Фактор заполнения

В этих выражениях — геометрический фактор (фактор заполнения) и 5 — величина, характеризующая глубину проникновения поля в раствор, являются безразмерными величинами, а коэффициент Ку ОЛ. ё — геометрический фактор (фактор заполнения) б — относительная величина, характеризующая глубину проникновения поля в раствор. [c.124]

К тому же при решении вопроса о том, какое состояние будет ниже по энергии, балансируют два фактора заполнение по возможности более низких по энергии орбиталей (что, как правило, ведет и к более низкой полной энергии) и уменьшение межэлектронного отталкивания за счет максимально возможного разведения электронов в пространстве, т.е. локализация их на пространственно разделенных орбиталях. При сильно различающихся орбитальных энергиях первый фактор доминирует более низким оказывается состояние с максимально заполненными низшими по энергии орбиталями, а это [c.462]

Производительность мельницы зависит также от многих других факторов заполнения барабана шарами, их размера, формы брони, числа оборотов барабана, тонкости размола, влажности и крупности измельчаемого материала, своевременности удаления готового продукта. [c.786]

Постоянные факторы фактор заполнения, мощность СВЧ-поля и диэлектрические потери. Если рабочая частота увеличивается, то размеры резонатора (при сохранении типа колебания) должны уменьшаться. При изменении размеров образца пропорционально размерам резонатора фактор заполнения остается постоянным. Если, кроме того, образец имеет низкие диэлектрические потери, то чувствительность будет расти пропорционально где Уо — рабочая частота. Если же диэлектрические потери велики, то фактор заполнения, как правило, уменьшается, и даже возможен отрицательный показатель степени. В этом случае увеличение частоты не дает особых преимуществ, тем более что в маленьком резонаторе труднее манипулировать с образцом. Незначительный выигрыш получится лишь тогда, когда образец легко насыщается. При постоянном Н на образце чувствительность возрастает только пропорционально [c.499]

Постоянные факторы размер образца и мощность СВЧ-поля при условии пренебрежимо малых потерь мощности СВЧ. Если размеры образца ограничены, как это имеет место, например, для монокристаллов, то увеличение рабочей частоты может привести к резкому повышению чувствительности. В этом случае чувствительность возрастает пропорционально Vд 2. Здесь существенно то, что при постоянном объеме образца фактор заполнения растет пропорционально При прочих равных условиях переход от 3-см к 8-мм диапазону дает 500-кратное повышение чувствительности. [c.499]

Фактор заполнения резонатора Угол между Н и г [c.519]

Рис. 27. Зависимость фототок напряжение для фотоэлектрохимического элемента с высоким (а) и низким 6) фактором заполнения (заштрихованные площади пропорциональны максимальной отдаваемой электрической мощности МРР точка максимальной мощности)

Наконец, четвертый множитель /-так называемый фактор заполнения вольт-амперной характеристики-учитывает потери энергии, вызываемые омическим падением напряжения, а также перенапряжением в фотоэлектрохимическом элементе при протекании тока. Для элементов регенеративного типа он равен [c.57]

Ограничения, накладываемые на удельное сопротивление материала электрода (определяемое концентрацией легирующей примеси), а также на его геометрические размеры и форму, вытекают, во-первых, из условия Ь с, а также из требования малого омического падения потенциала в элементе. Для ориентировки приведем типичные значения фототока короткого замыкания 4 1.с в элементах (10-30 мА/см ) и фотонапряжения при разомкнутой цепи ф", (0,3-0,7 В при прямом солнечном освещении, т. е 100 мВт/см ). Чтобы не снижать заметно фактор заполнения / омическое падение напряжения Л должно быть по порядку величины меньше, чем фр . Отсюда следует, что полное (последовательное) сопротивление элемента К не должно заметно превышать 1 Ом, что достижимо при использовании полупроводниковых материалов с удельным сопротивлением порядка 0,01-10 Ом см (и. конечно, при отсутствии заметного сопротивления токоподводов и перенапряжения электрохимической реакции). [c.58]

Пользуясь формулой (2.13) для фактора заполнения, можно переписать формулу (6.1) в виде [c.136]

Отдельного исследования требует влияние температуры на работу жидкостных солнечных батарей и регулирование теплового режима батареи при работе на открытом воздухе. До сих пор эти вопросы изучены очень мало. Из общих соображений ясно, что влияние температуры на работу фотоэлектрохимического элемента многозначно. Так, при нагревании ускоряются электрохимические реакции и процессы массопереноса в растворе, повышается электропроводность электролита, следствием чего должно быть увеличение фактора заполнения и фототока короткого замыкания. Напротив, на разделение зарядов в полупроводнике нагревание оказывает отрицательное влияние, и фотонапряжение при разомкнутой цепи, как можно ожидать, должно снизиться. Поэтому к.п.д. элемента с ростом температуры должен прохо- [c.146]

Оба описанных экспериментальных подхода позволили получить фотоэлектрохимический элемент регенеративного типа с к.п.д. 12% (фотонапряжение при разомкнутой цепи 0,49 В, фототок короткого замыкания 39 мА/см , фактор заполнения 0,62 при мощности падающего излучения 100 мВт/см ). Используя методику (А), такой же к.п.д. получили [182] и на поликристаллических (размер кристаллитов 1-2 мм) образцах рабочая характеристика такого элемента приведена на рис. 19,6. [c.149]

Выбор толщины (и, конечно, природы) оксида имеет решающее значение для характеристик фотоэлектрода. При увеличении толщины оксидного слоя (свыше 2-4 нм) переход зарядов между полупроводником и раствором затрудняется, фототок и фактор заполнения падают [218]. [c.153]

Неполное заполнение внедряемым веществом межслоевых объемов оценивается количественно как фактор заполнения [6-10]. Он определяется методами темнопольной просвечивающей электронной микроскопии (по размерам блоков муаров) или рентгеноструктурного анализа. Расчетная плотность заполненного внедренного вешества на единицу площади поверхности углеродного слоя и расчетная плотность атомов углерода на единицу площади слоя позволяет получить стехиометрическую формулу соединения СупМС1з <, где у — расчетное отношение атомов углерода к числу ионов металла для одного слоя, п — ступень внедрения, — избыточное количество атомов хлора. [c.286]

Соответствие стехиометрическому составу может быть определено по данным весовых измерений МСС в сочетании с данными по расположению катионов металла и анионов хлора, или прямым химическим анализом. Фактор заполнения определяется по отношению показателей У1/У2, где у1 — расчетное отношение атомов углерода к числу ионов металла для одного слоя, а У2 — эта же характеристика, полученная по данным измерений. Согласно [6-10] фактор заполнения находится в иш ервале 0,6-0,9. Верхнее значение соответствует МСС I ступени, Например, исследование МСС I ступени с СоСЬ показало образование непрерывной сетки внедренного вешества, состоящего из кристаллографически упорядоченных доменов размером порядка 1 мкм. В МСС II ступени слои внедренных веществ не образуют сверхрешетки. При образовании изолированных островков в темнопольном электронном микроскопе наблюдается бахрома из блоков муаров. [c.286]

В. В. Гурьянов, М. М. Дубинин, М. С. Мисин. При адсорбции паров адсорбат представляется как сжатая жидкость, однако его плотность не превосходит плотность соответствующей жидкости. Это обусловлено взаимной компенсацией эффектов сжатия и разрыхления ввиду стерических препятствий при упаковке молекул в микропорах, где вычисленный из геометрических соображений фактор заполнения Р (см. рисунок) существенно меньше 0,74 для плотных шаровых упаковок и зависит от формы пор и величины отношения эквивалентных диаметров молекул и пор к. [c.257]

В экспериментах по насыщению с образцами большого объема, расположенными, например, вдоль оси резонатора, напряженность СВЧ-поля в образце в разных его точках будет различная. Одни спины будут насыщаться, в то время как другие — нет. В большинстве случаев распределение СВЧ-поля Hi внутри образца описывается функцией sin пх а (фиг. 4.5, стр. 141). При этом фактор насыщения s содержит член sin nxta. Фактор заполнения, так же как и фактор насыщения, имеет наименьшую величину в верхней и нижней частях рабочей ампулы. Для достижения наилучших результатов следует использовать только треть или четверть ампулы около ее середины. [c.395]

Фактор заполнения т]. Для малых образцов в резонаторе типа Ню2 г 2Уз1Ус, где У — объем образца, Ус — объем резонатора. [c.501]

Экспериментально найденные характеристики кремниевого фотоанода, покрытого пленкой ЗпОг с примесью 8Ь (толщина 80 нм), в растворе Ре(СК) — Ре(СК)б приведены на рис. 84 для трех разных интенсивностей освещения. Сразу бросается в глаза плохое качество этих характеристик, в частности низкий фактор заполнения (при 100 мВт/см , кривая 3, он равен всего 0,28), что приводит к низкому (3%) К.П.Д. преобразования световой знергии в электрическую. Но дело здесь не в свойствах контакта -81 8п02, а в низкой скорости электрохимической реакции на поверхности раздела 8 02/раствор перенапряжение окисления Ре(СК)б для тока, отвечающего интенсивности света 100 мВт/см , достигает 0,3 В (кривая 3). Сам по себе диод Шоттки -81 8п02 обладает как раз неплохой характеристикой (пунктир на рис. 84) фактор заполнения 0,62, а к.п.д. 9%. Расчет по формуле (7.4) с использованием подобранных характеристик диода Шотгки дал очень хорошее согласие с найденной на опыте кривой 3, что служит подтверждением правильности приведенного выше теоретического описания фотоэлектрода с пленкой [36]. [c.160]

Кремниевые электроды с пленками силицидов платины и иридия по своему фотоэлектрохимическому поведению также представляют собой диод Шоттки, нагруженный на электролитическую ячейку с металлическими электродами. Фотопотенциал электрода при разомкнутой цепи не зависит от обратимого потенциала окислительно-восстановитель-ной системы в растворе характеристики электрода в целом хорошо рассчитываются с использованием характеристик границы раздела кремний/силицид, измеренных отдельно в твердофазной системе. Эти пленки получают, напыляя на кремний слой платины или иридия и прогревая образец на воздухе при 250-400 °С. Поверхность пленки электрокаталитически очень активна в реакциях окисления, например, галогенид-ионов, Ре , Ре(СК)б , а также воды. К.п.д. достигает значений 5-8%, фактор заполнения-до 0,7. Пленки силицидов-наиболее устойчивые среди всех исследованных покрытий при пропускании Кл/см характеристики фотоэлектрода почти не изменяются [116, 231]. [c.161]

Интенсивность падающего излучения составляла 115мВт-см , что соответствует солнечному излучению в космическом пространстве на орбите Земли. Обычно КПД ленточных солнечных ячеек составляет 6+10%. На бездефектных. участках лент изготовлены ячейки с более высокими КПД, доходящими до 12%. Из лент Si, полученных согласно [378], солнечные ячейки изготавливались по упрощенной технологии Для дисковых солнечных элементов наземного применения (КПД составлял 5+-7% с наилучшими результатами на центральных участках ленты). Фотопреобразователи, испытанные в [372], показали следующие характеристики плотность тока нагрузки 22 мА см , напряжение холостого хода 520 мВ, напряжение нагрузки 375 мВ коэффициент (фактор) заполнения 0.64, КПД — 6.25%. Известно, что КПД солнечных элементов на плоских кремниевых подложках уменьшается при значительной концентрации падающей солнечной энергии. Этот недостаток молено избежать использованием кристаллов Si в форме трубок с пропусканием внутри охлаждающего газа или воды. Такие кристаллы выращивались вариантом EFG при зацеплении по внешнему периметру верхнего торца формообразователя [70]. Длина трубок доходила до 1.5 м, диаметр составлял 0.95 см при толщине стенки 0.15+0.25 мм. Солнечные батареи, изготовленные из этих трубчатых кристаллов, имели КПД 7.5%. [c.225]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология