Рост кристаллов дендритный

Дендритный рост. При высоких значениях пересыщения, когда рост кристаллов ограничен диффузией, превалирует дендритный тип роста. Он заключается в образовании неправильных или ветвистых агрегатов, напоминающих снежинки. В случае ионных осадков происходит диффузия сольватированных ионов к поверх-ностл растущего кристалла, осаждение этих ионов и высвобождение молекул растворителя с последующей диффузией растворителя в сторону от поверхности растущего кристалла. На ребрах, а особенно — Б вершинах, блокирующее влияние высвобожденного растворителя не так велико, поэтому в таких точках создаются наиболее благоприятные условия роста. Этот процесс назван механизмом затора в движении [47]. Важный аспект дендритного роста состоит в том, что образующиеся при этом кристаллы легко дробятся [48], и в результате возникает так называемое вторичное образование центров кристаллизации. Таким образом число частиц, образующихся при осаждении, может значительно превышать число центров кристаллизации, даже в отсутствие гомогенной кристаллизации. При искусственном стимулировании выпадения метеорологических осадков каждый центр кристаллизации, образованный йодидом серебра, может привести к возникновению тысяч капель дождя за счет дробления дендритных кристаллов льда. Нильсен [15] показал, что получение более мелких частиц при перемешивании в период роста кристаллов, по-видимому, опять-таки связано с дроблением дендритных кристаллов на ранних стадиях осаждения. Ультразвуковая вибрация при осаждении тоже приводит к уменьшению размера частиц. Уолтон [49] считает, что фрагментация дендритных кристаллов может иногда быть альтернативной формой начала гомогенного образования центров кристаллизации. [c.170]

Этот процесс обычно сопровождается явлением катодной пассивации, что и служит, наряду с диффузионным фактором, причиной появления ветвей кристаллов 1, 2, 3,. .. п-го порядков, т. е. причиной образования и роста частиц дендритной структуры. Этому способствует присутствие в прикатодном слое частичек гидроокисей осаждаемого металла, образующихся в момент достижения предельного тока и потенциала выделения водорода. В результате [c.406]

Дендритный рост как особая форма роста кристаллов наблюдается в тех случаях, когда процесс кристаллизации протекает очень быстро, например, при резком охлаждении расплава или раствора. Если переохлаждение намного больше критического, то не происходит даль- [c.334]

Переход от компактных осадков к порошкообразным вызван резким понижением концентрации разряжающихся ионов в прикатодном слое, наступающим при достижении предельной плотности тока. В начальный момент, до достижения предельных условий, на катоде образуется компактный осадок. Однако вследствие неравноценности различных участков катодной поверхности и неодинаковых гидродинамических условий по путям подхода ионов из раствора к катоду начинают развиваться дендритные и иглообразные кристаллы. Этот процесс обычно сопровождается явлением катодной пассивации, что и служит наряду с диффузионным фактором причиной появления ветвей, т.е. роста частиц дендритной структуры. Этому способствует присутствие в прикатодном слое гидроокисей осаждаемого металла, образующихся в момент достижения предельного тока и начала выделения водорода. [c.255]

Переход от компактных осадков к порошкообразным вызван резким понижением концентрации разряжающихся ионов в прикатодном слое, наступающим при достижении предельной плотности тока диффузии. В начальный момент до установления таких условий на катоде образуется компактный осадок. Однако вследствие неравноценности различных участков катодной поверхности и неодинаковых гидродинамических условий рост кристаллов осадка происходит неравномерно. В условиях предельной плотности тока, когда запаса разряжающихся ионов в прикатодном слое нет, растут лишь наиболее активные участки катодного осадка, поскольку к ним по-прежнему доставляются ионы, участвующие в электродной реакции. Начавшийся таким образом неравномерный рост осадка в дальнейшем стремительно прогрессирует, так как развитие образующихся дендритных и иглообразных кристаллов идет в благоприятных условиях из-за беспрепятственного подхода ионов из раствора к катоду. [c.405]

Влияние геометрии теплового поля кристаллизатора на качество кристаллов. Влияние формы поверхности фронта кристаллизации (ПФК) на качество выращиваемых кристаллов общеизвестно. Различают ПФК плоскую, вогнутую или выпуклую по отношению к расплаву. Лучшие кристаллы фторфлогопита получены при плоской ПФК, отражающей отсутствие радиальных градиентов в кристаллизаторе. При выпуклой и особенно вогнутой ПФК всегда существует возможность поликристаллического или дендритного роста кристалла, возникновения термических напряжений в кристалле, захвата примесей на фронте кристаллизации 64 [c.64]

Изучено явление кристаллизации ВеО из газовой фазы (в среде аргона). При этом рост кристаллов обнаружен при температурах 1900, 1800 и даже 1600° С. В процессе роста кристаллов из газовой фазы идет образование дендритных ветвлений и нитевидных кристаллов, так называемых усов. Метод выращивания кристаллов из газовой фазы может стать весьма перспективным, если будут найдены пути повышения скорости и способа управления процессом конденсации. [c.5]

Скорость роста настолько высока, теплота кристаллизации так велика или теплоотвод настолько слабый, что кристалл не в состоянии быстро рассеивать теплоту кристаллизации. В таких условиях межфазная граница будет значительно теплее прилегающей жидкости и в результате рост будет дендритным. [c.238]

Дендритная кристаллизация характеризуется выделением из раствора недостроенных монокристаллов, образовавшихся на многих центрах. Эти дендритные кристаллы, скапливаются в виде древовидной, шарообразной или другой формы, которая обусловлена тем, что в зависимости от структуры молекулы смолы либо встраиваются в кристаллическую решетку парафина, либо адсорбируются на его кристаллах. С повышением концентрации в растворе смолы, с одной стороны, замедляют рост кристаллов, а с другой,-способствуют деформации поверхности кристаллов и возникновению на них новых центров кристаллизации. Степень проявления той или другой тенденции определяется природой смол и обусловливает соответствующую форму и размер кристаллов твердых углеводородов. [c.29]

Значение дислокаций для роста кристаллов следует непосредственно из их топологической природы. Исследования Гиббса, Фольмера и других показали, что фактически невозможно образование нового слоя на завершенной плоскости кристалла с низкими индексами сравнительно насыщенного характера и вообще на любой грани кристалла с полиэдрическим габитусом, если пересыщение недостаточно велико. Это теоретическое заключение подтверждается тем простым наблюдением, что кристаллы часто растут с полиэдрической огранкой. Более свободная диффузия растворенного вещества в направлении к любой выступающей части кристалла или более легкий отвод скрытого тепла от этих мест в пересыщенной или переохлажденной среде должны приводить к тому, что выступающие участки будут находиться в контакте с жидкостью с более высокой степенью пересыщения или переохлаждения, чем менее выдающиеся части поверхности, такие, как центральные части плоских поверхностей. Если бы не имел места тот факт, что поверхность кристалла может оставаться в контакте с пересыщенной или переохлажденной средой, не вырастая, то результатом в таких случаях был бы неизменно дендритный рост. [c.16]

При медленном осаждении из разбавленного раствора высшие парафины образуют монокристаллы ромбической сингонии в виде ромбовидных чешуек, ограниченных с боков плотно упакованными гранями (ПО) [19]. Верхняя и нижняя поверхности каждой чешуйки представляют грани (001), а молекулы располагаются перпендикулярно этим граням и параллельно направлению [001]. Кристаллы часто принимают форму пирамид с террасами, так как в их росте участвуют винтовые дислокации, и толщина последовательных слоев в общем соответствует длине одной молекулы парафина, если учесть ее плоскую зигзагообразную конформацию. При более быстром росте кристаллы начинают приобретать все более дендритную форму и обнаруживают явление двойникования [20]. [c.429]

Рост кристаллов может происходить различными способами. Кристаллы могут расти слоями, причем каждый слой заполняется со скоростью по крайней мере не меньшей скорости образования новых слоев. Поверхность раздела кристалла можно представить либо в виде кристаллографических плоскостей, либо (если при выращивании существует градиент температур) в виде поверхностей, параллельных поверхностям изотермы. Если скорость заполнения слоев меньше скорости их образования, происходит радиальный рост древовидных образований —дендритов. Поверхности раздела в кристалле часто имеют ячеистую (в виде пчелиных сот) структуру. Попытки кинетического и термодинамического объяснения различного характера роста кристаллов имели больший или меньший успех, но к настоящему времени пока нет общей теории, объясняющей все особенности этого процесса. Недавно было обнаружено, что морфология кристаллов в значительной степени определяется величиной энтропии плавления. Вещества с большой энтропией плавления — к этой категории относится большинство органических соединений — имеют кристаллы с большими плоскими гранями, а если энтропия плавления мала — металлы и некоторые органические соединения со сферической симметрией,— кристаллизация сопровождается образованием поверхностей раздела, параллельных поверхностям изотермы, даже если поверхности раздела не совпадают с кристаллографическими. В этих веществах возможен также дендритный или ячеистый рост кристаллов в зависимости от чистоты соединения и температурного режима кристаллизации. На рис. 93 представлены некоторые из поверхностей раздела, наблюдаемых в визуально прозрачных кристаллах. Величина энтропии плавления определяет степень диффузности поверх- [c.202]

Температурные градиенты у поверхности кристалла вследствие неизотермичности кристаллизации, адсорбция примесей и другие причины приводят к появлению дислокаций, дефектов поверхности грани, что снижает энергетический барьер, преодолеваемый частицей для включения ее в кристаллическую решетку. В результате скорость роста кристалла увеличивается. Еще больше эта скорость возрастает вследствие присоединения к расту-шей грани содержащихся в пересыщенном растворе агломератов или блоков зародышей. Это приводит к искажению формы кристаллов и образованию их сростков. В вязких средах при недостаточном перемешивании наиболее доступны для диффундирующих из раствора зародышей и их блоков вершины и ребра кристалла, что приводит к преимущественному их росту. Вследствие этого кристаллы приобретают иглообразную или дендритную (древовидную) форму. [c.44]

Очевидно, основной стадией процесса размножения в этом случав является первоначальный акт образования поликристаллического агрегата. Механизм формирования поликристалла совершенно не ясен. Можно думать, что этот процесс происходит одним из двух способов. Либо первоначальный кристалл обладает способностью вызывать образование других, совершенно самостоятельных кристаллов на контакте со своей поверхностью, либо, возможно, сначала происходит своего рода дендритный рост кристалла, во время которого усиливающиеся деформации могут привести к существенной разориентации между растущими частями кристалла. [c.107]

В зависимости от соотношения скорости образования центров кристаллизации и роста кристаллов могут быть получены осадки с самой разнообразной структурой от гладких мелкокристаллических (например, осадки железа, никеля, кобальта — почти из любых электролитов или осадки меди, цинка и др.— из растворов комплексных солей) до иглообразных, дендритных (осадки свинца или серебра из растворов азотнокислых солей) или губчатых, порошкообразных (например, при лужении из щелочных растворов или золочении из растворов простых солей золота). Характер кристаллизации электро-осажденных металлов зависит как от свойств металла, так и от ряда внешних факторов, влияющих на поляризацию катода (температуры электролита, плотности тока, природы и концентрации электролита и других условий электроосаждения). [c.135]

IV. 10. Возникновение дислокаций. Дислокации могут образовываться различными способами. Один из наиболее очевидных — это приложение внешних сил к поверхности кристалла. Кроме того, дислокации могут возникать под действием внутренних термических напряжений. Они могут также образоваться во время роста кристалла. Например, хотя в гл. HI предполагалось, что зародыши имеют сферическую форму, есть веские основания считать, что часто они имеют дендритную форму. Позднее, в процессе роста, ветви [c.124]

Предложенная Бартоном и Бокрисом модель дендритного роста, равно как и уравнения, соответствующие этой модели, являются довольно грубым приближением попытки более точного описания картины роста наталкиваются на трудности, связанные с описанием геометрии твердого тела. Наоборот, рассмотрение этого вопроса с точки зрения перенапряжения и зависимости составных частей общего перенапряжения от формы растущей поверхности, а также привлечение независимых данных может явиться в первое время путем использования электродной кинетики для понимания механизма электрохимического роста кристаллов. [c.358]

Тип а характеризуется вырастанием на катоде отдельных кристаллов. Эти кристаллы могут стать очень большими и нередко дают дендритные ответвления. Сплошного металлопокрытия, необходимого для гальванотехнической практики, они не дают. Рост кристаллов этого типа часто наблюдается при гальваническом осаждении легкоплавких металлов, например свинца и олова. Изолированный рост отдельных кристаллов из этих электролитов может быть уменьшен путем введения в электролит присадок. [c.69]

Как указывалось выше, при затвердевании чистых веществ возможны две структуры плоская и дендритная. Точно такие же формы роста встречаются и при кристаллизации многокомпонентных расплавов. Плоский фронт наблюдается в тех случаях, когда при положительном градиенте температур в жидкой фазе отсутствует концентрационное переохлаждение. Дендритный рост возможен как лри положительном, так и при отрицательном температурном градиенте. Кроме того, в первом случае возможен еще так называемый ячеистый рост кристаллов, возникающий при определенной величине концентрационного переохлаждения. [c.233]

Морфология образующихся частиц зависит от целого ряда факторов, но наиболее важным является соотношение скоростей их зарожд ения и роста, которые в свою очередь в значительной степени зависят от пересыщения системы. Окончательный размер частиц определяется числом центров кристаллизации и скоростью осаждения вещества. Умеренно растворимые вещества, например карбонаты, обычно осаждаются в виде очень мелких частиц. При медленном, регулируемом росте умеренно растворимых солей можно получать монодисиерсные осадки. При высоких степенях пересыщения первичный критический центр кристаллизации может быть меньше размера элементарной ячейки решетки и начинает расти, не имея упорядоченной кристаллической структуры. Таким путем можно получать аморфные или частично кристаллизованные осадки [И]. При низких степенях пересыщения образуется хорошо сформированный кристаллический осадок, причем форма частиц зависит от структуры кристалла и от процессов, преобладающих на поверхности раздела фаз в ходе роста. На морфологию осадка сильно влияет скорость роста кристаллов. При низких скоростях образуются компактные кристаллы, форма которых соответствует кристаллической структуре. Ионы в растворе вблизи поверхности раздела кристалл — жидкость играют важную роль в модификации формы кристалла. При высоких степенях пересыщения нередко образуются объемистые осадки с дендритными частицами. При еще больших уровнях пересыщения получаются очень мелкие частицы, способные к агломерации или образованию золей. [c.19]

Характер кристаллизации твердых углеводородов зависит также от вида и содержания в сырье смол — модификаторов кристаллической структуры твердых углеводородов, в присутствии которых происходит дендритная или агрегатная кристаллизация. Смолы, не растворимые в феноле, благодаря наличию в молекулах достаточно длинных парафиновых цепей образуют с твердыми углеводородами крупные компактные не связанные между собой смешанные кристаллы неправильной формы, вследствие чего скорость фильтрования увеличивается. Смолы, растворимые в феноле,. и высокомолекулярные ароматические углеводороды адсорбируются на кристаллах твердых углеводородов и в силу высокой по-лярйости способствуют их агрегации, в результате скорость филь- -трования тоже несколько возрастает. Однако существует оптимальное содержание смол, выще которого рост кристаллов затрудняется и показатели процесса депарафинизации ухудшаются. [c.169]

При образовании дендритных кристаллов в растворе с высокой степенью пересыщения скорость роста сильно зависит от температуры поверхности раздела фаз, в этом случае скорость теплообмена контролирует скорость роста. При небольщом радиусе кривизны поверхности растущего кристалла осуществляется быстрый отвод тепла, выделяющегося при кристаллизации, и создаются условия, благоприятствующие росту кристаллов. [c.223]

Источником материала для роста кристаллов железа служит мелкодисперсное железо, образующееся при распаде комплексов. При его недостатке разрастаются только активные участки кристалла, т. е. его ребра и вершины. Более сложные формы роста кристаллов железа — сростки (см. рис. 19, г) и ден-дриты. Наблюдается концентрация этих форм включений в поздних генерациях слюды, образовавшихся из остаточного расплава. Дендритный рост обусловлен наличием градиента концентрационного пересыщения и происходит в направлении <111>, что характерно для металлов с объемно-центрированной кристаллической решеткой. С дендритами железа сокристаллизуются остаточные силикатные и фторидные фазы лейцит, норбергит, хондродит, селлаит. [c.49]

О дендритном росте. До появления теории концентрационного переохлаждения считалось, что дендритный рост кристалла обусловлен переохлаждением расплава. Нет оснований сомневаться в этом и сейчас. А коли так, то линию проявления концентрационного переохлалсдения надо отождествлять с линией возникновения не ячеистой структуры, а дендритной. Однако здесь мы сталкиваемся с затруднениями, так как линия возникновения дендритной структуры на диаграмме V — Сь не совпадает с линией Сточек (см. рис. III. 26). Чем объяснить это несоответствие В настоящее время па этот вопрос ответить невозможно, поскольку нужны дополнительные экспериментальные исследования. [c.128]

Оказалось, что фракции полиэтилена с мол. весом от 21 ООО до 300 ООО образуют в растворе одинаковые вторичные структуры в одном и том же интервале температур. При нанесении кипящего ксилольного раствора на подложку при комнатной температуре получаются кристаллы дендритного характера (рис. 1). Начиная с 40 и до 90° на подложке образуются пластинчатые кристаллы пирамидальной формы, хорошо известные в литературе [5]. На рис. 2 представлена типичная микрофотография, полученная для полиэтилена мол. веса 21 ООО при 70°. На большой плоскости основания, имеющего ромбовидную форму, расположено много более мелких пирамидальных кристал.)1ов. Отдельные слои, образующие соседние кристаллы, перекрываются, 1ю мешая друг другу. На рис. 3 (мол. вес 21 ООО, температура подложки 90°) хорошо видно, что рост кристаллов идет до дислокационному механизму. На рис. 4 приведена микродифракция, снятая с участка монокристалла полиэтилена. Кристаллы получаются в фракционированном полиэтилене низкого давления мо.л. веса от 21 ООО до 300 ООО при температуре подложки от комнатной до 100°. Кроме того, интересно отметить, что изменение концентрации раствора полимера в пределах от 0,001 до 0,1% не сказывается на характере вторичных образований в зависимости от температуры. На рис. 5 (мол. вес 30 ООО, температура 90°) отчетливо видны кристаллы, полученные из 0,1 %-ного ксилольного раствора. Эти кристаллы менее совершенны, чем возникшие в более разбавленном растворе (см. рис. 2). На микрофотографии можно рассмотреть, что утолщения и наросты располагаются чаще всего по краям плоскости основания. Таким образом, фракционированный полиэтилен с мол. весом до 300 ООО при сравнительно низких температурах (до 100°) дает пластинчатые кристаллы. Очевидно, что регулярное строение и одинаковый размер молекулярных цепей значительно облегчают условия образования однородных структурных единиц, что ведет, в свою очередь, к быстрому упорядочению их в более высоко организованные структуры. Выше 100° возникают структуры, подобные структурам в нефракционировапном полиэтилене при этой же температуре [1]. На снимках (рис. 6) появляются полосатые структуры и ленты. Возникшие кое-где плоскости часто образуют завихрения, подобные зародышам сферолитов. Это совпадает с данными Ли Ли-шен, Андреевой и Каргина [6], показавшими, что при 100° происходит резкое ослабление сил связи между отдельными лентами, образующими кристаллы. Начиная с мол. веса ЗОС) ООО и выше характер вторичных структур изменяется. При температуре подложки от комнатной до 90° наряду с пластинчатыми образованиями возникают хорошо сформированные спиралеобразные структуры. На рис. 7 дана микрофотография раствора полиэтилена низкого давления мол. веса 360 ООО при 70°. Одновременно с пластинками хорошо видны типичные спирали. Легко можно рассмотреть, как утолщенные места спирали перерастают в плоскости. Местами видны полосатые структуры. Возникшие спиралевидные образования довольно гибки (рис. 8 мол. вес 30 ООО, температура 90°). [c.150]

Как известно [71, длина цепи молекул, функциональность и природа поверхностно-активного вещества оказывают значительное влияние на поляризацию катода и скорость роста кристаллов металла в отдельных направлениях, т. е. определяют форму и дисперсность частиц металла, выделяющегося на катоде, а, со-Дигидроксиполидиметилсилоксан, выступающий в данном случае в роли поверхностно-активного вещества, существенно влияет на форму частиц кадмия. В отличие от ранее описанных нами форм частиц кадмия, полученных в присутствии эпоксидной смолы [5] и полйалю-моэтилсилоксана [6], в данном случае наблюдается кристаллизация высокодисперсных с сильно развитой поверхностью дендритных частиц кадмия с характерным односторонним ветвлением относительно оси первого порядка дендрита (рис.1). [c.116]

Попытки установить строгую связь между морфологией монокристаллов, выращенных из раствора, и пластинчатых кристаллов в сферолитах, полученных из расплава, касались в основном только полиэтилена. Эти попытки натолкнулись на трудности, заключающиеся в том, что монокристаллы этого полимера, выращенные из разбавленного раствора в ксилоле (это до сих пор наиболее часто применяемый растворитель), развиты преимущественно вдоль оси а, если рост носит дендритный характер [20], или преобразуются в многослойные агрегаты с осями а, ориентированными радиально (аксиалиты), если выращивание производилось из более концентрированных растворов [21 ]. Следует напомнить, что у сферолитов, выращенных из расплава, радиально расположены оси Ь. Решение этой проблемы было найдено недавно оказалось, что кристаллы полиэтилена, выращенные из парафиновых растворителей, которые в какой-то мере воспроизводят [c.472]

Дендритная форма кристаллов (рис. 2). Рост кристалла происходит по границам зерен. Образцы были подвергнуты нагреванию в продолжение нескольких часов при 1100° С (область раство1римости углерода. Затем температура была медленно (примерно в продолжение 15 мин.) понижена до области образования карбида ( 700°С) и поддерживалась на этом уровне в продолжение нескольких часов. После этого образец подвергался охлаждению вне печи в сильном вакууме. В этих условиях на межповерхностных границах зерен образуются крупные дендриты, причем исключается образование всех других типов осадков. Количество образующегося осадка отчетливо изменяется в зависимости от степени относительной дезориентации двух соседних кристаллов. На межповерхностных границах двойников вообще не образуется никаких осадков. [c.203]

Из сказанного следует, что только дендритная форма кристаллов создает необходимые условия для межкристаллитной коррозии межповерхностных границ зерен. Эта дендритная форма кристаллов встречается в металлургии очень редко и мы не знаем других реакций, протекающих в твердом состоянии, которые давали бы кристаллы этого типа. Было высказано предположение, что поскольку рост дендрита происходит в плоскости соприкосновения между зернами, то дендритная форма показывает отсутствие связи между обеими соседними решетками и кристалл развивается как слепок с поверхности соприкосноБе-ния [2]. Если бы эта гипотеза принимала во внимание все факторы, от которых зависит рост кристаллов, то дендритная форма должна была бы встречаться во всех образцах, поскольку отсутствие связи между соседними решетками является общим свойством всех межповерхностных границ зерен независимо от системы. Напротив, мы полагаем, что необходимо найти свойства, присущие только исследуемому сплаву, с помощью которых и можно было бы объяснить развитие дендритов. [c.208]

Рис. 93. Поверхности раздела кристалла, выращиваемого из расплава а — салол с большими плоскими гранями 6 — четырехбромистый углерод (ячеистый рост) — циклогексанол (дендритный рост). (Ja kson К. А., A ta Met., 13, 1212, 1965.).

VII. 28. Образование поликристаллических агрегатов, связанное с неправильным ростом. Если наблюдать за ростом кристаллов в сильно перемешиваемом растворе или расплаве в микроскоп, то очень часто видно, что кристалл растет за счет быстрого развития дендритных или иглоподобпых ветвей на поверхности кристаллов или же рост может происходить так, как описано в разделе 111.27. Хотя дендриты или подобные им образования первоначально являются частью решетки исходного кристалла, они достаточно легко поддаются изгибам и принимают ориентацию, прогрессивно отклоняющуюся от ориентации материнского кристалла. Затем [c.224]

В условиях концентрационного переохлаждения устойчивость присуща либо ячеистой, либо дендритной структуре. Если на гладкой границе расплав — кристалл при наличии зоны концентрационного переохлаждения возникает выпуклый выступ (фиг. 3.16), то вершины выступов О станут проявлять тенденцию к продвижению в расплаве до точек О, где температура равна температуре плавления. Линия АВ отвечает действительной температуре раствора, а линия СВ — температуре плавления сообразно диаграмме состояния. Иными словами, фазовая граница будет стремиться врастать в раствор, чтобы снять концентрационное переохлаждение (область ОБ — зона концентрационного переохлаждения). Но поскольку поверхность перестала быть плоской, диффузия вдоль боковых сторон способна подводить растворенное вещество, чтобы устранить концентрационное переохлаждение в областяхФорма поверхности кристалла на участках ОР самопроизвольно изменится таким образом, чтобы диффузия вдоль боковых сторон выступов обеспечивала снятие концентрационного переохлаждения. Состав вдоль ОЕ самопроизвольно придет в соответствие с диаграммой состояния для данного температурного профиля. Форма ячеек зависит от температурного градиента, диффузионного поля (различия концентраций и коэффициента диффузии) и значений свободной поверхностной энергии в различных направлениях по поверхности раздела расплав — кристалл. По Тиллеру [29] поверхность с увеличением температурного градиента часто приобретает характерные морфологические признаки, изображенные на фиг. 3.15,6. При очень высоких переохлаждениях у фронта кристаллизации ячеистый рост сменяется дендритным, или папоротникообразным, с длинными выступами в виде ветвей, пронизывающих расплав. Морозные узоры на оконных стеклах — прекрасный пример дендритов. [c.130]

OM 100 , на которых происходит рост кристалла, непрерывгю уменьшается по отношению к размеру граней с индексом 110 . Кристаллизация при 80° С позволила обнаружить. истинно ромбовидные кристаллы, а при более низких температурах (больших скоростях охлаждения) образовывались дендритные кристаллы. С ростом концентрации или молекулярного веса увеличивается температура, при которой наблюдается переход от простого однослойного кристалла к дендриту. Если во время роста [c.29]

А. Н. Переверзева, которые показали, что присадки вызывают дендритный рост кристаллов парафина [4]. Ультразвуковая обработка приводит к расчленению дендритов на отдельные кристаллы или группы кристаллов, малый размер которых затрудняет процесс фильтрования. Вид дендритов кристаллов парафина в присутствии [c.40]

Гиббс, исходя из термодинамических соображений, высказал предположение, что кристалл, находящийся в равновесии с собственным раствором, должен иметь форму, которая отвечает минимуму его суммарной поверхностной энергии при постоянном объеме. Дальнейшее развитие идеи Гиббса получили в работах Вульфа, который показал, что грани кристалла растут со скоростями, пропорциональными их энергиям, т. е. быстрее всего растут грани, обладающие наибольшей поверхностной энергией. Применение теории Гиббса — Вульфа затруднено из-за сложности определения поверхностных энергий граней. Кроме того, в реальных процессах роста кристаллов не всегда соблюдаются условия, обеспечивающие равномерный рост, при котором достигается получение кристаллов с минимумом поверхностной энергии. Это сопровождается появлением кристаллов с иеравновеснымп формами роста (скелетных, дендритных и т. д.), характеризующихся более высокой поверхностной энергией. [c.133]

Саратовкин Д. Д., Куликов В. А., К а у ш а и с к а я П. И., Стереоскопические наблюдения скелетных и дендритных форм роста кристаллов. Известия Томского политехнического института, 95, 206 (1958). 273 [c.273]

До сих пор мы касались тех видов роста кристаллов, для которых общим было перемещение граней во время роста параллельно самим себе. Однако следует упомянуть еще об одном пути роста частиц — дендритном. Довольно часты случаи, когда кристалл растет в виде папортникообразной частицы [18—19]—дендрита, представляющего собой своеобразный сросток, в котором огдельные места исходной частицы становятся центрами роста других и т. д. [c.80]

Другое объяснение образования мелкокристаллических гладких осадков из растворов комплексных солей состоит в том, что значительная поляризация благоприятствует в большей степени образованию новых кристаллов, чем росту старых. Глэсстон считает это объяснение неудовлетворительным, утверждая, что в некоторых ваннах поляризация невысока. Однако в некоторых случаях указанный фактор обусловливает получение гладкого покрытия. Не следует, однако, считать, что гладкие осадки можно получить только из ванн, содержащих комплексные соли или коллоиды. Одюбер указывает, что для некоторых. металлов (меди, висмута, сурьмы, цинка, железа, кобальта и никеля) скорость образования центров кристаллизации значительна, и при некоторых условиях хорошие осадки можно получить из растворов простых солей. В других случаях (серебро, свинец, олово и таллий) скорость образования центров кристаллизации мала сравнительно со скоростью роста кристаллов, и рост крупных и дендритных кристаллов неизбежен, если не применяются специальные электролиты. Причина контраста. между гладким покрытием никеля и макрокристаллическим осадком серебра была указана на стр. 452. [c.670]

Изложенное объясняет, почему при выделении и растворении кристалла имеется стремление к образованию ровных кристаллических- граней но влияют и другие факторы, которые благоприятствуют менее простым формам. Рост кристалла из раствора может продолжаться только в том случае, если концентрация у поверхнос ги поддерживается немного выше величины насыщения необходимо непрерывное пополнение отлагающегося материала происходит ли это благодаря диффузии или конвекции, оно идет быстрее у углов, так что при росте вероятно углы удлиня1бтся, образуя длинные иглы (фиг. 72) в конце концов это ведет к дендритным формам. Если кристалл образуется при охлаждении расплавленного материала ниже его точки плавления, то кристаллизация может идти только в том случае, если теплота затвердевания отводится, и это. также может происходить предпочтительно у углов, снова благоприятствуя дендритному росту. [c.336]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология