Наложения краев поглощения

На рис. 27 а — первая селективная линия с длинноволновой стороны края поглощения область вд, — основной край поглощения. В пределах его обнаруживается тонкая структура основного края. Ее появление обусловлено наложением на истинный край поглощения двух селективных пиний поглощения (с и с ). В области, далекой от границы поглощения [й — ), обнаруживаются флюктуации коэффициента поглощения, со- [c.105]

Характеристические линии мишени иногда мешают возбуждению спектра рентгеновскими лучами. Эти линии полезны, если их длины волн короче (но лишь не на много) длины волны края поглощения, соответствующего возбуждаемой линии. В этом случае характеристические линии мишени очень эффективны, так как в возбуждающем пучке интенсивность их велика и они исключительно сильно поглощаются в образце. Такой благоприятный случай бывает не всегда. Иногда возбуждение линий мишени отнимает от непрерывного спектра энергию, которая могла бы пойти на возбуждение характеристической линии образца. В других случаях линия может накладываться на аналитическую линию образца. Такое наложение, возникающее в результате рассеяния образцом линии мишени, происходит не только при близости длин волн обеих линий, но и в случае, когда отра- [c.116]

Тербий. Среди аналитических линий тербия наиболее удобны для использования линии 1 и 1, которые практически свободны от наложения. Из элементов-спутников ближе всех к ним расположены 71-линия тулия и 72-линия лютеция в третьем порядке отражения. Линии 2 и 71, вследствие их относительно меньшей интенсивности и наложения на них з-линии иттербия и [ 1-линии тулия во втором порядке отражения, редко используются в качестве аналитических линий при количественном определении содержания тербия. Ближайший к аналитическим линиям тербия край поглощения ( т-край гольмия с длиной волны 1532,2 X) расположен на расстоянии порядка 6Х от 71-линии тербия. [c.173]

Иттербий. Аналитические линии иттербия практически свободны от наложений. Исключение составляет лишь наименее интенсивная линия аз, на которую накладывается ,82-линия тербия. Однако наиболее часто анализ на иттербий проводят по линии Линии = 1472,6 X) и х (Х= 1265 X) испытывают селективное поглощение соответственно в гадолинии ( 1-край поглощения— 1474,0 X) и эрбии ( 1-край поглощения—1265,5 X), а линия Yb P2 относительно слаба и при работе на спектрографе описанной выше конструкции находится в неудобной области спектра. [c.174]

Фотохимия соединения 80з исследовалась мало. Из ранних работ известно, что в ультрафиолетовой области наблюдается поглощение в виде слабых диффузных полос, наложенных на сплошной фон, простирающийся до 3100 А, где имеется структурный край [144]. Минимальная энергия, необходимая для разложения молекулы по реакциям (3-65) и (3-66), равна энергии квантов [c.168]

НИЮ спектра, в результате которого большая часть информации, соответствующей какому-то точно определенному значению энергии, распределяется в пределах нескольких каналов многоканального анализатора, охватывающих удвоенную полуширину. Этот эффект проявляется в значительном уширении пиков и краев поглощения по сравнению с собственной их шириной, что приводит к уменьшению отношенця пик/фон и повышению вероятности перекрытия пико.в. Кроме того, именно в этой точке появляются артефакты электроники в виде пиков потерь и наложения ИИКО В. [c.256]

Такой взгляд на структуру абсорбционного края в пределах так называемох о основного края поглощения был выдвинут и развит автором совместно с Нарбуттом [74, 75]. Сложная структура края рассматривалась как результат наложения друг на друга полосы поглощения, появляющейся вследствие переходов электронов атомов в область непрерывных энергий, и селективных линий поглощения, связанных с переходами К-электронов на оптические /г/ -уровни атома. [c.129]

В связи с этим форма К-края поглощения в общем случае может представлять собой результат наложения друг на друга абсорбционной полосы (истинного края поглощения) и группы селективных линий поглощения. Последние будут располагаться с длинноволновой стороны границы истинного края рентгеновского поглощения и приводить к появлению его тонкой структуры. Как будет показано ниже, форма истинного края поглощения атома вблизи границы может быть приближенно описана уравнением типа арктангенсоиды [c.129]

Однако даже независимо от результатов упомянутых экспериментов, разбирая вопрос о происхонодении сложной структуры основного края поглощения атомов в молекулах, нельзя не считаться с тем, что одной из весьма общих причин, способных привести к подобному усложнению структуры рентгеновских спектров, может быть наложение друг на друга краев поглощения атомов, находящихся в объеме абсорбента в силу тех или иных причин в различных энергетических состояниях. [c.172]

Диспрозий. Для количественного определения содержания диспрозия чаще всего используются его 1- и а1-линии. Первая из этих линий практически полностью свободна от наложений. На вторую накладывается относительно слабая 72-линия тулия в третьем порядке отражения. Неподалеку от нее (Х = 3816,20 X) располагается также интенсивная а1-лииия тория, присутствие которого в пробе, таким образом, может неблагоприятно сказаться на точности определения диспрозия пo al-линии. На аз-линию диспрозия накладывается интенсивная 1-линия европия, а па линию 71-диспрозия—линии свинца. Свободная от наложений р2-линия диспрозия в наибольшей мере, чем остальные аналитические линии элемента, подвержена влиянию эффекта селективного поглощения, так как на расстоянии около ЗХ от нее расположен п-край поглощения европия. [c.173]

Поэтому наблюдающуюся на опыте кривую зависимости коэффициента поглощения от частоты по всей видимости следует рассматривать как результат наложения друг на друга двух индивидуальных краев ноглощеиия, появляющихся вследствие электронных переходов в атомах никеля, находящихся в двух различных энергетических состояниях. Одно из них соответствует состоянию двухзарядного простого нона никеля в растворе, второе характеризует энергетическое состояние этого атома в комплексе и, повидимому, в чистом виде отражает те усложнения, о которых шла речь выше. [c.171]

В алмазной кювете высокого давления наибольщее давление имеет место в центре кюветы, а наименьшее — на краях. Поэтому снектр поглощения всего образца под давлением является усреднением спектров при различных давлениях в некоторых случаях оп является также наложением спектров нескольких фаз. Без использования спектрофотометра-микроскопа, который можно сфокусировать на выбранном очень малом участке поверхности кюветы, нельзя получить спектры отдельных компонентов. На рис. 11 представлена фотография всей поверхности кюветы с меркуриодидом при давлении 12 кбар. На рис. 12 при- [c.291]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология