Число спонтанно образующихся центров

Законы кристаллизации, установленные Тамманом для однокомпонентных систем, можно сопоставить с соответствующими отношениями в коллоидных гелях. Тиссен и Трибель наблюдали образование шаровых зародышей в олеате натрия при его переохлаждении. Так же как и в расплавах, реакции, протекающие в коллоидных системах, управляются соотношениями между числом спонтанно образующихся центров и степенью переохлаждения, а также временем, концентрацией и даже термической историей раствора. Шарообразные агрегаты образуются только три сравнительно быстром охлаждении, тогда как медленное охлаждение способствует развитию волокнистых форм. Как, и в расплавах, анизотропия центров благоприятствует образованию кристаллитов. В коллоидных электролитических растворах олеината натрия частицы с различными размерами в большинстве случаев образуются в начале зародышеобразования, но их количество сильно уменьшается с повышением температуры. [c.385]

Изменение числа центров кристаллизации (ч. ц. к.) с температурой при постоянных р и 1 показано на рис. 127, б. Относительное малое число центров, возникающих при температурах, близких к температуре плавления металла-растворителя, объясняется повышенной вязкостью расплава в этих условиях. Снижение числа образующихся кристаллов при максимальных температурах выбранного интервала связано с приближением р-7 -пара-метров процесса к линии равновесия графит — алмаз, что должно резко уменьшать вероятность спонтанного зарождения кристаллов алмаза. [c.370]

Мерой способности к спонтанной кристаллизации является скорость образования центров кристаллизации, т. е. число образующихся в единицу времени в единиц объема кристаллизационных центров. Кристаллизационными центрами называют [c.607]

Принципиально возможны два механизма образования зародышей на кристаллической поверхности непрерывный рост и спонтанная кристаллизация. В первом случае процесс роста можно представить следующим образом. Атом, достигший подложки, мигрирует на ее поверхности, пока не займет положения с минимумом энергии у активного центра. Активными центрами могут служить различного рода нерегулярности, в том числе изломы и ступеньки недостроенных атомных плоскостей, дислокации, ступени скола, скопления дефектов. Действуя подобно атомным ловушкам, эти нерегулярности являются предпочтительными местами для образования скоплений осаждаемых частиц, а искажения потенциального рельефа около нерегулярностей обусловливают сток мигрирующих атомов. Согласно такому представлению, число и размер зародышей должны постепенно увеличиваться, с течением времени. При спонтанном образовании зародышей, когда пересыщение превыщает критическое значение, начинается самопроизвольная кр,и-сталлизация. При таком механизме в некоторый момент могут образоваться зародыши приблизительно одинакового размера, и до определенного момента число их будет увеличиваться без существенного изменения размеров. [c.209]

Мерой способности к спонтанной кристаллизации является скорость образования центров кристаллизации, т. е. число образующихся в единицу времени в единице объема кристаллизационных центров. Кристаллизационными центрами называют те точки, в которых начинается рост отдельных кристаллов. Чем большее число кристаллизационных центров, образующихся в единицу времени, и чем меньше скорость, с которой происходит рост кристалла из его центра по всем направлениям, тем более мелкозернистым будет строение затвердевшего сплава. Тонкокристаллическое строение большинства металлов обусловливается главным образом их большой склонностью к спонтанной кристаллизации. [c.544]

Кристаллизационная способность зависит от двух главных факторов от спонтанного образования центров кристаллизации, измеряемого числом спонтанно образующихся зародышей в единице объема в единицу времени при заданной степени перео> лаждения, и от скорости кристаллизации, определяюще йся ростом центров кристаллизации в миллиметрах в единицу времени. Для измерения обеих величин под микроскопом определяется величина смещения границы между кристаллизующейся и жидкой фазами и подсчитывается количество центров по мере их появления, [c.376]

Примером пейсмейкера может служить синусовый узел в ткани сердечной мышцы [4]. Возможно, что часть ведущих центров при реакции Белоусова— Жаботинского представляет собой в действительности пейсмейкеры, образовавшиеся благодаря посторонним включениям (частичкам пыли, пузырькам углекислого газа и т. п.). В окрестности примесей свойства реагирующей смеси могут измениться таким образом, что произойдет локальный переход от ждущего к автоколебательному режиму либо возрастет частота автоколебаний (см. [18]). Тем не менее]основная часть спонтанно возникающих ВЦ должна иметь иное происхождение, поскольку среднее число спонтанно образующихся ВЦ практически не уменьшается при тщательной очистке раствора (см. [86, И]). [c.183]

Определения факторов кристаллизации имеют важное значение для производства стекла. Сохранение низкой степени спонтанной кристаллизации и низкой скорости кристаллизации представляет необходимое условие для прекращения спонтанной кристаллизации (подробнее см. Е. I, 1в5 и ниже). Зальманг, Кёрнер и Лерч привели наглядный пример стекла, которое кристаллизовалось при температуре 200°С в течение нескольких лет в заводской лаборатории в стекле развились сферолиты и в конце концов образовалась структура фарфора Реамюра . Изучение факторов роста кристаллов в магматических расплавах имеет основное значение для решения геологических и петрографических проблем. А. Н. Заварицкий показал, что главное различие между гранитными пегматитами и мелкозернистыми аплитами заключается в резком отличии спонтанного образования центров кристаллизации в них, число которых мало в первом и очень велико во втором случае образования жильного тела. [c.377]

Прежде всего, согласно классическим представлениям, сенсибилизирующими центрами служат вновь образующиеся центры. Для образования на поверхности бромида серебра требуемого числа центров определенных размеров необходимо использовать определенное количество сульфида на единицу поверхности бромида серебра. Слишком крупные центры вызывают спонтанное проявление, т. е. вузль, но роль слишком мелких центров остается невыясненной. Нельзя объяснить также тот факт, что избыток сульфида (5-кратный относительно оптимальной дозы, рис. 4) [c.163]

Раствор-расплавный метод имеет определенные недостатки. Во-первых, растворитель является основной неструктурной примесью, в больших количествах входящей в кристаллы и не позволяющей во многих случаях получать бездефектные кристаллы слюды. При проведении кристаллизации путем медленного охлаждения число центров слюдообразования велико. Вследствие разницы плотностей слюды и раствора кристаллы слюды часто опускаются на дно тигля, где их рост прекращается из-за недостатка питания. При высоком содержании фторфлогопита в растворе-расплаве образуется поликристаллический агрегат из разиоориентированных пластин слюды (рис. 5) с дефектами, присущими расплавнон кристаллизации. При спонтанной кристаллизации размер получаемых кристаллов обычно не превышает первых сантиметров. Проведение кристаллизации на затравку из раствора-расплава затруднено частичным разложением затравки и невозможностью создания необходимых температурных условий на фронте кристаллизации. [c.20]

Спонтанная кристаллизация в условиях локализации центров кристаллизации. Для ограничения числа центров кристаллизации и их локализации в кристаллизаторе часто используют тигель с придонной диафрагмой с отверстиями и специальный режим охлаждения раствора-рас-плава. При помещении такого тигля с раствором-расплавом в неоднородное температурное поле таким, образом, чтобы кристаллизация начиналась в нижней части раствора-расплава под диафрагмой, отдельные кристаллы будут прорастать через отверстия в диафрагме и тем самым служить центрами кристаллизации для верхней части раствора-расплава. Разращивание этих кристаллов осуществляется в режиме с понижением температуры вначале до 0,5°С/ч, а затем ио специальной программа, учитывающей количество центров кристаллизации, увеличение объема кристаллов в процессе роста, их растворимость и др. При этом стремятся, чтобы линейная скорость роста не превышала экспериментально найденную скорость роста качественных монокристаллов и оставалась постоянной в процессе кристаллизации. Как правило, участки кристаллов, выросшие па последней стадии роста в близких к равновесным условиям, — наиболее качественные. [c.156]