Медленный рост ядер в азидах

Вопрос о медленном росте небольших ядер представляется сложным не только потому, что трудно непосредственно наблюдать медленный рост, но и в связи с тем, что при косвенных доказательствах трудно разграничить медленный рост и происходящее во времени образование ядер, а также из-за осложнений, вносимых скоплениями потенциальных центров, на которых образуются ядра. Следует также объяснить прекращение медленного роста, которое по крайней мере в одном случае происходит резко [15]. Медленный рост, по-видимому, имеет существенное значение в гидратах и азидах. Эти два класса соединений рассматриваются отдельно. [c.24]

Это исследование показало, что образование ядер в этой системе представляет собой гетерогенный процесс, а также определило условия, при которых разложение азида бария описывалось бы соотношением а = к ( — д) . В нем, однако, не приводится доказательств того, что поправка на медленный рост д, которую необходимо вводить нри кинетическом анализе, должна быть отнесена исключительно за счет наблюдаемого на опыте медленного роста ядер, поскольку ни график зависимости размера, ни график зависимости числа ядер от времени при экстраполяции не проходят через нулевое время. Таким образом, круглые ядра, когда они малы, растут даже еще медленнее. Наблюдавшееся Бартлеттом и соавторами резкое прекращение образования ядер также представляет нерешенную проблему. Можно было бы ожидать зависимости вида [c.227]

Здесь можно упомянуть также о третьей теории медленного роста ядер. Можно считать, что ядра образуются в точках разу-порядочения кристаллической решетки, таких, как скопления вакансий или места выхода дислокаций. Однако такими местами могут быть и скопления атомов примесей, в результате чего небольшие ядра могут быть менее чистыми, чем большие. В принципе примеси могут как увеличивать, так и уменьшать скорость роста небольших ядер, поэтому Гарнер считает [13], что возможен как медленный, так и быстрый начальный рост небольших ядер. Автор не склонен придерживаться такого общего объяснения, считая, что влияние обычных примесей в решетке прекращается с образованием ядер, хотя, как показал Рейтцнер [21], пары воды оказывают глубокое влияние на индукционный период разложения азида свинца, а исследование влияния реакционных газов на кинетику разложения некоторых твердых веществ показало заметное снижение скорости [22]. [c.29]

Теория Томаса и Томпкинса, как и теория Мотта основываются па недоказанном существовании подвижных частиц тем самым они подчеркивают необходимость исследования физических характеристик азида бария. Тем не менее теория Томпкинса может быть приведена в согласие с более новыми экспериментальными данными, если иметь в виду, что ядра образуются на по существу аморфных участках кристаллической решетки, где обычные валентная зона и зона проводимости твердого вещества и переходы между ними заменяются на процессы переноса зарядов между почти независимыми атомами и ионами. Это означает, что F-центр может быть относительно устойчив только па расстоянии, равном небольшому числу атомных расстояний от положительной дырки. Таким образом, в пределах каждого аморфного вкрапления процессы возбуждения, ведущие к разложению, могут происходить так, как это описано Томасом и Томпкинсом. Если в пределах одного и того же вкрапления произойдут три таких последовательных бимолекулярных процесса, то образовавшееся при этом скопление из шести F-центров (или трех атомов Ва) способно катализировать прямой перенос электронов на это скопление. Это скопление представляет собой медленно растущее ядро. По мере роста оно присоединяет другие F-центры (атомы Ва), находящиеся в пределах вкрапления, пока не станет нормальным металлическим круглым ядром. В рамках этой модели небольшие дозы облучения, создавая анионные вакансии и электроны, могут обеспечить функционирование большего числа аморфных вкраплений в качестве потенциальных центров образования ядер. Большие дозы облучения могут оказывать комбинированное действие, снижая в некоторых случаях до нуля число стадий термической активации, необходимых для образования активно растущего ядра, [c.233]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология