Размножение кристаллов поликристаллическое

VII. 121. Предельные скорости роста. В случае монокристаллов предельная скорость роста определяется одним из трех факторов 1) началом дефектного роста 2) началом поликристаллического роста 3) началом зародышеобразования в жидкой фазе. При росте кристаллов в промышленной кристаллизации третий фактор имеет, по-видимому, наибольшее значение. Скорость роста по большей части ограничена размножением кристаллов при столкновениях. Другими словами, скорость роста ограничена используемым пересыщением, а это пересыщение в свою очередь ограничено необходимостью снизить размножение кристаллов до приемлемого уровня, чтобы получать кристаллы не менее какого-то определенного размера. Уровень пересыщения достаточно низок для того, чтобы дефектный рост не играл такого большого значения, как в случае выращивания монокристаллов. [c.269]

Образование обоих типов кристаллов — вещь достаточно обычная, но не всегда возможно выделить условия, способствующие росту кристаллов одного или другого типов. Когда кристаллы первого типа продолжают расти, они очень часто разламываются на отдельные фрагменты. Это происходит как в условиях перемешивания, так и без него. В результате происходит то, что мы называем поликристаллическим размножением. Поликристаллические агрегаты в общем образуются более охотно, чем монокристаллы, и еслп силы сцепления между отдельными частями агрегата слабы, можно, ожидать, что произойдет описанный выше процесс размножения.. [c.107]

Очевидно, основной стадией процесса размножения в этом случав является первоначальный акт образования поликристаллического агрегата. Механизм формирования поликристалла совершенно не ясен. Можно думать, что этот процесс происходит одним из двух способов. Либо первоначальный кристалл обладает способностью вызывать образование других, совершенно самостоятельных кристаллов на контакте со своей поверхностью, либо, возможно, сначала происходит своего рода дендритный рост кристалла, во время которого усиливающиеся деформации могут привести к существенной разориентации между растущими частями кристалла. [c.107]

Размножение расщеплением. Когда происходит размножение иглами или поликристаллическое размножение, часто образуется целый ливень крошечных новых кристаллитов вдобавок к большим обломкам исходного кристалла. Это явление названо размножение расщеплением . [c.110]

Размножение иглами и поликристаллическое размножение связаны с ростом дефектных кристаллов. Обычно оно не проявляется при тех условиях, которые необходимы для получения хороших кристаллов. Следовательно, эти типы размножения не имеют, видимо, большого практического значения. Однако размножение при столкновении универсально в своем проявлении и может иметь место при условиях, при которых возможно выращивание хороших кристаллов. В этом плане размножение при столкновении — наиболее важный тип размножения. До сих пор механизм размножения нри столкновении не выяснен. Он может быть связан с реальным дроблением кристалла, или же имеют место какие-то более сложные явления в очень тонкой пленке жидкости между сталкивающимися кристаллами. Трудно придумать ключевой эксперимент, который внес бы ясность в этот вопрос. [c.110]

III.28. Размножение при столкновении. В описанных выше экспериментах по размножению иглами и поликристаллическому размножению рассматривались кристаллы, закрепленные так, что они не могли сталкиваться с любым другим твердым телом. Если же кристалл может сталкиваться со стенками сосуда или с другими кристаллами, образование новых зародышей происходит чрезвычайно легко, и нри очень низких пересыщениях. По-видимому, это явление универсально и проявляется как в расплавах, так и в растворах. Оно детально изучалось Лалом [Lai, 1966] для случая водных растворов MgS04-7H 0. [c.107]

Присутствие кристаллов в пересыщенном растворе или расплаве может иногда катализировать образование новых кристаллов. Это может происходить различными способами. Начальное размножение имеет место, когда кристалл помещается в пересыщенный раствор. Предполагают,- что начальное размножение связано с присутствием кристаллической пыли на поверхности вводимого в жидкость кристалла. Пыль образуется либо благодаря механическому истиранию кристаллов друг об друга во время их хранения, либо благодаря быстрому осушению кристаллов при их приготовлении. В достаточно сильно пересыщенных растворах может происходить размножение иглами. Этот процесс заключается в росте игл на концах кристалла, которые об.чамываются при перемешивании раствора и служат зародышами новых кристаллов. В пределах данной классификации к иглам относятся и всякого рода выступы, образующиеся на материнском кристалле. Некоторые кристаллы, как выяснилось, обладают свойством расти в виде поликристаллических агрегатов, а не в виде монокристаллов. Эти агрегаты могут разламываться в процессе роста, при этом происходит поликристаллическое размножение. [c.116]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология