Электронное излучение и электронная литография

I. 3.2. Электронное излучение и электронная литография [c.33]

С точки зрения литографии электронное излучение интересно главным образом тем, что его длина волны на несколько порядков меньше, чем УФ-излучения, поэтому с помощью пучка электронов можно в принципе сформировать изображение на несколько порядков меньшее, чем с помощью света. Электронным пучком легко управлять, его можно сфокусировать в пятно диаметром менее 10 нм. Такая фокусировка необходима для формирования топологического рисунка с субмикронными размерами элементов. [c.33]

Чувствительность ПММА к рентгеновскому излучению может быть увеличена по крайней мере на 3 порядка — до 10- Дж/см , если проводить полимеризацию на подложке. Например, слой ПММА облучают малой дозой, вводят в контакт с парами мономера (акриловой кислоты) и получают после проявления хорощо разрещенный негативный рельеф, образованный новым сополимером. Аналогичный прием возможен и для электронной литографии [135]. [c.266]

Такие сравнительно сложные многослойные образования, как туннельный контакт субмикронных размеров, получают методом электронной литографии. Процесс начинается с того, что на подложку, как правило, кремниевую, наносйтся слой специального органического вещества — фоторезиста, обладающего свойством либо разрушаться под действием излучения (позитивный резист), либо, наоборот, упрочняться путем полимеризации (негативный резист). Затем фоторезист экспонируется под электронным лучом, который движется по подложке в соответствии с программой, задаваемой ЭВМ, и вырисовывает нужную схему. Засвеченные участки вытравливаются (этап проявления ), после чего производят напыление. В проявленных местах металл ложится прямо на подложку, в остальных -на фоторезист и на следующем этапе удаляется (химически) вместе с резистом. В результате остается рисунок из металлической пленки в проявленных местах. Такая процедура может быть повторена многократно (до 14 слоев [1]) с напьшением попеременно слоев из сверхпроводящих и нормальных металлов, полупроводников или диэлектриков. Использование именно электронного пучка для экспозиции связано, прежде всего, с тем, что длина волны электронов определенной энергии меньше, чем у видимого света, поэтому дифракция сказывается меньше и можно вырисовывать более мелкие детали. Фотолитография, т.е. литография с применением видимого света, позволяет получать детали с минимальным размером до 2 мкм, а электронная литография — до 0,3 мкм и меньше. [c.14]

Среди большого разнообразия материалов, используемых современной радиоэлектроникой и полиграфией, фото-, электроне- и рентгенорезисты занимают особое положение. Они предназначены для проведения литографии — создания под действием излучения на поверхности подложки в виде рельефного изображения топологии будущей радиоэлектронной схемы или полиграфической печатной формы. С этих технологических операций и начинается длинная цепь этапов производства радиоэлектронных, в том числе и микроминиатюрных, приборов. Если учесть, что размеры элементов современных радиоэлектронных схем составляют менее 1 мкм, то очевиден высокий уровень требований к совокупности свойств таких материалов. Без резистов была бы невозможна современная микроэлектроника. [c.6]

Дальнейшим шагом по пути уменьшения длины волны экспозиционного пучка (и предела разрешения) явился переход к электронной, рентгеновской и ионной литографии. Все виды литографии объединяют термином актинолитография. Прн экспонировании пучком электронов экспериментально достигнуто разрешение 0,1 мкм, а рентгеновским излучением — 0,02 мкм. Новые виды актинолитографии требуют создания, освоения и использования дорогостоящего оборудования, что приводит к большим капиталовложениям [7]. [c.13]

В конце 70-х годов проводятся исследования и разработка электронно-литографического оборудования. Установка электронной проекционной литографии Вертикаль явилась первой отечественной промышленной установкой этого класса оборудования. Позднее в 80-х годах развертываются работы по исследованию и разработке оборудования ионной и рентгеновской литографии, позволяющих перейти к формированию структур СБИС с размерами элементов около 1 мкм. В это же время выполняются разработки компактного источника синхро-тронного рентгеновского излучения (СРИ) с диаметром накопительного кольца 2,2 м и 21 каналом вывода СРИ. [c.12]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология