.23 представлены результаты обработки кинетики рекомбинации при различных температурах. Четыре серии точек соответствуют начальным значениям константы скорости рекомбинации в различные моменты времени. Разработанный выше подход позволяет непосредственно наблюдать за процессом конформационной релаксации. Видно, что при высоких температурах константа рекомбинации не зависит от времени, т. е. конформационная релаксация происходит за времена, суш ественно меньше, чем характерное время рекомбинации зарядов в начальном конформационном состоянии к 80 мс). При низких температурах Т < 200 К конформационная релаксация замедляется и кинетика фотоконформаци-онного перехода накладывается на кинетику рекомбинации. Из рис. ХП1.23 видно, что размораживание конформационной динамики происходит в районе температур 200 К. Подобный вывод был сделан также ранее из анализа данных мессбауэ-ровской спектроскопии (ср. рис. Х.21). Это указывает на кооперативный характер движений акцептора и его окружения. [c.416]

Фотоконформационный переход в системе хинонных акцепторов. Характер движений QA и Qв можно выяснить по влиянию температуры на реакцию темпового восстановления Р от Результаты экспериментов показывают, что с понижением температуры скорость рекомбинации Р+ и может возрастать в 2-3 раза (т1/2 снижается от 80 до 25-30 мс), если образец охлаждается в темноте. Для изучения рекомбинации Р+ <— в чистом виде обычно используют РЦ с искусственно блокированным в результате различных химических воздействий переносом электрона от Q к Qв Нри этом кинетика рекомбинации в области промежуточных температур характеризуется существенной немоноэкспоненциаль-ностью. Если же охлаждение идет на активирующем свету, то время рекомбинации практически не зависит от температуры и сохраняется близким к таковому [c.378]

Ж. Во время рекомбинации между двумя слегка различающимися копиями одного гена (аллелями) один аллель может замещаться другим в процессе, называемом . [c.28]

Механизм Фольмера — Тафеля отвечает тому случаю, когда замедленно протекает разряд, а отвод образовавшихся атомов водорода осуществляется их рекомбинацией. По механизму Фольмера— Гейровского, замедленной стадией по-прежнему будет разряд, но удаление атомов водорода происходит путем их электрохимической десорбции. По механизму Тафеля — Гориучи, рекомбинация водородных атомов определяет скорость всего процесса и в то же время обеспечивает отвод атомов водорода, образующихся в результате разряда, протекающего без торможений. В основе механизма Гейровского — Гориучи лежит предположение, что скорость определяется стадией электрохимической десорбции, являющейся одно- [c.405]

СОМ будет ионизация адсорбированного водорода с переходом его в раствор. Таким образом, эта область потенциалов отвечает только стадии разряда (при катодном толчке) и ионизации (при анодном толчке), что позволяет исследовать кинетику одной этой стадии без наложения осложняющих эффектов, связанных с процессами рекомбинации или диссоциации молекул водорода. Изучение зависимости емкости двойного слоя и омического сопротивления (эквивалентного торможению па стадии разряда) от частоты наложенного тока в этой области потенциалов позволило Долину, Эрш-леру и Фрумкину впервые непосредственно измерить скорость акта разряда. Параллельные поляризационные измерения при небольщих отклонениях от равновесного потенциала, где неренапряжение еще линейно зависит от плотности тока, дали возможность найти скорость суммарного процесса и сопоставить ее со скоростью стадии разряда. Было установлено, что акт разряда протекает с конечной скоростью, причем ее изменение с составом происходит параллельно изменению скорости суммарной реакции. В то же время скорость стадии разряда всегда больше, чем скорость суммарной реакции (в 27 раз в растворах соляной кислоты и в И раз в растворах гидроксида натрия). Таким образом, акт разряда хотя и протекает с конечной скоростью, но не определяет скорости всего процесса выделения водорода на гладкой платине и не является здесь лимитирующей или замедленной стадией. [c.416]

Метод дает возможность проводить нолуколичественную работу путем изучения относительных скоростей, с которыми радикалы могут реагировать с зеркалом (по сравнению со скоростью их исчезновения в результате рекомбинации). Так, путем измерения времени, требующегося метильным радикалам для удаления зеркал, помещаемых на различном расстоянии от печи, можно показать, что рекомбинация радикалов при малых давлениях является медленным процессом [5, 6]. Время исчезновения зеркала можно определить визуально или фотометрически [8], прямым взвешиванием [9] или методом добавок с использованием радиоактивных металлов [10—12]. [c.95]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология