Размножение кристаллов начальное

Чтобы в идеальном кристалле без дислокаций под влиянием внешней силы произошла пластическая деформация, т. е. сдвиг вдоль какой-то плоскости скольжения, необходим одновременно разрыв всех атомных плоскостей по всей плоскости скольжения. Для этого требуются большие усилия, что равносильно высокой прочности идеальных кристаллов. Иной механизм разрушения имеет место в реальных кристаллах, содержащих дислокации. Сущность его сводится к тому, что при наличии краевой дислокации сдвиг одной части кристалла по отношению к другой происходит не за счет одновременного разрыва всех атомных связей в плоскости скольжения, а путем постепенного (эстафетного) разрыва отдельных связей в ходе движения краевой дислокации скольжением, на что не требуется больших усилий. После того как начальные дислокации под влиянием небольших усилий начнут перемещаться, их движение ускоряется, число возрастает (размножение дислокаций), что приводит в конечном итоге к пластической деформа- [c.97]

Обычно совершенно необходимо начинать процесс при небольшом перегреве расплава в течении некоторого времени, прежде чем переходить к росту. Это делается, чтобы избежать начального размножения (раздел 111.25). Учитывая, что существует еще размножение при столкновении, ни при каких условиях нельзя позволять кристаллу соприкасаться с дном сосуда, например, нельзя выращивать кристалл, свободно лежащий на дне. Изотермическим методом могут быть выращены многие кристаллы. [c.259]

В [76J был предложен следующий механизм размножения дефектов при многократном возвратно-поступательном перемещении двойниковой границы через покоящуюся полную дислокацию. Известно [218], что полные дислокации в кальците включаются в двойник неконсервативно. Поскольку должен выполняться закон сохранения вектора Бюргерса, то На двойниковой границе должна существовать дислокация, несутцая дефект вектора Бюргерса ). Многократное включение полной дислокации поочередно то в двойник, то в материнскии кристалл приводит к размножению дефектов. В каждом 1ЩКле ситуация полностью воспроизводится (по крайней мере на начальных этапах циклирования). Поэтому плотность возникающих дефектов Рд>= п (п число циклов), а поскольку Д5 VPn = <Уэф — So , го AS y/n, что и обнаруживается в эксперименте. Из соотношения дая длины заклинивания i з [c.102]

Предполагается, что начальное размножение связано с присутствием случайных кристаллитов на поверхности кристалла, помещенного в раствор. Присутствие таких кристаллитов может быть связано с частичным растрескиванием кристаллов в процессе хранения или быстрым осушением их на воздухе. Эти кристаллиты просто падают с поверхности кристаллов, когда их опускают в жидкость. Это, очевидно, то же самое явление, которое описывали Тинг и Мак-Кейб [Ting, M abe. 1934]. Затравочный кристалл, падающий [c.104]

Некоторые результаты по одной серии экспериментов даны в табл. III.4 (каждая строка таблицы соответствует одному опыту). Кристалл помещали на дно сосуда с раствором MgSOj-THjO, который выдерживали в недосыщенном состоянии достаточно долго, чтобы наверняка исключить начальное размножение. Затем его охлаждали ниже точки насыщения на величину АТ. Раствор после охлаждения перемешивали с постоянной скоростью в течение определенного времени ( время перемешивания дано во второй колонке таблицы) с помощью пропеллерной мешалки. После этого раствор выдерживали в течение определенного времени, чтобы дать зародышам подрасти, и, наконец, производили подсчет количества зародышей. Как видно, скорости зародышеобразования очень велики. Так, при [c.107]

Присутствие кристаллов в пересыщенном растворе или расплаве может иногда катализировать образование новых кристаллов. Это может происходить различными способами. Начальное размножение имеет место, когда кристалл помещается в пересыщенный раствор. Предполагают,- что начальное размножение связано с присутствием кристаллической пыли на поверхности вводимого в жидкость кристалла. Пыль образуется либо благодаря механическому истиранию кристаллов друг об друга во время их хранения, либо благодаря быстрому осушению кристаллов при их приготовлении. В достаточно сильно пересыщенных растворах может происходить размножение иглами. Этот процесс заключается в росте игл на концах кристалла, которые об.чамываются при перемешивании раствора и служат зародышами новых кристаллов. В пределах данной классификации к иглам относятся и всякого рода выступы, образующиеся на материнском кристалле. Некоторые кристаллы, как выяснилось, обладают свойством расти в виде поликристаллических агрегатов, а не в виде монокристаллов. Эти агрегаты могут разламываться в процессе роста, при этом происходит поликристаллическое размножение. [c.116]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология