Дисилицид хрома

Н, Н Н, Дисилицид хрома диборид менее активен [89] [c.485]

Теплоемкость хрома с повышением температуры непрерывно возрастает (табл. 134), а теплопроводность уменьшается (табл. 135). Коэффициент термического линейного расширения хрома, карбида и дисилицида хрома с ростом температуры увеличивается (табл. 136). Особенностью хрома является высокая упругость его паров [c.85]

Хром [9]............. Карбид хрома [47]........ Дисилицид хрома [6 0]..... 7,5 8 8 (20—1200) 8,8 8,0 12,0 (20—500°) 10,0 9,95 12,9 (20—700°) 11.7 [c.85]

Силициды хрома являются парамагнетиками электросопротивление дисилицида хрома достигает величины, характерной для полупроводников 19]. [c.86]

С уменьшением отношения радиусов атомов переходного металла IV, V или VI группы и кремния у дисилицидов наблюдается переход от тетрагональной к гексагональной системе. Однако известные структуры дисилицидов молибдена и вольфрама относятся к тетрагональной системе, хотя указанное отношение (1,20 и 1,21) находится внутри интервала, для которого установлено наличие гексагональных дисилицидов (хром —1,16, ванадий — 1,35). Поэтому надо полагать, что для дисилицидов молибдена и вольфрама должны существовать и гексагональные модификации, которые еще не открыты. Возможно, что эти модификации стабильны лишь выше температуры 1000° и потому еще не были констатированы. Дальнейшие исследования, особенно высокотемпературные, должны решить этот вопрос. [c.153]

ОСОБЕННОСТИ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКОГО СТРОЕНИЯ ДИСИЛИЦИДА ХРОМА [c.291]

В последнее время появился ряд статей японских авторов [9, 10] по исследованию электрофизических свойств (а, о, Rx) дисилицида хрома от температуры жидкого азота до 1000 °С. Полученные данные подтверждают факт появления собственной проводимости выше 300—400 °С, а также неизменность концентрации дырок при более низких температурах. [c.292]

Ha основе рентгеновского исследования Борен [497] установил в системе Сг—Si существование четырех силицидов кубического rgSi фазы неизвестного состава, устойчивой ниже температуры 1000 кубического rSi (типа FeS) и гексагонального rSi2. При этом было найдено, что хром в твердом состоянии растворяет до 1% Si, а кремний хрома не растворяет. Червенко (1951 г.) получал дисилицид хрома горячим прессованием смеси компонентов при температуре 1050°. [c.153]

Дисилицид хрома Сг512 образует игольчатые кристаллы, изоморфные дисилицидам ниобия и тантала, которые на холоде не реагируют с соляной кислотой и царской водкой, но растворяются в плавиковой кислоте [23]. С бором дисилицид хрома реагирует при температуре 1550° [27] с образованием СгВ. [c.156]

Дисилициды хрома и молибдена кристаллизуются различно (см. табл. 2). В системе rSi2 — MoSij при температуре 1300° имеет место образование гексагональных твердых растворов (Сг, Мо) Sij и тетрагональных (Мо, Сг) Sij с разрывом растворимости при содержании 46—68 мол.% rSig. [c.179]

В тройной системе Сг—W—Si изучено лишь сечение rSig — WSia [523, 635]. Дисилициды хрома и вольфрама, кристаллизующиеся в различных системах (см. табл. 2), образуют два типа твердых растворов гексагональный (Сг, W)Si2 и тетрагональный (W, r)Si2. Разрыв растворимости при температуре 1300° имеет место при содержании 16—30 мол.% WSig. Свойства этих твердых растворов изучены мало, но едва ли могут представлять особый интерес ввиду легкой окисляемости при нагревании дисилицида хрома и понижения температуры плавления дисилицида вольфрама в присутствии дисилицида хрома [635]. [c.179]

На основе кристаллохимического анализа дисилицида хрома в сопоставлении с результатами исследования его электрических и магнитных свойств предложена электронновалентная схема соединения. Схема связей в Сг5 2 хорошо объ- [c.364]

Дисилицид хрома Сг312 получен сплавлением компонентов в индукционной печи в тиглях из окиси магния. Его можно также получить методом горячего прессования смеси компонентов в графитовых пресс-формах при ИОО—1300°С. Кристаллы Сг31г получаются при выращивании из газовой фазы восстановлением 31С14 водородом над порошкообразным хромом или нагретой хромовой проволокой. [c.225]

Дисилицид хрома принадлежит к гексагональной сингонии. Микротвердость около 1100 кг1мм . В примесной области обладает дырочной проводимостью. Собственная проводимость наступает выше 400° С. Термическая ширина запрещенной зоны 1,3 эв. Термо-э. д. с. 87мкв1град. Подвижность дырок очень мала. [c.225]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология