Дистлер ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА КРИСТАЛЛОВ

Г. И. Дистлер ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА КРИСТАЛЛОВ [c.197]

Дистлер Г. И., Власов В. П. Избирательная кристаллизация на элементах электрической структуры поверхности кристаллов LiF. — Физика твердого тела, 1969, 11, № 8, с. 2226—2231. [c.124]

В теориях Косселя, Странского придавалось особое значение роли геометрического рельефа поверхности в образовании зародышей. Однако экспериментально было показано [53—55], что решающее значение в этом процессе имеют не геометрические свойства, а дефектность структуры реальных кристаллов, определяющая электрические свойства различных участков их поверхностей. Согласно данным Дистлера [55], геометрический рельеф поверхности воздействует на образование и рост зародышей через электрический рельеф, состоящий из активных точечных дефектов. Применение методов декорирования в электронной микроскопии для изучения роста кристаллов позволило установить, что зародыши возникают на электрически активных точечных дефектах, которые образуют узлы сетчатого строения электрической структуры реальных кристаллов. В образовании сетчатого строения важную [c.43]

В. Ф. Миусков. Рентгеновский муар кристаллических решеток Г. И. Дистлер. Электрическая структура кристаллов Л. Л. Цинобер, М. И. Самойлович. Распределение структурных дефектов и аномальная оптическая симметрия в кристаллах кварца [c.172]

Активность твердых тел, проявляемая в механохимических процессах, определяется элементами их реальной структуры (Г. И. Дистлер) электрически активными точечными дефектами, поляризационными мостиками между противоположно заряженными точечными дефектами, сопутствующими им электрическими микрополями. При воздействиях на кристаллы изменяется относительное число точечных дефектов а узлах решетки и междуузлиях, что сопровождается изменением периода решетки, возникновением монокристальных свойств у различных твердых или жидких граничных слоев, влияющих на протекание механохимических процессов. Такие слои, аморфные или поликристаллические, могут обладать упорядоченной информационной структурой. В этой связи активность твердых тел рассматривается как матричный процесс, запрограммированный в реальной электрически активной структуре. .. кристаллов-матриц . Обширная экспериментальная информация о природе процессов механической активации получена с помощью различных химических, физико-химических и физических методов [1, 3]. [c.49]

Электронно-микроскопическими исследованиями показано, что растущие на щелочно-галоидных подложках кристаллиты имеют размеры от 0,1 до 1 мкм . Для полиэтилена Веллинг-хофф, Рибникар, Бэр [36] установили, что эти кристаллиты плотно упакованы на поверхности вдоль направления < 110> (< 110>) кристаллиты размером примерно 170 А расположены на расстояниях около 200 А. Это и понятно ведь естественно ожидать, что нуклеация различных кристаллитов будет начинаться практически одновременно. Полагают, что нуклеация начинается на ступеньках поверхности, которые образуются при раскалывании кристаллов в результате пересечения плоскости скола с ранее существовавшими в кристалле винтовыми дислокациями [36, 49—63]. В частности, известно, что у ионных твердых тел со структурой типа ЫаС1 образуются дислокации с заряженным ядром [49]. Таким образом, следует ожидать, что плоскость скола кристалла должна иметь электрически гетерогенную структуру [49—64]. Показано, что одноименно заряженные вакансии поверхности должны обнаруживать тенденцию к группировке в домены [50—57]. Дистлер в экспериментах по декорированию на поверхностях монокристаллов хлористого натрия обнаружил домены размером примерно 1 мкм [51]. [c.107]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология