Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Вторичная электронная эмиссия под действием электронов

    Вторичная электронная эмиссия под действием электронов [c.94]

    Прежде всего он нашел применение в радиотехнике. Вакуумные фотоэлементы со сложным серебряно-цезиевым фотокатодом особенно ценны для радиолокации они чувствительны не только к видимому свету, но и к невидимым инфракрасным лучам и, в отличие, например, от селеновых, работают без инерции. В телевидении и звуковом кино широко распространены вакуумные сурьмяно-цезиевые фотоэлементы их чувствительность даже после 250 часов работы падает всего на 5—6%, они надежно работают в интервале температур от—30° до +90° С. Из них составляют так называемые многокаскадные фотоэлементы в этом случае под действием электронов, вызванных лучами света в одном из катодов, наступает вторичная эмиссия — электроны испускаются добавочными фотокатодами прибора. В результате обш,ий электрический ток, возникающий в фотоэлементе, многократно усиливается. Усиление тока и повышение чувствительности достигаются также в цезиевых фотоэлементах, заполненных инертным газом (аргоном или неоном).  [c.97]


    Вторичная эмиссия электронов с катода под действием положительных ионов, возбуждённых и нейтральных атомов. Распределение потенциала и расположение пространственных зарядов в катодных частях тлеющего разряда, а также результаты специальных опытов по воздействию магнитного поля на электроны в катодных частях разряда (например, описанный в главе XIV Опыт теней ) приводят к заключению, что при тлеющем, а также при несамостоятельном таунсендовском разряде происходит усиленная эмиссия электронов с катода при температуре последнего, явно недостаточной для сколько-нибудь заметной термоэлектронной эмиссии. Одним из основных элементарных процессов эмиссии электронов с катода в этом случае является эмиссия электронов под действием ударяющихся о катод полО -жительных ионов. [c.188]

    Фотоумножители. В настоящее время обычно используется другой тип вакуумных фотоэлектрических приемников — фотоумножители. В них совмещены вакуумный фотоэлемент и усилитель, действие которого основано на вторичной электронной эмиссии. Первичные электроны, освобожденные из катода под воздействием света, ускоряются электрическим полем и попадают на металлическую пластинку — эмиттер (рис. 119, а). За счет своей кинетической энергии они вырывают с поверхности эмиттера вторичные электроны. При этом каж- [c.188]

    Вторичная электронная эмиссия под действием положительных ионов и метастабильных атомов [c.98]

    Это явление характеризуется коэффициентом вторичной эмиссии з, который представляет отношение электронов эмиссии к электронам падающим и поглощенным. Однако вторичная эмиссия является только одним из многих процессов, имеющих место при облучении электронами. Другими следствиями бомбардировки могут быть флуоресценция, изменения в эффективности флуоресценции, электропроводности, химических связях, действии ферментов, термическом расширении и поглощении видимого света, инфракрасного и ультрафиолетового излучения, а также ионизации и образование распределения зарядов в самом кристалле. Облучающие электроны могут отражаться, рассеиваться и терять энергию ( разброс ). Ни один из этих эффектов в данной главе не рассматривается, но в разделе П,2 можно найти сведения об определении сродства к электрону методами торможения электронного луча. [c.692]

    Узкий пучок ультразвуковых лучей, излучаемых пьезоэлектрической кварцевой пластинкой, освещает рассматриваемый предмет. Отраженные от предмета ультразвуковые лучи попадают в акустическую собирательную линзу, в фокусе которой установлен приемник, представляющий собой пьезоэлектрическую (например, кварцевую) пластинку. Приемная пластинка является основанием (дном) катодной трубки. Узкий пучок катодных лучей внутри катодной трубки падает на внутреннюю поверхность приемной пластинки и выбивает с ее поверхности вторичные электроны, собираемые на аноде, Под действием зарядов, образованных на внутренней поверхности приемной пластинки в результате облучения ее ультразвуком, вторичная электронная эмиссия с поверхности [c.126]


    Вспышка света люминесценции (сцинтилляция) выбивает из фотокатода фотоэлектроны. Слой сурьмянистого цезия имеет очень малую работу выхода электронов и поэтому при попадании света люминесценции на фотокатод ФЭУ выбивается заметное количество электронов. Эти электроны под действием электрического поля ускоряются и попадают на первый динод. На поверхности динодов нанесено вещество, имеющее тоже малую работу выхода электронов. Поэтому из первого динода выбиваются вторичные электроны. Этот процесс называется вторичной электронной эмиссией. Следовательно, из первого динода вылетает уже больше электронов, чем вылетело из фотокатода. Эти электроны тоже ускоряются электрическим полем и попадают на второй динод, из которого выбиваются еще дополнительные электроны и т. д. В результате этого процесса будет происходить умножение электронов от динода к диноду, и анод достигнет уже большое количество электронов. Итак, небольшое количество электронов, выбитое вспышкой люминесценции [c.55]

    Действие счетчика ионов основано на использовании вторичной электронной эмиссии для усиления ионного тока. Блок-схема прибора приведена на рис. 72. [c.86]

    Вторичная электронная эмиссия. Электронную эмиссию под действием электронной бомбардировки характеризуют отношением полного числа электронов, испускаемых поверхностью объекта в единицу времени (т. е, силы тока эмиссии, эм), к числу первичных электронов,падающих на поверхность в единицу времени (т. е. к току первичного пучка, 1п)  [c.428]

    Общие соображения по влиянию вторично-электронной эмиссии на спектры имеются в [Л. 4-4]. Количественные исследования [Л. 4-5] показали, что в электронном пучке ионного источника существует при нормальных режимах значительная доля (20—30%) вторичных электронов, существенным образом влияющая на величину ионного тока. С течением времени свойства металлических поверхностей ионизационной камеры изменяются вследствие образования различных пленок и напылений. Кроме того, при каждом пуске установки происходит постепенное обезгаживание электродов ионного источника, в связи с чем изменяется коэффициент вторичной эмиссии. Дополнительное влияние на нестабильность ионного тока может возникнуть благодаря действию стабилизатора эмиссии. Вторичные электроны, попадающие вместе с первичными на анод, искажают величину анодного тока. Если стабилизатор эмиссии стабилизирует ток анода, то при изменении величины коэффициента вторичной эмиссии (Т будет меняться температура катода, поскольку стабилизатор будет стремиться поддержать анодный ток неизменным. Изменение температуры катода будет менять распределение плотностей первичных электронов по сечению электронного пучка, т. е. влиять на интенсивность ионного тока. Вследствие этого целесообразно стабилизировать общий ток катода. [c.92]

    Если — число первичных электронов, эмиттируемых катодом в секунду, то вследствие ионизации электронами в газе и вторичной электронной эмиссии с катода под действием положительных ионов ток на расстоянии й от катода становится равным [c.185]

    ВТОРИЧНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ под ДЕЙСТВИЕМ ЭЛЕКТРОНОВ 95 [c.95]

    ВТОРИЧНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ эмиссия под ДЕЙСТВИЕМ АТОМОВ 99 [c.99]

    Значительно более чувствительными приемниками света являются фотоумножители (рис. 2.8), действие которых основано на внешнем фотоэффекте и вторичной электронной эмиссии. Расположение электродов и фокусирующее поле выбирают так, чтобы первичный электронный поток, попадая на первый эмиттер, вызывал вторичную электронную эмиссию, электроны вторичной эмиссии направлялись на следующий эмиттер и т. д. Усиление подчиняется закону геометрической прогрессии  [c.26]

    Принцип действия фотоумножителя основан на использовании двух явлений — фотоэффекта и вторичной электронной эмиссии. Электроны, вылетевшие с поверхности катода под действием света (фотоэффект) и ускоренные электрическим полем, устремляются к первому эмиттеру и выбивают из него вторичные электроны — вторичная электронная эмиссия. Последние вследствие более высокого положительного потенциала во втором эмиттере направляются к нему и вновь выбивают вторичные электроны. Этот процесс повторяется на последующих эмиттерах. При этом каждый первичный электрон может выбить а вторичных. Здесь о — коэффициент вторичной эмиссии эмиттера. В зависимости от материала эмиттера а может изменяться от 3 до 30. Для большего усиления фототока эмиттеры обычно изготовляют из материала, имеющего высокий коэффициент вторичной эмиссии. [c.154]

    Вторичные эмиссионные методы включают эмиссию ионов с поверхностей, обработанных органическими соединениями, под воздействием ионов высокой энергии (вторичная ионно-ионная эмиссия), ускоренных незаряженных атомов, быстрых электронов (вторичная электронно-ионная эмиссия) или фотонов (лазерная десорбция) [22]. Порог чувствительности чаще всего применяемого варианта вторичной ионной эмиссии под действием ускоренных атомов аргона с энергией около 10 эВ сравним с другими способами ионизации и составляет примерно г вещества. При этом возможно образование и детектирование как протонированных молекулярных ионов [М+Н] + и образующихся из них фрагментов, так и анионов [М — Н]-. Выход и характер вторичных ионов зависят от чрезвычайно большого числа факторов типа металла подложки, свойств раствора, из которого наносится образец, температуры и размеров мишени и от энергии и природы ионизирующих частиц. Влияние этих факторов столь велико, что в настоящее время еще сложно говорить о воспроизводимости масс-спектров вторичной ионной эмиссии, а также о возможностях использования их в количественном масс-спектрометрическом анализе. [c.30]


    Причиной процессов поверхностной ионизации является эмиссия (испускание) электронов твёрдыми или жидкими телами под действием квантов радиации, падающих на тело (поверхностный или внешний фотоэффект), под действием высокой температуры (термоэлектронная эмиссия), сильного поля у поверхности тела (автоэлектронная эмиссия), ударов о поверхность тела ионов и электронов (вторичная эмиссия), возбуждённых и, наконец, нейтральных атомов. Процессы электронной эмиссии имеют и самостоятельное значение помимо явлений газового разряда, так как некоторые из них происходят и на границе между твёрдым телом и высоким вакуумом и обусловливают собой прохождение электрического тока через вакуум. [c.22]

    Вторичные электроны. Свободные электроны, которые появляются в газе или в высоком вакууме в результате какого-либо элементарного процесса ионизации в объёме или на поверхности, принято называть вторичными электронами, а те частицы, которые вызывают появление вторичных электронов, — первичными. Эмиссия вторичных электронов или вторичная электронная эмиссия в широком смысле слова обнимает собой все процессы выхода электронов из поверхности твёрдого или жидкого тела при ударах об эту поверхность каких-либо первичных частиц. В узком смысле слова вторичной электронной эмиссией называют выход вторичных электронов из поверхности тела под действием бомбардировки этого тела тоже электронами [489—498]. [c.175]

    Здесь имеются в виду методы, которые основываются на явлениях фотоэффекта, получаемого при использовании монохроматического электромагнитного излучения, и вторичной электронной эмиссии. Собственно фотоэлектронной спектроскопией (ФЭС) называют метод, в котором вещество облучают в вакуумной УФ области электромагнитного спектра. Приоритет открытия явления эмиссии фотоэлектронов в газах под действием УФ облучения, положившего начало развитию метода ФЭС, принадлежит Ф. И. Вилесову (СССР). В рентгеноэлектронной спектроскопии (РЭС, или ЭСХА, что означает электронная спектроскопия для химического анализа) используют монохроматическое рентгеновское излучение. Создателем этого метода применительно к изучению поверхности твердых тел является шведский ученый К. Зигбан. Для возбуждения эмисии электропов может использоваться также электронный пучок, тогда говорят о методе индуцированной электронной эмиссии спектроскопии .  [c.134]

    Фотоумножители. В настоящее время все шире используется другой тип вакуумных фотоэлектрических приемников — фотоумножители. В них совмещены вакуумный фотоэлемент и усилитель, действие которого основано на вторичной электронной эмиссии. Первичные электроны, освобожденные из катода под воздепствие.м света, ускоряются электрическим полем и попадают на металлическую пластинку — эмиттер (рис. 124). За счет своей кинетической энергии они вызывают с поверхности эмиттера вторичные электроны. При этом каждый первичный электрон выбивает несколько вторичных. Общее число электронов возрастает. Следующий эмиттер заряжен положительно по отношению к первому и электроны направляются к нему, разгоняясь по дороге под действием электрического поля. Все увеличивающийся поток электронов переходит от одного эмиттера к другому и на анод попадает поток во. много раз больший, чем начальный. Поэтому чувствительность фотоумножителей составляет уже не десятки или сотни микроампер, как у фотоэле.ментов, а десятки, сотни и даже тысячи ампер на люмен. [c.209]

    Напряжение пробоя. Возникновение тока в газе под действием, высокого напряжения называют пробоем газа. Если в газ поместить два электрода, соединенных с источником достаточно высокого напряжения, то под действием сильного электрического поля из катода (отрицательного электрода) будут вырываться электроны, даже если катод останется холодным. Это явление называется холодной электронной эмиссией. Вырвавшиеся электроны в электрическом поле получают дополнительную энергию и, на большой скорости сталкиваясь с атомами или молекулами, могут их ионизовать. Каждый электрон ца пути от катода к аноду порождает еще один или несколько электронов, которые, в свою очередь, разгоняясь эле.ктрическидл полем, создают вторичные электроны и ионы. По мере приближения к аноду число электронов возрастает — образуется лавина электронов, соединяющая электроды токопроводящим каналом. Сопротивление газа резко падает. На этом стадия пробоя заканчивается. При достаточно мощном источнике тока после пробоя развивается самостоятельный газовый разряд, который протекает без постороннего ионизатора газа. [c.59]

    Наибольшее распространение получили вторично-ионная масс-спектрометрия (поток ионов вызывает эмиссию иоиов), электронная оже-спектроскопия (поток электронов вызывает эмиссию электронов), полевая ионная микроскопия (ионизадняи испарение атомов поверхности под действием электрического поля) и др. Теория и пркмененяе этих методов, интерпретация получаемвй [c.246]

    У М. наблюдается термоэлектронная эмиссия (способность испускать электроны при высокой т-ре). Эмиссия электронов возникает также под действием электромагн. излучения в видимой и УФ областях спектра (фотоэлектронная эмиссия), внеш. электрич. поля высокой напряженности (туннельная, или автоэлектронная, эмиссия), при бомбардировке пов-сти М. электронами (вторичная электронная эмиссия) или ионами (ионно-электронная эмиссия), при взаимод. пов-сти М. с хшазмой (взрывная электронная эмиссия). Перепад т-ры вызывает в М. появление электрич. тока (термоэдс). [c.53]

    ПОЛНОСТЬЮ закрытый, за исключением небольшого входного отверстия, контейнер (рис. 2.2). Для этой цели обычно используется диафрагма электронного микроскопа (диаметр 3 мм) с отверстием 25—100 мкм. Контейнер изготавливается из материала (Т или С), отличного от металла, используемого для изготовления столика микроскопа. В этом случае легко регистрировать любое рентгеновское излучение от цилиндра Фарадея. Конструкция цилиндра Фарадея не позволяет выходить наружу отраженным и вторичным электронам, возникаюш,им под действием первичного пучка. Поэтому ток, текуш,ий на землю, в точности равен току падаюш,его пучка / и может быть легко измерен пикоамперметром постоянного тока или калиброванным усилителем тока образца. В тех случаях, когда не требуется большой точности, цилиндр Фарадея может быть заменен плоским куском графита. В этом случае измеряемый ток образца г об и ток первичного (падаюш,его) пучка I связаны соотношением 1 = 1об/[1—(л + б)], где т] и б — коэффициенты отражения и вторичной электронной эмиссии (гл. 3) соответственно. Для графитового образца, расположенного перпендикулярно пучку, как т], так о б малы, так что ошибка составляет по порядку величины всего лишь 10%. [c.16]

    НИЯ Ко от поверхности. При нормальном падении пучка длина пути первичного пучка К, вдоль которого образовавшиеся вторичные электроны будут вылетать, равна У о. По мере увеличения угла наклона образца 0 длина пути первичного пучка в пределах от поверхности будет возрастать как Так как мало, то первый пучок суш,ественно не меняет свою энергию при прохождении этого расстояния, а темп генерации вторичных электронов под действием первичного пучка электронов по суш,еству остается постоянным и пропорциональным Н. Таким образом, так как длина пути возрастает пропорционально зес0, то подобным же образом ведет себя и коэффициент вторичной эмиссии. Вторичные электроны генерируются также отраженными электронами. Коэффициент отражения возрастает с углом наклона (рис. 3.15), и, следовательно, число вторичных электронов, генерируемых отраженными электронами, также с наклоном возрастает. Генерация вторичных электронов как первичными, так и отраженными электронами возрастает с ростом угла наклона, что в целом аппроксимируется законом секанса [уравнение (3.25)]. [c.65]

    Что касается механизма вторичной эмиссии иод действием положительных ионов, то он долл5еп существенно отличаться от механизма вторичной электронной эмиссии под действием электронов. Ироникновения медленных положительных ионов внутрь металла не происходит. Имеющиеся данные о распределении скоростей электронов, эмиттируемых различными металлами при бомбардировке их положительными ионами калия, позволяют вывести заключение, что выход электронов из металла обусловливается передачей положительными ионами их кинетической энергии кристаллической решётке металла с последующей передаче11 этой энергии в немногих наиболее благоприятных случаях одному из электронов проводимости металла. [c.92]

    Действие счетчика ионов основапо иа использовании вторичной электронной эмиссии мля усиления ионного тока и регистрации отдельных ионов. Блок-схема прибора приведена на рис. 75. [c.89]

    Под действием потока электронов в диэлектриках происходят различные процессы, в том числе возникает вторичная эмиссия электронов. Если первичные электроны имеют такие энергии, что коэффициенты вторичной эмиссии превышают единицу, то можно установить величину поверхностного потенциала, как это было сделано в опытах Хейдта [49] с Л Оз. [c.673]

    Строго говоря, многие воздействия, отнесенные ранее к механическим, например вальцевание и истирание, в действительности сопровождаются существенными побочными явлениями электризацией, возникновением поверхностных потенциалов, электронной эмиссией. Они влияют не только на полимерный компонент, но и на низкомолекулярные составляющие, среду, примеси и т, д. С этой точки зрения разделение воздействий на чисто механические и не чисто механические представляется недостаточно надежным. Однако при прочих воздействиях механические силы являются преимущественно вторичными, производными от кавитации, сорбции, фазового перехода, набухания, а в случае чисто механических, наоборот, побочные, сопутствующие явления, например электризация, рассматриваются как вторичные, производные от первичных механических причин. Именно это обстоятельство может слулчить условным основанием для подобного разделения воздействий. Отнесение механохимических явлений, возникающих при этих воздейств1Иях, к числу прочих отнюдь не связано с умалением важности этих явлений. Более того, некоторые из них, например действие ультраакустических колебаний, изучены даже более полно, чем последствия собственно механических низкочастотных воздействий, а другие, например криолиз или электрогидравлические эффекты, представляют огромную вал -ность как специфические, новые, весьма интересные, многообещающие явления, хотя и относительно мало изученные. Все они, естественно, могут быть рассмотрены с общих позиций мехаиохимии. [c.235]

    Таунсенд полагал, что выход электронов из катода происходит как следствие бомбардировки катода положительными ионами, и именно к этому явлению относил коэффициент у. В настоящее время, когда известно, что на границе катод — газ в та ун-сендовско М и в тлеющем разрядах, наряду с эмиссией электронов под действием положительных ионов, имеют место фотоэффект и вторичная эмиссия в обширном смысле этого слова, коэффициенту т приходится приписывать более обобщённое значение, вводя данное выше определение этого коэффициента, без указания на исключительную роль положительных иопов. Совокупность процессов, вызывающих выход электронов из катода под действием тех или иных элементарных процессов, имеющих место на поверхности катода при наличии разряда, мы условимся называть -процессами. Термоэлектронную и автоэлектронную эмиссии мы из числа г-процессов исключаем. [c.410]

    Вторичная электронная эмпссня. Вторичная электронная эмиссия в широком смысле слова обнимает собой все процессы выхода электронов из поверхности твёрдого или жидкого тела при ударах об эту поверхность каких-либо частиц. В узком смысле слова вторичной электронной эмиссией называют выход вторичных электронов из поверхности тела под действием бомбардировки этого тела электронами. [c.79]

    Я. И. Френкель, ЖЭТФ, 11, 706 (1941). (Механическая теория вторичной электронной эмиссии под действием ударов положительных ионов о катод.) [c.763]

    Приемник, преобразующий лучистую энергию в фотоэлектронную эмиссию с последующим многократным ее усилением, называется фотоэлектронным умножителем. На рис. 3. 16 показана принципиальная схема фотоэлектронного умножителя, сокращенно называемого ФЭУ. Умножитель состоит из катода К, анода А и нескольких электродов 5], 82,, 8 - На эти электроды подается последовательно нарастающее напряжение. Лучистый поток, падающий на фотокатод К, освобождает первичные электроны, которые под действием ускоряющего поля попадают на первый электрод 5] и выбивают из него вторичные электроны. Каждый первичный электрон способен возбудить и выбить несколько вторичных электронов. Так возникает вторичная электронная эмиссия. Отнощение числа вторичных электронов N2 к числу первичных N1 называется коэффициентом вторичной эмиссии [c.125]

    Вторичная электронная эмиссия под действием электронов. Опыт показывает, что если поверхность металла в разрежённом газе бомбардируется ускоряемыми электрическим полем электронами, то электроны не просто входят в металл, а наблюдается встречный поток электронов от поверхности металла. Самое простое объяснение этого факта электроны отражаются от поверхности того тела, о которое они ударяются. Однако при достаточно больших скоростях число электронов, покидающих поверхность в 1 сек, становится больше числа электронов, попадающих на поверхность за то же время. Прибор, измеряющий ток, показывает направление тока, противоположное тому, которое соответствует движению первичных электронов через вакуум или газ. В катодных лампах это явление и вызываемое им появление падающей характеристики, препятствующей нормальной работе лампы [489], носит название дтатронного эффекта. Избыток покидающих поверхность электрода электронов показывает, что в этом случае имеет место новый эффект, связанный с проникновением быстрых первичных электронов внутрь металла. Поток вторичных электронов при открытии этого явления назвали -лучамн. [c.175]

    B. M. Д у к e Л ь с КИ Й и Э. Я. 3 а и дб ер г, ЖЭТФ, 19, 731 (1949), К вопросу о вторичной электронной эмиссии под действием отрицательных ионов. [c.763]


Смотреть страницы где упоминается термин Вторичная электронная эмиссия под действием электронов: [c.66]    [c.101]    [c.88]    [c.91]    [c.292]    [c.141]   
Смотреть главы в:

Ионизованные газы -> Вторичная электронная эмиссия под действием электронов

Электрические явления в газах и вакууме -> Вторичная электронная эмиссия под действием электронов




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Вторичная электронная эмиссия под действием положительных ионов

Вторичная электронная эмиссия под действием положительных ионов и метастабильных атомов

Вторичная электронная эмиссия с катода под действием положительных ионов, возбуждённых и нейтральных атомов

Вторичная эмиссия электронов с катода под действием положительных ионов, возбуждённых и нейтральных атомов

Вторичные электроны

Коэффициент вторичной электронной эмиссии под действием ионов

Электронная эмиссия

Эмиссия

Эмиссия Эмиссия



© 2025 chem21.info Реклама на сайте