Полупроводниковые электрод падение потенциала

В общем случае электрод при высоких анодных потенциалах покрыт полупроводниковой окисной пленкой, роль которой в электрохимическом процессе не ограничивается только ролью лучшего или худшего переносчика зарядов. Окисная пленка с внедренными в нее анионными радикальными остатками и катионами играет активную роль каталитической поверхности, свойства которой часто определяют направленность процесса. Хорошо известны факты, когда некоторые процессы синтеза идут на платине и не протекают на двуокиси свинца и золоте, и наоборот [2]. Как правило, на благородных металлах, в том числе и платине, образуются хорошо проводящие окисные пленки, падением потенциала в которых можно пренебречь. Существует, однако, целый ряд металлов (Ag, N1, Си), вентильные металлы (Та, Т1 и др.), на которых при анодной поляризации возникают окисные пленки с очень малой проводимостью, в которых локализуется значительная часть приложенного скачка потенциала. Наиболее плодотворным методом изучения строения границы фаз и распределения скачка потенциала в таких системах является сочетание фотоэлектрохимического метода с методом измерения импеданса [3, 4]. [c.133]

Для создания во всем измерительном объеме осесимметричного электрического поля (что приводит к независимости коэффициента газового усиления от места ионизации) поверхность счетчика и его торцевые пластины покрывали слоем полупроводника (фиг. 41). Тогда кривая дискриминации характеризуется меньшим градиентом в области нулевого порога, что практически обеспечивает достаточно точное построение этой кривой. Такие торцевые пластины были изготовлены для нас фирмой Корнинг гласс компани (Нью-Йорк) они представляли собой стеклянные пластины с напыленным полупроводниковым слоем. Контактными электродами этих пластин служили два кольца из серебра, нанесенного методом осаждения на стекло, причем внутренний диаметр внешнего кольца равнялся 95 MJM, а наружный диаметр внутреннего кольца — 12 мм. Внешнее кольцо касалось высоковольтного электрода внутреннее кольцо при помощи делителя напряжения заряжалось до потенциала, равного потенциалу на расстоянии 6 мм от оси цилиндра вдали от его концов. Сопротивление между каждой парой серебряных колец, нанесенных на торцевые пластины, достигало 1,38-10 и 2,82-10 олг. Величины сопротивлений в делителе напряжения определялись допустимой нагрузкой источника высоковольтного питания и тем, что они должны были быть малы по сравнению с сопротивлением полупроводящих поверхностей. Последнее требование обеспечивает независимость падения потенциала от характеристик полупроводника и любых их изменений. Сопротивление торцевых пластин должно было быть настолько малым, чтобы на них не успевали собираться большие электрические заряды, нарушающие геометрию поля. Применявшиеся полупроводниковые покрытия, по-видимому, удовлетворяли этим двум противоречивым требованиям. [c.162]

Ограничения, накладываемые на удельное сопротивление материала электрода (определяемое концентрацией легирующей примеси), а также на его геометрические размеры и форму, вытекают, во-первых, из условия Ь с, а также из требования малого омического падения потенциала в элементе. Для ориентировки приведем типичные значения фототока короткого замыкания 4 1.с в элементах (10-30 мА/см ) и фотонапряжения при разомкнутой цепи ф", (0,3-0,7 В при прямом солнечном освещении, т. е 100 мВт/см ). Чтобы не снижать заметно фактор заполнения / омическое падение напряжения Л должно быть по порядку величины меньше, чем фр . Отсюда следует, что полное (последовательное) сопротивление элемента К не должно заметно превышать 1 Ом, что достижимо при использовании полупроводниковых материалов с удельным сопротивлением порядка 0,01-10 Ом см (и. конечно, при отсутствии заметного сопротивления токоподводов и перенапряжения электрохимической реакции). [c.58]

Электродные процессы при высоких кислородных (озоновых) потенциалах обладают рядом особенностей, связанных, во-первых, со специфическим состоянием поверхности электрода, покрывающегося окислами полупроводникового характера и изменяющего свои адсорбционные свойства во-вторых, с характером распределения потенциала, включающего падение потенциала в полупроводниковых слоях, и, наконец, с появлением новых, хемоадсорбированных частиц на электроде, образовавшихся в результате первичного электродного акта. [c.132]

Наконец, на величину ионного тока может влиять образование па стенках ионизационной камеры полупроводниковых пленок. Эти пленки образуются с течением времени под действием электронной и ионной бомбардировки из молекул углеводородов, находящихся в ионизационной камере. Этими углеводородами могут быть как пары масла из диффузионных касосоь, гак и анилн зируемые вещества. Известно Л. 4-3], что осколки углеводородных молекул благодаря рекомбинации становятся нейтральными молекулами и полимеризуются. Они осаждаются на стенке камеры и других электродах ионного источника в виде тонких пленок толщиной / до 1 мк. Удельное электрическое сопротивление р таких пленок равно около 10 ом-см. Поэтому при падении на покрытые пленками места электронных или ионных токов с плотностью порядка /=0,5 ма1мм (0,05 а/сж ) возможная величина потенциала поверхности пленки относительно стенки камеры может быть принята равной [c.88]