Пространственная решетка также решетка

Кроме того, кристаллические структуры различаются также и по характеру распределения в них структурных узлов. Помимо координационных решёток (ионных и атомных), а также молекулярных, обычно наблюдаются, слоистые (например Ссиг), сетчатые (например графит), цепные (например селен) решётки, что вызвано спецификой пространственного распределения связей в соответствии с характером последних. [c.158]

Наличие активных участков , как правило, не влияет на рентгенограмму металла. Это может объясняться тем, что толщина этих участков слишком мала, чтобы они могли дать собственную диффракционную картину таким образом это не служит доказательством тождественности структуры этих участков с нормальной пространственной решёткой металла. Электронограммы, обнаруживающие структуру гораздо более тонких слоёв, чем в случае рентгеновского анализа, указывают на возможное различие в структуре каталитически активной и неактивной платины , Диффракция электронов показывает также, что структура металлов на подкладках из других металлов, или других материалов может отличаться от структуры этих же металлов без подкладки таким образом, как промоторы, [c.317]

Все тела в природе могут быть разделены на две группы кристаллические и аморфные. Кристаллические тела отличаются от аморфных своим внутренним строением и свойствами. Кристаллические тела характеризуются тем, что атомы или молекулы (элементарные частицы, из которых состоят все вещества) в них расположены в определённом строгом порядке. Правильное расположение атомов создаёт пространственную решётку, являющуюся основным признаком кристаллического тела. Если образованию кристаллического тела не мешают другие тела, то и внешняя форма его также получается правильной, сообразно его кристаллической решётке. Однако правильная внешняя форма тела не является обязательным признаком его кристаллического строения. [c.7]

Электронные уровни второй группы расположены также в запрещённой области спектра, но приурочены к её верхней части в непосредственной близости от нижней границы полосы проводимости М на рис. 64). Энергетическое расстояние их от этой границы таково, что тепловой энергии решётки достаточно или почти достаточно для переноса электрона с них в полосу проводимости. Большая часть подобных уровней обусловлена трещина-лш, напряжениями или поверхностями раздела в кристалле, но иногда они прямо или косвенно связаны с чуждыми атомами. По природе своей они метастабильны и называются иногда метастабильными уровнями или по характеру поведения уровнями прилипания . Последний термин подчёркивает возможность захвата электрона из полосы проводимости на один из локализованных метастабильных уровней с последующим освобождением электрона за счёт тепловых флуктуаций решётки. Если уровни первой группы (уровни загрязнения) принимаются нормально заполненными, то уровни прилипания в нормальном состоянии кристалла свободны. Пространственно те и другие локализованы и не участвуют в периодичности кристалла. [c.283]

Кристаллизация твёрдого вещества из жидкого раствора называется первичной кристаллизацией. Однако ряд кристаллических тел претерпевает изменения формы пространственной решётки и в твёрдом состоянии. Эти изменения происходят при определённых температурах и называются аллотропическими превращениям11 или вторичной кристаллизацией (перекристаллизация). Температуры, при которых протекают эти превращения, называются критическими температурами. Вторичная кристаллизация в твёрдом состоянии также начинается появлением центров кристаллизации новой пространственной решётки. [c.8]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология