Направление двойникования

Кристаллизуется в виде призматических удлиненных кристаллов, часто имеющих простое двойникование в поперечном направлении Иср= 1,630. Потеря массы (по статическому методу) в основном в пределах температур 650—700°С. При разложении образуется Y- 2S. Плотность 2,84 г/см . Растворяется в НС1. Образуется при гидротермальной обработке различных исходных материалов с соответствующей величиной отношения a/Si при температурах 400— 800°С и давлении>29,4 МПа. Может быть получен из 3S при температуре 807°С и давлении 17,15 МПа при выдержке в течение [c.303]

Под воздействием сжимающих нагрузок при комнатной температуре в кристаллах бериллия не происходит двойникования, так как сжатие препятствует росту объема двойника в направлении, перпендикулярном плоскости базиса, и кристалл разрушается хрупко. Образцы из поликристаллического бериллия, полученные методами порошковой металлургии, разрушаются, по данным экспериментов, скалыванием по плоскости базиса. Пластичность, как это следует из диаграмм деформации, колеблется от О до 40%- [c.16]

Пленки никеля, палладия и золота [20] состоят из хорошо ограненных кристаллитов большей частью правильной геометрической формы с гранями (111), параллельными подложке. На рис. 9 и 10 показаны такие пленки золота и палладия. На снимках видно много кристаллов треугольной формы, которые на самом деле, несомненно, представляют собой тетраэдры, вероятно усеченные в вертикальном направлении в газовую фазу обраш,ены, безусловно, только грани (111). Часто встречаются также пяти- (рис. 9) и шестиугольники (рис. 9 и 10). Обе эти неидеальные формы можно считать структурами многократного двойникования по тетраэдрическим граням (111). Иногда наблюдаются и другие двойниковые структуры [20]. Доказательства многократного двойникования можно получить из электронно-микроскопических снимков темного поля или данных по относительным интенсивностям на дифрактограммах [20]. Очевидно, что пятиугольные кристаллиты не могут иметь идеальную кристаллографическую структуру кубической симметрии. Очень маленькие пятиугольные частицы наблюдаются для ряда систем, в том числе дыма (аэрозоля) серебра [23], золота, напыленного на золотую подложку [24], золота, осажденного из водных растворов [25] или нанесенного на поваренную соль [26, 27], а также для приведенных ранее случаев [20]. Пятиугольная частица фактически является пентагональной бипирамидой (рис. И, а), которая может образоваться в результате многократного двойникования пяти тетраэдров по граням (111) (рис. 11, б) [20, 23, 26]. Электронно-микроскопические снимки не показывают деформации, дислокации или другие дефекты, соответствующие щели на рис. 11, б. По-видимому, структура реальных кристаллитов релаксирует, и поэтому между двойниками не образуются дислокации. Структуру с гексагональной в плане симметрией и отвечающими эксперименту дифракционными свойствами на первый взгляд можно получить двойникованием 16 тетраэдров, однако нерегулярный характер одной из граней делает труднообъяснимой частоту появления гексагональной структуры. Двойникование 20 тетраэдров дает трехмерный икосаэдр (рис. 11, в), имеющий гексагональную проекцию и требуемые дифракционные свойства. Кристаллиты с гексагональной проекцией скорее всего представляют собой икосаэдры. [c.261]

При деформации монокристаллов помимо двойникования и мартенситных превращений возможны наклон и скольжение молекулярных цепей. Уже само высаживание монокристаллов пирамидальной формы на жесткую подложку сопровождается скольжением молекулярных цепей в направлении [001] (см. раздел 1.4). Если температура высаживания отличается от комнатной, то при остывании в монокристалле начинают развиваться сдвиговые напряжения. [c.168]

Двойники, у к-рых плоскость двойникования совпадает с плоскостью кристаллической решетки и характеризуется индексами, представляющими собой целые и малые числа, а ось осн. зоны отвечает направлению в решетке, также определяемому целыми и малыми индексами (т. е. плоскость двойникования и ось осн. зоны рациональны), наз. двойниками первого рода. Двойники, у к-рых вторая осн. плоскость параллельна плоскости, определяемой целыми и малыми индексами, а паправление двойникования параллельно рациональному направлению в решетке, наз. двой-виками второго рода. В кристаллах высокой симметрии (кубических и нек-рых гексагональных) двойники не разделяются, поскольку все их [c.317]

При медленном осаждении из разбавленного раствора высшие парафины образуют монокристаллы ромбической сингонии в виде ромбовидных чешуек, ограниченных с боков плотно упакованными гранями (ПО) [19]. Верхняя и нижняя поверхности каждой чешуйки представляют грани (001), а молекулы располагаются перпендикулярно этим граням и параллельно направлению [001]. Кристаллы часто принимают форму пирамид с террасами, так как в их росте участвуют винтовые дислокации, и толщина последовательных слоев в общем соответствует длине одной молекулы парафина, если учесть ее плоскую зигзагообразную конформацию. При более быстром росте кристаллы начинают приобретать все более дендритную форму и обнаруживают явление двойникования [20]. [c.429]

При электронной микроскопии монокристаллы с двойниковыми структурами представляют лишь второстепенный интерес. Этим методом может быть определено (по электронной дифракции) кристаллографическое направление плоскости [9, 10, 20]. Отметим далее, что поле наблюдения в электронных микроскопах настолько ограничено, что довольно редко встречаются случаи, когда полосы двойникования локализованы достаточно удобно для их сопоставления с интересующими нас фигурами травления. [c.132]

Случай, когда ось двойникования не лежит в плоскости электронограммы (плоскость двойникования не находится в отражающем положении), является более сложным для анализа. В этом случае полезно построить модель обратной решетки, содержащую узлы, образовавшиеся в результате двойникования. Для г.ц.к. решетки при плоскости двойникования pqr) типа (111) узлы от двойника располагаются вдоль направлений [111], проходящих через матрицы они находятся на расстоянии 1/3 периода от узлов матрицы. [c.472]

Ориентацию элементов микроструктуры объекта (плоскости скольжения или двойникования, линии дислокации, плоскости габитуса частиц второй фазы, направление преимущественного выделения частиц и т. д.) устанавливают после определения ориентировки самой фольги и индицирования точечной электронограммы. За- [c.477]

Пластическая деформация кристаллов в основном подразделяется на два типа — скольжение и двойникование. Скольжением кристаллов называется сдвиг некоторых частей кристалла по определенным плоскостям вдоль определенных направлений. При сдвиге в кристаллах образуются полосы скольжения. Кристаллическая решетка в этих полосах и вблизи них сильно искажена, что обнаруживается по астеризму рентгеновских отражений. Вблизи полос скольжения имеются упруго напряженные области, в которых локализованы так называемые остаточные напряжения [4-7]. [c.13]

Рис. 1.1 Сферическая область материнского кристалла единичного радиуса после двойникования превращается благодаря послойному относительному сдвигу х в эллипсоид вращения - плоскость двойникования, -П] - направление сдвига, — второе круговое сечение эллипсоида, - угол наклона большой оси эллипсоида по отношению к плоскости

Автором работы [31] изучались процессы образования и дальнейших превращений двойников в кристаллах кальцита и натриевой селитры. Ддя этой це ш из образцов таких кристаллов четырьмя порезами получались прямоугольные призмы, ограненные с двух боковых сторон плоскостями сдвига. Поперечное сечение таких образцов располагалось в плоскости двойникования /С 1. Другая пара боковых граней располагалась перпендикулярно направлению сдвига (рис. 1.3). Образец закрепляли на столике поляризационного микроскопа так, что свет проходил перпендикулярно плоскости сдвига. На этом же столике укрепляли приспособление с толкателем, которым передавалась нагрузка. В поле зрения микроскопа можно было наблюдать прикосновение толкателя к кристаллу и все процессы двойникования (рис. 1,4). [c.17]

Часто зарождение трещин наблюдается в месте встречи двойника деформации с каким-либо прочным барьером, например, фа-ницей зерна или другим двойником (рисунок 2.1.5, а). Как известно, двойники распространяются с высокой скоростью и возникающие при столкновении с препятствием напряжения не успевают релаксировать. Особенно благоприятные условия для зарождения трешин создаются при встрече растущего двойника деформации с ранее образовавшимся, для которого было хара1сгерно другое направление двойникования (рисунок 2.1.5, б). В этом случае концентрация напряжений в месте встречи особенно велика. [c.41]

ДВОИНИКОВАЯ СТРУКТУРА (лат, stru tnra — построение) — структура материала с двойниками — областями кристаллической решетки, закономерно переориентированными относительно исходной (матричной) решетки. Закономерность переориеп-тации состоит в том, что решетка двойника совмещается с исходной кристаллической решеткой либо поворотом вокруг двойниковой оси, либо отражением в двойниковой плоскости, либо той и другой операцией, а следовательно, и инверсией в двойниковом центре. В кристаллографии для описания Д. с. используют четыре осн. характеристики, паз. элементами двойникования плоскость двойникования, направление двойникования, вторую осн. плоскость (второе круговое сечение) и ось осн. зоны (линию пересечения второй осн. плоскости и плоскости сдвига) (рис. на с. 318). [c.317]

Эпемент двойниковой структуры кристалла (граница раздела двойник — исходная, или матричная решетка с двойникующей дислокацией) — плоскость двойникования — вторая основная плоскость г),— направление двойникования т)2 — линия пересечения второй основной плоскости и плоскости кристаллографического сдвига [c.318]

Процесс превращения некоторой структуры в двойниковую тасто сопровождается изменением формы кристаллического образца. Двойникование с изменением формы можно рассматривать как простой сдвиг. При этом шаровая область превращается в эллипсоидальную. Атомы двойника смещаются пропорционально расстоянию от плоскости двойникования их направление смещения называют направлением двойникования (рис. 1.1), Атомная структура двойника отражения в кальците показана на рис. 1,2. [c.13]

Скольжение является наиболее распространенным механизмом пластической деформации кристаллических материалов, однако важную роль играют также образование сбросов и двойнико-вание. При деформационном двойниковании часть кристалла становится зеркальным отражением в атомном масштабе относительно некоторой плоскости в результате однородного двойникующего сдвига в направлении, параллельном этой плоскости. Двойнико-вание принципиально отличается от скольжения тем, что при нем происходит однородное смещение каждого атомного слоя на расстояние, меньшее вектора трансляции. Двойники часто образуются в о. ц. к. кристаллах у них плоскость зеркального отражения (112), а направление сдвигов [11 Г] (рис. 77). Двойники растут в виде плоских дисков, имеющих большое отношение диаметра к толщине. Подобные тонкие диски наблюдаются во многих о. ц. к. материалах их называют также полосами Неймана. Очень часто встречаются двойники и в гексагональных плотноупакованных материалах — цинке, кадмии и магнии. В материалах с г. ц. к. решеткой механические двойники — более редкое явление по [c.181]

Геометрический анализ структуры кварца показал, что наиболее вероятное направление спайности у этого кристалла должно проходить вдоль плоскостей положительного ромбоэдра / . Эксперименты по раскалыванию тонких л -пластин также подтверждают наличие достаточно четко выраженной спайности именно вдоль плоскостей Я. Поэтому преобладание в фигурах удара направлений раскалывания вдоль плоскостей г представляется (на первый взгляд) парадоксальным. Однако эта особенность геометрии фигур удара становится понятной, если учесть модель механического (дофинейского) двойниковаиия. Можно полагать, что при ударе в месте локализации силы происходят упругое сжа- тие кристалла и вслед за ним обязательный переворот части кристалла в двойниковое положение по дофинейскому закону (ис-1 ходный домен а переходит в домен аг). Следующее за этим механическое разрушение кристалла происходит в соответствии со структурой двойникового домена аг, в котором плоскости преимущественной спайности Я расположены параллельно плоскостям г в исходном домене, т. е. в основном кристалле. Зародившаяся таким образом трещина вынуждена следовать в основном (не затронутом двойникованием) кристалле вдоль плоскостей г , являющихся также возможными направлениями спайности кварца, хотя и менее вероятными, чем / -плоскости. При этом (по мере распространения трещин) наблюдается тенденция к развороту поверхности раскола к более естественным / -ориентациям. Так, для фигуры удара на плоскости базиса (0001) характерно формирование / -площадок, притупляющих ребра трехгранной л -пирамиды, а также разворот основных л-плоскостей раскола с образованием на них канавок-углублений, отклоняющих л-ориентацию в сторону смежных плоскостей Я. [c.112]

Двойникование может рассматриваться как следствие вторичного зародыщеобразования, подчиненного структурному контролю со стороны межслоевого катиона. Благоприятствует вторичному зародыщеобразованию склонность фторфлогопитового расплава к переохлаждению. Более одной трети кристаллов, полученных из расплава, составляют двойинкн. Наиболее часто элементами двой-никования являются направления [110] и [310]. В кристаллах фторфлогопита, выращенных из расплавов, иногда встречается несколько микродвойников в пределах одной чистой пластины, что свидетельствует о существенном изменении условий роста в течение времени образования даже одного кристалла. [c.45]

Аналогичные картины описаны И. Л. Хитчисаном для природных и В. А. Дрицем для искусственных волокнистых амфиболов. Появление подобных дифракционных эффектов обусловлено двойникованием, при котором два индивида имеют общее направление осей S и С, а их оси А связаны плоскостью зеркального отражения. После соответствующего изменения ориентировки кристалла за счет его поворота вокруг оси В возникает дифрак- [c.123]

Куракава и Бэн [27], а позднее Келлер и Райдер [28] описали появление деформационных полос при растяжении ориентированных листов, приготовленных из полиэтилена высокой плотности. При этом Куракава и Бэн обнаружили, что в тех случаях, когда угол между направлениями первоначальной и вторичной вытяжки был небольшим, направление полос совпадало с осью с, т. е. с направлением (001) в кристаллических областях полимера. В других случаях было замечено, что полосы оказываются слегка наклоненными по отношению к направлению (001). Поэтому авторы цитируемой работы предположили, что в действительности механизм пластических деформаций не сводится исключительно к скольжению в направлении (001), но складывается из такого скольжения и двойникования. Эффект двойникования под действием приложенных усилий было также предложено рассматривать как причину наблюдаемой переориентации кристаллов при прокатке Франком, Келлером и О Коннором [29]. [c.280]

Однако при деформации монокристаллов (ЗЮ)-двойникования не найдено. Различить эти две моды двойникования можно по углу поворота решетки относительно исходной, так как при (110)-двойниковании решетка поворачивается на 67°, а при (310)—на 55° относительно направления [001]. (ЗЮ)-Двойникование отмечено только при двуосной деформации монокристаллов ПЭ [14] обычно оно происходит при деформации блочного ПЭ (Lewis, см. [15, 16]). [c.166]

Таким образом, на основании многочисленных экспериментальных работ по деформации полимерных кристаллов можно заключить, что за начальные этапы деформации (10—15%) ответственны такие моды деформации, как двойникование и фазовые переходы мартенситного типа. Их развитие зависит от соотношения между направлением приложенной силы и расположением плоскостей молекулярного складывания. Большие деформации наступают за счет постепенного наклона и скольжения цепей. Системы скольжения могут быть различны, но скольжение может происходить только по плоскостям, параллельным плоскостям молекулярных складок. Деформация сопровождается образованием трещин,-пересекаемых микрофибриллами. При низкотемпературной деформации образование микрофибрилл происходит за счет выскальзывания из монокристаллических ламелей отдельных складчатых блоков, соединенных небольшим числом распрямленных молекулярных цепей (см. рис. III. 5, а). При более высоких температурах переход в микрофибриллы происходит, по-видимому, по механизму, предложенному Ко-баяси путем разгибания складчатых молекул и образования из них микрофибрнлл (Kobayashi, см. [4 гл. 7]). [c.177]

Во-вторых, несмотря на существенную разницу в строении ламелей монокристаллов, выращенных из растворов, и ламелей текстурированных блочных материалов, а также разный характер межламелярного контакта, при пластической деформации блочных материалов проявляются те же моды деформации, что и в монокристаллах скольжение вдоль и поперек цепей, двойникование и фазовые переходы мартенситного типа. Однако в деформации блочных образцов есть все же некоторая специфика. В частности, если поперечное скольжение в монокристаллах ПЭ может происходить только в плоскости складывания (ПО), а сдвиг по другим плоскостям приводит к двойникованию или фазовым переходам [16], то в ПЭ с текстурой монокристалла поперечное скольжение наблюдается и по плоскости (100) в направлении [010]. В таких образцах ПЭ, к тому же, обнаруживают только моду Ь мартенситного превращения в деформированных же монокристаллах ориентационные соотношения между двумя решетками очень близки модам 11 и 2, [38]. [c.187]

Внезапное возникновение а-текстуры объясняют обычно двойникованием вдоль (ПО) диагонали, которое возникает в кристаллических ламелях в случае приложения растягивающего усилия между направлениями [100] и [ПО]. Такое двойникование приводит к новой ориентации а-оси почти перпендикулярно направлению растяжения (67° 22 ). Если же ориентирующая нагрузка приложена между направлениями [ПО] и [010], возможен фазовый переход орторомбической решетки в моноклинную. [c.193]

Приступая к дислокационному описанию двойника, полезно посмотреть на двойникующую дислокацию с иной точки зрения. Представим себе одноатомную двойниковую прослойку, изображенную на рис. 103. Край этой прослойки является так называемой частичной дислокацией, вектор Бюргерса которой Ь = 2йtga, где а — расстояние между кристаллическими плоскостями в направлении, перпендикулярном плоскости двойникования, а а — угол двойникования. [c.302]

Необходимо сразу же подчеркнуть важность сдвоенных структур, поскольку о них часто упоминается в специальных работах. Вопрос двойникования в графите интенсивно изучался [38—43] и теперь достаточно ясен. Считают [42], что двойнико-вание может иметь место в исходном кристалле графита под углом 2048 к направлению (1010) и лежать в плоскости 1121). С химической точки зрения это означает, что двойникование происходит под углом 20°48 относительно оси базисной плоскости кристалла и вдоль связей — С—С—, как показано на рис. 76, а. На рис. 76, б черными линиями выделены направления, по которым происходит пересечение плоскостей двойникования 1121 с базисной плоскостью ООО/ , и ясно видно, что гексагональные ямки, параллельные полосам двойникования (которые в свою очередь параллельны друг другу или пересекаются под углом 60°), имеют на гранях атомы углерода в конфигурации кресла. В перпендикулярных ямках атомы углерода на гранях располагаются в конфигурацию зигзаг , или [c.129]

Все ямки, которые всегда имеют гексагональную форму и никогда ни треугольную, ни двенадцатиугольную, ориентированы так, что две из сторон ямок параллельны полосам двойникования (см. рис. 76, б, на котором показана параллельная ямка). Это означает, что все ямки состоят из плоскостей 112/ (ограниченных (1010) направлениями), на которых атомы углерода расположены в конфигурации- кресла, как описано в 3, А-а. [c.141]

Рис. 80. Топография кристалла графита после окисления при 830° в течение 2 час. Поверхностные ступеньки АВ и СЬ расположены в направлениях (1120) и пересекают линии двойникования / и СЯ под углами 90 п 30° (Х250).

Рис. 1.2. Расположение атомов в плоскости сдвига кальцита слева - материнская часть, справа - двойник. Строение границы показано условно ОЕ - плоскость двойникования, ОВ и ОБ - плоскости спайности, ВС и В С - ребра ромбоэдров материнского и сдвойникованного кристаллов, 1 - углерод, 2 - кальций, 3 кислород. Стрелки показывают направления двойникующих усилий

Механическое двойникование является одним из основных типов пластической деформации кристаллов и становится преобладающим типом таковой в случаях затрудненного скольжения (например, при динамических нагрузках, низких температурах, в низкосимметричных структурах). В металлах двойникование чаще реализуется в ГПУ решетках, реже в ОЦК и еще реже в ГЦК решетках. Механическое двойникование полярно - сдвиг может происходить только в одну сторону. Противоположно направленное усилие уничтожает двойник (раздвойникование). [c.14]

Проблема оказалась настолько актуальной, что выдающийся русский ученый Вернадский посвятил ей свою диссертацию (1897), При этих исследованиях Вернадский кроме механических воздействий на кристаллы кальцита использовал также и термоупругие силы, возникающие при локальном нагревании кристалла каплями горячей ртути [26]. Якутович и Яковлева исследовали кинетику механического двойникования и установили, что двойники зарождаются в перенапряженных областях образцов и распространяются со скоростью порядка скорости звука в направлении скольжения при двойниковании [27]. [c.16]

Рис. 1.3. Образец кальцита для испытания на сдвиг в плоскости двойникования АВСВ -плоскость сдвига, ВС и ОА - направления сдвига. Поперечное сечение образца совмещено с плоскостью двойникования ПК, А, I, В, J, С, О, К - вершины ромбоэдра спайности

Рис. 1.4. Схема крепления образца при деформации на сдвиг при двойниковании кальцита и натриевой селитры I - образец. 2 - щеки зажимающего образец устройства, не показанного на рисунке, 3 тл 4 - прокладки, 5 и б - нагружающие толкатели, движущиеся в направляющих пазах станины, 7 к 8 - направления двойникующих и раздвойниковьшающих усилий, 9 - упорные подшипники, укрепленные на станине, 10 - нагружающие винты

Справочник химика 21

Химия и химическая технология