Тонкопленочные микросхемы

Наиболее широко распространенными тонкопленочными микросхемами являются гибридные микросхемы. При их изготовлении на подложку из изоляционного материала путем термического испарения в вакууме, катодного или ионно-плазменного распыления наносят пассивные элементы (резисторы, конденсаторы, проводники), а затем к ним припаивают или приваривают полупроводниковые микроэлементы (диоды и транзисторы). [c.32]

Рассеяние мощности в тонкопленочных микросхемах, , , 531 [c.492]

Рассеяние мощности в тонкопленочных микросхемах. Электрическая энергия, подаваемая в микросхему, частично накапливается в емкостных и индуктивных элементах, а частично рассеивается в виде тепла. Если бы потери тепла отсутствовали, температура тонкопленочных компонентов могла бы возрастать безгранично, все время, пока к ним подводилась мощность. Однако в действительности происходит так, что компонент достигает квазистационарной температуры, которая устанавливается вследствие баланса между притоком мощности и энергетическими потерями за счет различных механизмов рассеяния. Для обеспечения стабильной работы микросхемы и длительной работы компонента она должна быть сконструирована таким образом, чтобы средняя максимальная температура не превышалась. Эта задача, легкая в постановке, трудна в разрешении. Сложность проблемы создается рядом факторов. Во-первых, рассеяние мощности за счет теплопроводности трудно рассчитать из-за наличия в подложке боковых и вертикальных потоков тепла. Тепловой поток мо- [c.531]

В последние годы расширились области применения тонкопленочных металлических покрытий на неметаллах — стекле, слюде, керамике, пластмассах, ситаллах и т. п. [35]. Следует подчеркнуть, что поведение электронов в тонких пленках качественно отличается от поведения в массивах благодаря возникновению новых, так называемых квантовых, размерных эффектов. Это явление используют, в частности, в тонкопленочных микросхемах, составляющих основу современной микроэлектроники. Микросхемы включают в себя как один из элементов проводящие металлические пленки на диэлектриках. Проводящие пленки разделяются на низкоомные (Au, Ag, u, Al, Мп, Сг, Ti), резистивные (Та, Re, Mo, W) и магнитные (Fe, Со, Ni) [142]. [c.98]

Гибридные ИМС - это тонкопленочные микросхемы, состоящие из пассивных элементов (резисторов, конденсаторов, контактных площадок) и дискретных активных элементов (диодов, транзисторов). Гибридная ИМС, показанная на рис. 3, представляет собой диэлектрическую подложку с нанесенными на нее пленочными конденсаторами и резисторами и присоединенным навесным транзистором, база которого соединена с верхней обкладкой конденсатора шиной в виде очень тонкой проволочки. [c.9]

ГО.054.028 Микросхемы гибридные интегральные тонкопленочные [c.133]

ГО.091.ООО Микросхемы гибридные тонкопленочные частного [c.179]

Последовательное напыление через маски отдельных тонкопленочных слоев для получения резисторов, конденсаторов, контактных площадок и проводников конечным результатом этого этапа является получение пассивной части микросхемы. [c.32]

Точное согласование термических коэффициентов расширения особенно необходимо в случаях, если на тонкопленочной подложке имеются полупроводниковые чипы, сделанные из различных материалов. Хорошо известными примерами являются кремниевый транзистор или микросхема. Смонтированные на керамических или стеклянных держателях. Итак, при изменении температуры структуры разность в коэффициентах термического [c.527]

Отличительной особенностью неорганических полимеров является их высокая термостойкость, невоспламеняемость, высокая радиационная стойкость и долговечность. Без неорганических полимеров не могла бы появиться ни одна микросхема, ни один полупроводниковый прибор. На их основе получают подложки для тонкопленочных схем, основания для печатных плат, каркасы катушек индуктивности, штепсельные разъемы и многие установочные детали. [c.12]

Тонкопленочный резистор (рис. 2,а, б) — элемент микросхемы, размещенный на диэлектрической подложке 3 и способный оказывать сопротивление электрическому току, состоит из двух контактных выводов 1 и резистивной пленки 2 линейной или зигзагообразной конфигурации. [c.6]

Тонкопленочный конденсатор (рис. 2, в) — это элемент микросхемы, способный накапливать электрический заряд и представляющий собой плоскую трехслойную структуру, состоящую из слоя диэлектрика, расположенного между двумя металлическими слоями - электродами (обкладками). Удельная емкость (Ф/м ) плоского пленочного конденсатора [c.7]

Интегральные схемы. Блочные, модульные и микромодульные конструкции разрабатываются на основе использования дискретных э.пементов, причем плотность запо.чнения объема аппаратуры не превышает 20 элементов в 1 см . Интегральные схемы, представляющие собой группу (сумму) элементов, выполненных неотделимо друг от друга на одной подложке (на ее поверхности или в ее объеме), называют микросхемами. Микрсс емы позволяют резко увеличить плотность заполнения объема шаратуры (до 1000 элементов в 1 см ). Интегральные микросхемы имеют три разновидности тонкопленочные, полупроводниковые и гибридные. [c.34]

Тонкопленочные интегральные микросхемы получают осаждением п.ченок различных материалов на изоляционную подложку, в качестве которой наиболее часто используют боросиликатное стекло и и ситалл. Функциональные узлы получают в результате последовательного осаждения на подложку тонких пленок проводниковых, диэлектрических, полупроводниковых, магнитных и магнптодиэлектрических материалов из газопаровой фазы в вакууме. Для получения рисунка схемы используются специальные металлические маски. Ведется непрерывный контроль параметров образующихся элементов. Испарение осаждаемых материалов получается при нагревании их с помощью подогревателей, электронной бомбардировки или лазерного излучения. [c.34]

Из-за зернистости структуры стеклокерамических пластин, толщина которых сравни.ча с толш,иной предметных стекол, получаемые минимальные размеры отверстий составляют по ширине 0,125 мм, с допускам после травления 0,025 мм. Получение заданных размеров затрудняется из-за большой усадки (до 10%) во время обжига заготовок. Маски необходимо тщательно проверять на коробление, потому что в этом случае не обеспечивается хороший контакт маски с подложкой, а это в дальнейшем приводит к отклонению размеров й тонкопленочном рисунке элементов микросхемы. Необходимо соблюдать все меры предосторожности npii обращении со стеклянными масками, в частности при очистке, во нзбежаиие их разрушения. [c.564]

В микроминиатюрном рефрижераторе для охлаждения используется процесс Джоуля — Томсона. Газообразный азот под давлением 120 атм проходит по каналу с сечением 20 X 50 мкм , в котором охлаждается обратным потоком низкого давления, текущим по каналу большего сечения, а на конце дросселируется через тонкий капилляр 7 X 50 мкм . После дросселя достигается температура 88 К. При 100 К хладопроизводитель-ность устройства 25 мВт, расход газа 2,5 мг/с. Запуск от комнатной температуры занимает всего 30 с. Микроминиатюрный рефрижератор столь мал (рис. 15), что позволяет охлаждать образцы прямо на приборном столике микроскопа. Он может быть встроен даже в стандартный корпус для микросхемы. Очевидным ьнейшим развитием этого направления будет комбинация из нескольких подобных ступеней, что позволит достигнуть температур, необходимых для работы тонкопленочных сквидов. Для охлаждения биомагнито метра разрабатывается четырехступенчатый микрорефрижератор такого типа. В нем используется фреон, азот, водород и гелий. В работе [331] сообщалось о получении температуры 50 К на уровне водородной ступени. Подключение гелиевой ступени обещает понижение температуры до 10 К. [c.60]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология