Плотный слой ионов

Из изложенного очевидно, что при уменьшении избытка ионов в диффузном слое, например при переходе их в плотный слой, ионы, ушедшие из диффузного слоя, перестают участвовать в электроосмосе. Очевидно, что такой переход, связанный с уменьшением эффективного заряда и -потенциала, приводит к уменьшению движущей силы в данном электрическом поле, а следовательно, к уменьшению перенесенного количества жидкости. [c.179]

В соответствии со сказанным, внешнюю обкладку можно разделить на два слоя плотный слой ионов, приближенных вплотную к поверхности, и диффузный. Строение плотного слоя зависит от того, сохраняется ли гидратная оболочка иона при его адсорбции или же ион частично дегидратирован. Толщину плотного слоя d определяют как расстояние от поверхности (точнее, от центра тяжести зарядов внутренней обкладки) до плоскости, проходящей через центры ближайших к поверхности противоионов . Эту плоскость называют плоскостью наибольшего приближения ионов. [c.197]

Отрицательно заряженная частица вместе с плотным слоем ионов внешней обкладки приобретает направленное движение в [c.212]

Отрицательно заряженная частица вместе с плотным слоем ионов внещней обкладки приобретает направленное движение в сторону положительного полюса, тогда как ионная атмосфера (диффузный слой) перемещается в противоположном направлении. При выборе системы координат, неподвижно связанной с частицей, получается картина, принципиально идентичная электроосмосу, и, следовательно, уравнение (ХП.26) должно быть применимым к электрофорезу (с обратным знаком). В отличие от электроосмоса здесь можно непосредственно измерить линейную скорость движения частицы и, а также поле X — Efl, где Е — разность потенциалов на электродах / — расстояние между ними. [c.197]

ЭФФЕКТ ДИСКРЕТНОСТИ ЗАРЯДОВ ПЛОТНОГО СЛОЯ ИОНОВ [c.99]

Частицу с окружаюш,им ее плотным слоем ионов называют гранулой, а с двойным слоем — мицеллой. Построение мицеллы представляют следующим образом [c.28]

Основу коллоидной частицы составляют микрокристаллы труднорастворимого Ре(ОН)з называемые агрегатами. В результате избирательной адсорбции на поверхности агрегата образуется положительно заряженный слой, состоящий из п ионов водорода (потенциалообразующие ионы, сокращенно ПОИ). Агрегат вместе с потенциалообразующими ионами образует ядро. Под действием электростатических сил притяжения у ядра формируются слой ионов противоположного знака — противоионов, компенсирующих частично заряд ядра. В рассмотренном примере их роль выполняют ионы СГ. Частицу с окружающим ее плотным слоем ионов называют гранулой. [c.137]

Однако при рассмотрении обратного процесса - репептизации - все эти осложнения возрастают в огромной степени. К этому вопросу мы вернемся в дальнейшем. К этим осложнениям добавляется еще новый фактор, а именно эффект дискретности зарядов плотного слоя ионов. Эта дискретность проявляется при расстояниях между двумя заряженными поверхностями одного порядка или меньше, чем расстояния соседних ионов в каждой из них, и приводит к уменьшению отталкивания или даже к переходу в притяжение. Ввиду принципиальной важности этого вопроса остановимся на нем подробнее. [c.99]

С этими соображениями нельзя согласиться прежде всего потому, что интегрирование силы взаимодействия можно, как мы видели (см. гл. VII, 4), при весьма общих предположениях производить аналитически, в частности, для случая независимости потенциала от расстояния между поверхностями и для случая независимости от расстояния шютности поверхностного заряда частиц. Если бы нельзя было аналитически проинтегрировать выражение для силы, то было бы невозможно получить это выражение и через производную от свободной энергии. Принципиальные преимущества силового метода следующие выражение для силы взаимодействия можно получить весьма просто и строго из общих положений электростатики и статистики, используя, например, известную формулу для пондеромоторных сил в электрическом поле это выражение не зависит от того, как меняется потенциал или заряд поверхности с расстоянием между частицами, и, следовательно, носит общий и фундаментальньЛ характер в него легче ввести коррективы, учитывающие влияние диэлектрического насыщения, плотного слоя ионов, зеркальных сил и дискретности ионов, проникновения электрического поля внутрь частиц. [c.184]

В плотном слое ионы максимально приближены к поверхности электрода, и их центры образуют так называемую плоскость Гельмгольца. Грэм [5] принял во внимание также возможность сцецифической адсорбции ионов в этом случае ионы связаны с поверхностью электрода силами, напоминающими по природе химические, и их центры расположены ближе к поверхности электрода, чем центры ионов плотного слоя, притянутые лишь электростатическими силами (см. рис. 1, б). Поэтому, по Грэму, следует рассматривать две плоскости Гельмгольца — внутреннюю, отвечающую центрам специфически адсорбированных с деформированными сольватационными оболочками ионов (индекс г на рис. 1), и внешнюю, образованную центрами максимально приближенных к поверхности электрода специфически неадсорби-рованных, обычно сольватированных ионов. [c.7]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология