Анализ тонких пленок

Методы трех поправок, а-коэффициентов и анализа тонких пленок достигли высокой степени развития. Поэтому для каждого метода будут изложены только используемые чаще всего приемы. В процессе изложения выра кения приводятся таким образом, чтобы читатель мог сам непосредственно сделать расчеты. Следует отметить, однако, что метод трех поправок все [c.5]

Для очень малых частиц (толщиной менее 0,2 мкм) уместна другая стратегия анализа. Для анализа таких тонких частиц лучше всего использовать методы, разработанные для анализа тонких пленок, которые будут обсуждаться в следующем разделе. [c.56]

АНАЛИЗ ТОНКИХ ПЛЕНОК И ФОЛЬГ [c.56]

Количественный анализ тонких пленок, например фильтров с частицами аэрозоля, можно выполнять простым сравнением скорости счета для отдельного элемента в пробе со скоростью счета, полученной для стандартной тонкой пленки, поскольку влияние основы практически отсутствует. [c.85]

Для решения задач материаловедения необходим анализ поверхностных слоев с толщинами от долей одного атомного слоя до нескольких микрометров (последнюю задачу часто называют анализом тонких пленок ). [c.311]

Помимо локального анализа (анализа в точке) и получения пространственного распределения элементов с высоким разрешением можно проводить послойный анализ, комбинируя ионное распыление поверхности (см. разд. 10.3.2) с анализом оже-электронов, выходящих с облучаемой поверхности. Эта задача особенно важна для анализа тонких пленок и анализа поверхности. Принцип [c.343]

Для исследования подобного рода обычно выбирают спектрометрию резерфордовского обратного рассеяния не только потому, что он является недеструктивным (число атомов, удаляемых с поверхности в результате упругого рассеяния, практически незначимо), но и благодаря экспрессности и точности. Необходимо отметить, что преимущества метода POP особенно четко проявляются при анализе тяжелых атомов на легких подложках. Только в этом случае аналитические пики отделены от сигнала подложки. В случае пленок, состоящих из легких элементов на тяжелой матрице, аналитические сигналы располагаются на фоне значительного фонового сигнала подложки, что существенно затрудняет расчеты и делает их менее точными. Чувствительность метода по отношению к легким элементам также гораздо хуже, поскольку сечение а пропорционально Z . Другое ограничение при анализе тонких пленок заключается в толщине пленок. Толщина пленок не должна превышать 0,5- [c.354]

Сплавы мышьяка с сурьмой. Для анализа тонких пленок сплавов мышьяка с сурьмой предложен снектрофотометрический метод [1148]. [c.203]

Метод электронографии предназначен для проведения структурного анализа тонких пленок (на просвет) или поверхности (на отражение). В большинстве случаев ограничиваются геометрическим аспектом (анализом электронограмм, что дает возможность определить элементарную ячейку, провести фазовый анализ, расшифровать текстуру, установить степень дисперсности и др.), хотя в принципе электронография позволяет анализировать строение тонких слоев вещества вплоть до определения атомных координат, если прибегнуть к рассмотрению интенсивности дифракционных рефлексов. [c.229]

Результаты электронномикроскопического анализа тонких пленок, полученных путем эмиссии разных полимеров, свидетельству-. ют о довольно значительных различиях в структуре [85]. [c.166]

Эмиссионный спектрографический анализ тонких пленок тантала. [c.270]

Для определения примесей в растворах можно использовать те же приемы, что и при анализе тонких пленок или поверхностных загрязнений. Одно из важных достоинств подобного подхода заключается в том, что в образец перед его нанесением (в виде пленки) на поверхность электрода можно ввести внутренний стандарт. Среди других преимуществ метода по сравнению с анализом металлических образцов необходимо отметить [c.361]

Для анализа тонких пленок, образованных сильно радиоактивными веществами, использовался метод единичной экспозиции. Во время эксперимента поверхность, на которую нанесен образец, перемещается по отношению к зонду, имеющему форму клина. [c.368]

Микроанализ Анализ тонких пленок Ионно-ионная масс-спектрометрия Анализ поверхностей [c.372]

АНАЛИЗ ТОНКИХ ПЛЕНОК И ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДЫХ ТЕЛ [c.401]

Анализ тонких пленок и поверхности твердых тел 403 [c.403]

Рис. 13.3. Система сканирования с одновременным перемещением и вращением образца для анализа тонких пленок.

Борд и Таунсенд (1966) для анализа тонких пленок золота и алюминия на различных подложках использовали пульсирую- [c.409]

При анализе тонких пленок методом вторичной ионной эмиссии, независимо от типа прибора, главная трудность заключается в получении надежных количественных данных. Один из возможных подходов — анализ хорошо охарактеризованных тонкопленочных систем. Некоторые вопросы, связанные с количест- [c.421]

Использование сканирующего электрода из золота в работах ряда исследователей (список литературы с.м. в работе [12]) должно было привести к незначительному уменьшению глубины кратеров по сравнению с электродами из тугоплавких металлов. Наиболее подходящим электродным материалом является алюминий. Эти выводы были подтверждены экспериментально. Использование сканирующего электрода из алюминия позволило при тех же режимах искрового ионного источника, что и для рения, получить кратеры в кремнии глубиной около 1 мкм. Такая глубина кратеров все еще превышает размеры, допустимые для послойного анализа тонких пленок. [c.168]

При анализе тонких пленок часто требуется определять содержание искомого элемента на единице площади. В этом случае расчет проводят по формуле [c.27]

Яковиц и Ньюбери [176] разработали эмпирическое приближение, в основе которого лежит подгонка кривых распределения рентгеновского излучения по глубине ф(рг). Этот метод позволяет быстро определить толщину и состав тонких пленок с помощью настольного калькулятора или небольшой вычислительной машины, и он более прост в использовании, чем ранее описанные. Он предлагается для анализа тонких пленок на подложках, и обсуждение его приводится ниже. [c.60]

Метод Яковица — Ньюбери является простым эмпирическим приближением, которое можно использовать в практическом анализе тонких пленок. Если исследователь сталкивается с проблемой анализа большого количества тонких пленок на раз- [c.67]

Для анализа веществ высокой чистоты, различных материалов электронной техники и ряда других объектов интерес представляет развитие и использование искровой масс-спектрометрии. При помощи специальных приборов с двойной фокусировкой этот метод позволяет определять очень малые концентрации до 70 элементов-примесей в различных твердых веществах. Первым прибором такого типа, использованным в советских лабораториях, был английский масс-спектрометр М8-7. В настоящее время применяют и отечественные искровые масс-спектрометры, разработанные Специальным конструкторским бюро аналитического приборостроения (СКВ АП АН СССР) в Ленинграде по техническому заданию ГЕОХИ АН СССР (см. с. 15). Разработаны методы послойного анализа тонких пленок, например полупроводниковых, на таких приборах разрешающая способность до 0,1 мкм. При этом можно определять большое число элементов. Изучаются возможности анализа растворов после их быстрого замораживания. Считается, что при быстром замораживании гомогенность распределения примесей нарушается не сильно. Главными достоинствами искровой масс-спектрометрии являются исключительно низкий предел обнаружения, небольшие затраты вещества на анализ, широкий спектр определяемых элементов. Недостаток метода — не очень хорошая воспроизводимость и правильность определений, а также трудности пробоотбора и эталонирования. Работы по искровой масс-спектрометрии ведутся в ГЕОХИ АН СССР (Г. И. Рамендик и др.), ИРЕА (М. С. Чупахин), Гиредмете (Г. Г. Главин, Д, В, Корми-лицын). [c.73]

В лабораторной практике успешно применяют различные методы элементной масс-спектрометрии. Абсолютный предел обнаружения достигает 1 10 г и дает возможность определять примеси до 1-10 %. Приведенные характеристики метода позволяют разработать эффективные методы анализа малых объемов вещества [14], проводить послойный анализ тонких пленок с высоким разрешением по глубине [15], осуществлять определение микропримесей в жидкостях [16]. Вследствие того, что в элементной масс-спектрометрии используются высокоэнергетические ионные источники искрового, ионно-ионного и лазерного типов, удается исключить полностью или уменьшить влияние электрофизических характеристик исследуемых веществ. Другими словами, с их помощью можно проводить анализ как веществ, обладающих металлической проводимостью, так и полупроводников и диэлектриков. [c.229]

Другая возможность анализа тонких пленок основана на их удалении селективным растворением при этом приходится пожертвовать пространственным разрешением в плоскости ХУ (Малм, 1969 Ахерн, 1961). Впоследствии растворенное вещество наносят на поверхность электрода из чистого материала, раствор выпаривают и остаток анализируют обычными масс-спектрометрическими методами. [c.408]

Как уже отмечалось, при использовании ионного микрозонда для анализа тонких пленок необходимо, чтобы скорость распыления образца поддерживалась на заданном уровне и была одинакова по всей площади, бомбардируемой пучком первичных ионов. Для этого плотность тока первичных ионов должна быть постоянна как во времени, так и по сечению пучка. Для непосредственного измерения потока бомбардирующих ионов Эванс и Пемслер (1970) использовали цилиндр Фарадея. Такой контроль позволил получить высокую точность ионной обработки, поверхности образца (неровности не превышали 3% средней глубины пробоотбора), а также облегчил юстировку первичного пучка. [c.413]

В будущем при использовании устройств с ионной бомбардировкой для анализа тонких пленок может иметь важное значение еще один эффект (Эванс, Пемслер, 1970 Герцог и др., 1967). Это различие начальной кинетической энергии атомных и молекулярных ионов, распыленных с поверхности образца. Изучение-распределения по энергиям вторичных ионов показало, что с увеличением их кинетической энергии число молекулярных ионов быстро падает, в то время как число атомарных ионов уменьшается сравнительно медленно. Эванс и Пемслер использовали этот эффект для разделения дублета в масс-спектре, образованного наложением линии ( Нг О) на линию Подбором ускоряющего потенциала и напряжения на электростатическом анализаторе были созданы условия, когда регистрировались только ионы с высокой кинетической энергией. [c.413]

Возможности метода с применением ионного микрозонда для анализа тонких пленок иллюстрируют данные Эванса и Пемс-лера (1970), полученные при анализе тонких пленок окиси тантала. С этой целью сначала проводилось анодирование тантала в Нг 0, а затем в Нг - О или так что на поверхности образца образовывалась двойная пленка из Таг 05 и Тзг Юз ее толщина была определена с высокой точностью благодаря известному соотношению между толщиной пленки и напряжением при анодировании (Яунд, 1961). Затем образцы бомбардировали гомогенным пучком ионов так, что скорость распыления составляла 0,65 А/с, и регистрировали интенсивности линий и в зависимости от глубины пробоотбора. Результаты (рис. 13.8) хорошо согласуются с электрохимическими данными по толщине двойной пленки. Другие результаты, приведенные Эвансом и Пемслером (1970), свидетельствуют о возможности достижения на приборе фирмы G A разрешения по глубине-20 А. [c.413]

Аулингер [45] использовал оригинальное устройство, позволяющее сообщать электродам, изготовленным из исследуемого материала, вращательное движение, что позволило существенно улучшить воспроизводимость получаемых результатов. В работе [46] эта же цель была достигнута путем отсечки ионного луча. В связи с разработкой метода послойного анализа тонких пленок была предложена конструкция сканирующего-устройства [47], что дало возможность исследовать распределение примесей по заранее заданной программе без вмешательства оператора. В последующих разделах эти вопросы будут рассмотрены более подробно в связи с вопросами использования искровой масс-спектрометрии в химическом анализе. [c.19]

В л тературе можно встретить сообще 1 1я, посвященные масс-снектрометрическоыу анализу тонких металлических пленок. В них, как правило, глубина эроз и пробы значительно превышает толщину пленки, и в спектре масс присутствует большое количество атомов, относящихся к материалу подложки. Поэтому подобный метод анализа тонких пленок аналогичен идентификации поверхностных загрязнений. Так, например,. Мали [30] использовал масс-спектрометр с искровым ионным источником для определения примеси мсл бдена в танталовой пленке толщиной 0,4 мкм, выращенной на подложке 13 графита. Противоэлектрод был Зготовлен из золота, а ниобий, содержащийся в пленке, служил внутренн и стандартом. Автору удалось определить концентрации молибдена от 0,02 до 3,1 ат.% в спектре масс тантала. [c.160]

Предлагается прием рентгеноспектральяого флуоресцентного метода анализа тонких пленок, использующих изменение интенсивности вторичного излучения содержащихся в пленках элементов с вариацией угла отбора флуоресценции. [c.230]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология