Двойники инверсии

Линии, разделяющие двойниковые области (пунктир), проведены через атомы О4—О5 (/ -вариант), Оз—Об (л-вариант). О]—О2 (с-вариант). Двойникующие плоскости/п параллельны плоскости чертежа 1—2 — атомы (I) и О (2) <3 — результирующие двойникующие центры инверсии [c.102]

Двойником называется закономерный сросток двух однородных кристаллов, в котором один кристалл отличается от другого зеркальным отражением в плоскости симметрии (плоскость двойникования), или поворотом вокруг оси симметрии (ось двойникования), или изредка отражением в центре инверсии. Двойниковой плоскостью может служить любая возможная грань кристалла, кроме грани, параллельной плоскости симметрии одиночного кристалла, двойниковой осью — любое ребро, или нормаль к грани, или нечетная ось симметрии одиночного кристалла. [c.370]

Двойникование кристаллов — явление, заключающееся в образовании в твердом теле двух кристаллических структур с различной ориента-Щ1ей, связанных определенным преобразованием симметрии отражением в некоторой кристаллографической плоскости (плоскости двойникования), поворотом вокруг определенной кристаллографической оси (оси двойникования), инверсией относительно точки (соответственно двойники отражения, аксиальные двойники, двойники инверсии). В одном и том же кристалле могут реализоваться несколько типов двойникования, различающихся плоскостями или осями двойникования (законами двойникования). [c.13]

Габитус кристаллов — короткие призмы, оканчивающиеся ромбоэдрами (удлинение по оси с), или неправильной формы зерна, часто встречаются двойники одноосный, положительный По= 1,544, Пе = 1,553 показатели светопре ло мления исключительно постоянны как у природных, так и искусственных кристаллов спайность отсутствует. ДТА (—) 573°С (обратимое полиморфное превращение в а-кварц с теплотой инверсии 18,84 кДж/кг). ИКС сильные полосы поглощения при (см ) 467,3—463 520,8—518,1 694,4—689,7 781,3 800 1093 1159. АЯО = —880,32 кДж/моль, AG° = = —805,54 кДж/моль, S = 41,87 Дж/(моль-град). Плотность 2,65 г/см Твердость 7. Почти не растворяется в Н2О, НС1 и H2SQ4, [c.219]

В рассматриваемой 7 -модели двойниковые компоненты связаны двумя последовательными преобразованиями симметрии поворотом вокруг граничной системы осей 2 и 21 и отражением в системе плоскостей 1120 , перпендикулярных к осям. Результирующими двойникующими элементами симметрии на микроскопическом уровне будут центры инверсии, расположенные в виде ромбоэдрической сетки между двойниковыми компонентами на пересечении системы плоскостей (1120) и осей 2 и 2[ со сдвигом на Да (см. рис. 23). Таким образом, согласно 7 -модели бразильские двойники в а-кварце относятся к категории инверсионных двойников. Это согласуется с их макроскопической симметрией, поскольку 32т = 32/. [c.103]

ДВОИНИКОВАЯ СТРУКТУРА (лат, stru tnra — построение) — структура материала с двойниками — областями кристаллической решетки, закономерно переориентированными относительно исходной (матричной) решетки. Закономерность переориеп-тации состоит в том, что решетка двойника совмещается с исходной кристаллической решеткой либо поворотом вокруг двойниковой оси, либо отражением в двойниковой плоскости, либо той и другой операцией, а следовательно, и инверсией в двойниковом центре. В кристаллографии для описания Д. с. используют четыре осн. характеристики, паз. элементами двойникования плоскость двойникования, направление двойникования, вторую осн. плоскость (второе круговое сечение) и ось осн. зоны (линию пересечения второй осн. плоскости и плоскости сдвига) (рис. на с. 318). [c.317]

Один из предложенных методов [92] заключается в нагревании сдвойникованной пластинки до температуры выше температуры превращения с последующим медленным охлаждением р-кварца до температуры ниже температуры инверсии. Если при этом зародышеобразование а-фазы начнется в одной точке, то можно надеяться на образование крупного несдвойни-кованного кристалла. Более надежный метод состоит в отжиге пластинки при температуре ниже температуры превращения а—>р, причем образец подвергают действию скручивающего напряжения. Затем пластинку медленно охлаждают до комнатной температуры. В итоге можно получить образцы со свободной от двойников областью, охватывающей всю площадь пластинки. Для такого процесса нужны напряжения 2 кгс/мм-. Способность кварца к раздвойникованию анизотропна [92], Кристаллографическая ось с направляется перпендикулярно длинному ребру пластинки, а крутящий момент прикладывается по отношению к ее длинной оси. [c.166]

В соответствии с теорией си.мметрии в зависимости от симметрии мультикристалла число содержащихся в нем монокристаллов может достигать значений М = 2. 4, 6, 8, 12, 16, 24, 48. При М — 2 образуется двойник (с центром инверсии), который назовем двойником П1 рода. При М >-4 мультикристалл обладает симметрией тетраэдра, куба, октаэдра, додекаэдра и т. д. Примерами подобных мультикристаллов являются природные симметричные сростки минералов флюорита, марказита, крнсто-балита, халькопирита и др. [11]. [c.258]

Кристаллы 1пЗЬ являются полярными со структурой типа сфалерита. В отличие от структуры алмазоподобных полупроводников в них имеются два сорта атомов и отсутствует центр инверсии поэтому кристаллы, выращенные по методу Чохральского, в направлении В <(111)> и В <211)> (сторона с атомами сурьмы обращена к расплаву) растут хорошо, а в обратном полярном направлении А <111) и А <211) (индиевая сторона — к расплаву) растут плохо, наблюдаются двойники. При этом всякие изменения диаметра растущего кристалла способствуют появлению двойников. [c.82]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология