Электроны разрыхляющие

Однако если начать заполнять электронами разрыхляющие орбитали, то. энергия молекулы будет возрастать - произойдет проигрыш энергии. [c.80]

Молекулярная орбита, которая получается от сложения двух 5-орбит, занимает пространство между двумя ядрами ее называют связывающей М0 ей соответствует энергия, более низкая, чем каждой из двух 5-АО, от которых она произошла. Молекулярная орбита, получающаяся путем вычитания перекрывающихся частей АО, не включает пространства между ядрами. Она имеет более высокую энергию, чем первоначальные АО, и называется разрыхляющей МО. Разность энергии связывающей и разрыхляющей МО можно оценить, если учесть, что электрон связывающей орбиты находится под воздействием обоих ядер, а электрон разрыхляющей МО находится под воздействием только одного ядра. [c.62]

Если комбинируются две АО (например, 15-АО двух атомов водорода), то образуются две МО, отличные по энергии от исходных АО одна из них соответствует более низкой энергии электронов связывающая МО), а вторая — более высокой энергии электронов разрыхляющая МО) по сравнению с их энергией на АО. [c.57]

Ряд лигандов (СО, СМ- и др.) имеет орбитали, которые могут перекрываться с ху, хг и г-орбиталями металла по я-типу. Таковыми являются не занятые электронами разрыхляющие МО в этих частицах. [c.129]

Проиллюстрируем это на разобранном выше примере образования молекулы циклобутана из двух молекул этилена. Чтобы эта реакция попала в число термически разрешенных по симметрии, необходимо каким-то способом заселить электронами разрыхляющую п Л5-орби-таль этиленовой системы. [c.99]

Молекулярная орбиталь (МО), образующаяся при сложении двух атомных х-орбиталей, располагается между двумя ядрами. Этой связывающей МО соответствует более низкое энергетическое состояние по сравнению с каждой из двух исходных атомных орбиталей (АО). Молекулярная орбиталь, получающаяся путем вычитания перекрывающих частей АО, не проходит через пространство между ядрами. Она имеет более высокую энергию, чем любая из исходных АО. Это разрыхляющая МО. При этом электрон разрыхляющей МО взаимодействует лишь с одним ядром. [c.15]

Молекулярная орбиталь, энергия которой меньше энергии атомной орбитали изолированного атома, называется связывающей (обозначается символом 0 ), а находящиеся на ней электроны — связывающими электронами. Молекулярная орбиталь, энергия которой больше энергии атомной орбитали, называется антисвязываюш й или разрыхляющей (обозначается символом ор р), а находящиеся на ней электроны — разрыхляющими электронами. [c.95]

Величина сверхтонкого взаимодействия с каждым из атомов радикала должна зависеть от электроотрицательности и от характера распределения заряда в радикале. Вообще говоря, можно ожидать сильного сопротивления большому разделению зарядов, но это обусловлено слабой поляризацией всей электронной системы, а не полной локализацией одного или двух электронов. У большинства из радикалов, которые мы будем рассматривать здесь и в последующих главах, неспаренный электрон находится на разрыхляющей орбитали. Поэтому, если мы хотим обсудить влияние электроотрицательности на распределение плотности неспаренного электрона, необходимо рассмотреть всю совокупность как связывающих, так и разрыхляющих орбиталей. Электроны на связывающих орбиталях связаны наиболее прочно, так как они расположены в основном в области самой низкой потенциальной энергии между атомами, но ближе к атому с большей электроотрицательностью. Электроны разрыхляющих орбиталей выталкиваются из указанной области по направлению к атому с меньшей электроотрицательностью. Таким образом мы приходим к выводу, что чем больше электроотрицательность атома, тем ниже должна быть на нем плотность неспаренного электрона. Точно так же, если рассматривать электронное строение радикала в рамках дырочного формализма, нетрудно установить, что относительно положительная дырка притягивается к атому с меньшей электроотрицательностью. [c.120]

В молекуле О , Га, N0 последние электроны разрыхляющие, и электроны будут переходить от молекул на атомарные ионы с выделением энергии. [c.97]

Согласно теории молекулярных орбиталей образование устойчивого комплекса связано с понижением энергии в процессе формирования связывающих МО сравнительно с энергией свободного центрального атома и лигандов. Заполнение электронами разрыхляющих МО уменьшает устойчивость системы. С ростом заряда ядра атома металла энергия на связывающих МО будет понижаться и устойчивость комплексов переходных металлов увеличиваться в периодической системе слева направо. После заполнения связывающих орбиталей, когда заполняются оставшимися электронами только иесвязывающие орбитали, устойчивость комплексов тоже растет. Но при большом числе п оставшихся электронов (п>3 для высокоспиновых комплексов п /i>6 для низкоспиновых) будут заполняться разрыхляющие орбитали и устойчивость будет падать. Прп максимальном заполнении разрыхляющих орбиталей устойчивость комплексов минимальна. [c.234]

Молекулярная орбиталь, энергия которой меньше энергии атомной орбитали изолированного атома, называется связывающей, а находящиеся на ней электроны — связывающими. Молекулярная орбиталь, энергия которой больше энергии атомной орбитали, называется антисвязывающей или разрыхляющей, а находящиеся на ней электроны — разрыхляющими. [c.92]

Рассмотрим теоретические возможности определения устойчивости комплексов. Согласно наиболее общей трактовке теории МО (теория поля лигандов) образование устойчивого комплекса связано с понижением энергии на связывающих МО по сравнению с энергией свободных ц. а. и лигандов (раздел У.З). Чем ниже энергия связывающих МО и чем больще на них электронов, тем устой чивее должен быть соответствующий комплекс. Но наряду со связывающими МО существуют и разрыхляющие, а также несвязывающие. Заполнение электронами разрыхляющих МО уменьшает устойчивость системы. Роль несвязывающих МО также существенна хотя они и не образуют МО с лигандами, все же подвержены электростатическому влиянию последних. Можно, следовательно, утверждать, что устойчивость комплекса определяется [c.301]

Рассмотрим теоретические возможности определения устойчивости комплексов. Согласно наиболее общей трактовке теории МО (теория поля лигандов) образование устойчивого комплекса связано с понижением энергии при образовании связывающих МО по сравнению с энергией свободных центрального атома и лигандов (раздел П1.3). Чем ниже энергия связывающих МО и чем больше на них электронов, тем устойчивее должен быть соответствующий комплекс. Но наряду со связывающими МО существуют и разрыхляющие, а также несвязывающие. Заполнение электронами разрыхляющих МО уменьшает устойчивость системы. Роль несвязывающих МО также существенна хотя они и не образуют МО с лигандами, все же подвержены электростатическому влиянию последних. Можно, следовательно, утверждать, что устойчивость комплекса при прочих равных условиях определяется следующими распределением электронов по связывающим, несвязывающим и разрыхляющим МО, т. е. электронной конфигурацией [c.197]

В которой значение волновой функции, а, следовательно, и ее квадрата, обращается в нуль. Это означает, что в рассматриваемом случае уменьшится и плотность электронного облака в пространстве между атомами. В результате притяжение каждого атомного ядра в направлении к межъядерной области пространства окажется более слабым, чем в противоположном направлении, т. е. возникнут силы, приводящие к взаимному отталкиванию ядер. Здесь, следовательно, химическая связь не возникает образовавшаяся в этом случае МО называется разрыхляющей (дразр 15 ) а находящиеся на ней электроны — разрыхляющими электронами. [c.141]

На рис. 8.28 продемонстрировано последовательное развитие молекулярных орбиталей из двух, трех и четырех 25-орбиталей атомов, расположенных на одной прямой. На рис. 8.28, а мы видим, как образуется одна молекула возникают одна связывающая и одна разрыхляющая МО и заполнена лишь связывающая МО. На рис. 8.28, б рассматривается линейная группировка Ь1з. Новая (третья) МО располагается между двумя МО системы Ыд, но она является несвязывающей МО. При наличии только трех электронов разрыхляющая орбиталь остается пустой. В линейной группировке (рис. 8.28, в) имеются две связывающие и две разрыхляющие орбитали, и расстояние между энергетическими уровнями еще больше уменьшается. Здесь снова половина орбиталей является связывающими, и при условии, что каждый атом имеет один электрон, только эти орбитали должны быть заполнены. [c.279]

Температура плавления тугоплавких карбидов определяется главным образом наличием нелокализованных электронов, разрыхляющих рещетку. При переходе от Т1С к 2гС и НГС она возрастает (3067, 3420, 3950° С) соответственно повышению СВАСК -металлов при существенной стабилизации хр -конфигураций атомов углерода. При образовании карбидов металлов V группы, атомы металлов которых являются менее сильными донорами, за счет некоторого преобладания локализации -конфигураций атомов металлов над делокализацией зрЗ-конфигураций, температуры плавления карбидов Ме С, за исключением УС, несколько повышаются (УС—2700, МЬС—3600, ТаС—4000° С). Сторме отмечает [33], что очень высокая температура плавления карбидов, достигающая максимального значения у ТаС, определяется суммой энергии связей Ме—Ме и Ме—С. Хотя любая из этих двух видов связи у ТаС не сильнее какой-либо связи в карбидах металлов других групп, сумма связей у ТаС больше. Для карбидов делокализа- [c.72]

Таким образом, для получения Ф, равного 107 , достаточно включения приблизительно 17% 25М-орбитали в каждую N — Н связь, т. е. около 50% на все три связи. На уединенную пару остается не менее 50% 5-орбита-ли. Наиболее современное изображение контурной диаграммы суммарной электронной плотности в молекуле аммиака приведено на рис. 285, где даны два разреза через молекулу МНз. В обоих случаях видно скопление электронной плотности внутри пирамиды вдоль оси 2, а также и по направлениям связей N — Н. Над ядром азота видно скопление плотного облака уединенной пары электронов, разрыхляющей молекулу и отвечающей Зст-молеку-лярной орбитали. [c.313]

Таким образом, АР образуются при захвате электрона разрыхляющей л -МО соединения-акцептора, а КР — путем потери л-элек-трона или электрона неподеленной пары. Данные спектров ЭПР указывают на то, что неспаренный электрон в АР и КР сильно делокализован. [c.324]

Общая химия (1984) -- [ c.121 ]

Общая и неорганическая химия (2004) -- [ c.89 ]

Курс неорганической химии (1963) -- [ c.158 ]

Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников Издание 2 (1973) -- [ c.319 ]

Курс неорганической химии (1972) -- [ c.142 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология