Ионные пучки, использование для ионного распыления

Хотя основными методами осаждения пленок в пленочных резисторах являются методы термического и катодного распыления, все же в микроминиатюрной технике применяют методы получения пленок химическим осаждением, электрохимическим разложением при воздействии электронного луча, осаждением в плазме. Использование электронных и ионных пучков в микроэлектронике открывает возможность изготовлять изделия очень малых размеров. Кроме того, способ осаждения веществ с помощью ионного луча, управляемого магнитным полем, допускает автоматизацию технологии изготовления микросхем, в частности резисторов. [c.328]

Как уже отмечалось, при использовании ионного микрозонда для анализа тонких пленок необходимо, чтобы скорость распыления образца поддерживалась на заданном уровне и была одинакова по всей площади, бомбардируемой пучком первичных ионов. Для этого плотность тока первичных ионов должна быть постоянна как во времени, так и по сечению пучка. Для непосредственного измерения потока бомбардирующих ионов Эванс и Пемслер (1970) использовали цилиндр Фарадея. Такой контроль позволил получить высокую точность ионной обработки, поверхности образца (неровности не превышали 3% средней глубины пробоотбора), а также облегчил юстировку первичного пучка. [c.413]

Метод ионного реактивного распыления предусматривает использование сформированных ионных пучков, направляемых на распыляемые мишени (например, кремний, алюминий). Для распыления пригодны установки триодного типа. Пленки 51зМ4, A1N синтезируют распылением мишеней ионами азота в условиях сравнительно глубокого разрежения 6,7(10 —10 ) Па (5-10 —5-10 мм рт. ст.) (плазма дугового разряда низкого давления). При постоянном напряжении на мишени (1—3 кВ) скорость роста пленки A1N равна 60—200 А/мин [41, с. 278, 284]. [c.47]

Для масс-спектрометрического исследования процессов распыления полной бомбардировкой разработаны и применены ионные источники высокой интенсивности, Б которых использован принцип качающегося электронного пучка. При распылении были обнаружены атомные и молекулярные частицы, как нейтральные, так и заряженные. Характер этих частиц качественно соответствует составу твердой фазы (включая примеси) и адсорбированных газов. Так как начальная кинетическая энергия этих частиц составляет несколько электропвольт, возможен анализ по массам при помощи обычного фильтра импульсов. Возможно определение некоторых примесв , находящихся яа поверхности. [c.164]

Искровая масс-спектрометрия с ионным микрозондом — метод, который также может быть использован для определения газов в твердых телах. Образец бомбардируется пучком ускоренных (5—15 кэВ) ионов аргона или другого инертного газа, и распыленные положительные ионы образца анализируются в масс-спектрометре. Сначала разрушается поверхность, а затем распыляется слой за слоем материал анализируемого образца. Таким образом, можно зарегистрировать поверхностные неоднородности и изменение концентрации по длине и глубине образца. В последнем случае образец и пучок ионов должны пе-ремеш,аться относительно друг друга. Первичный пучок ионов можно сфокусировать в пятно размером несколько сот микрометров. [c.395]