Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Схема затвердевания вещества

Рис. 23-15. Схема затвердевания вещества (а) и распределения концентраций по длине образца (6) при направленной кристаллизации (а < 1) Рис. 23-15. Схема затвердевания вещества (а) и <a href="/info/30656">распределения концентраций</a> по длине образца (6) при направленной кристаллизации (а < 1)

    Рпс. 8.1. Схема затвердевания вещества (а) (г распределение концентраций по длине образца (б) при нормальной направленной кристаллизации (а<1)  [c.263]

    В целом сведения, изложенные в монографии, создают предпосылки для развития в дальнейшем количественной теории кристаллизации чистых веществ. При рассмотрении затвердевания многокомпонентных расплавов необходимо ввести в расчетную схему процесса ряд дополнительных факторов. Здесь возникает вопрос о перераспределении примесей при кристаллизации, приводящем к формированию различных структурных [95] и концентрационных неоднородностей в твердой фазе [130]. [c.18]

    В случае парафиновых углеводородов (см. рис. 9.26) эвтектические точки также расположены на одной кривой. Условия образования таких систем представлены на схеме (рис. 9.29), которая подтверждена довольно скудным экспериментальным материалом. Обнаруживается асимметрия кривых, связанная с тем, что вещество А скорее будет образовывать двухкомпонентные твердые растворы с неограниченной растворимостью с большинством гомологов, которые обладают более высокими, по сравнению с /а, температурами затвердевания. Объясняется это тем, что чем более высшие углеводо- [c.438]

    Благодаря большой концентрации дырок в кристалле приходится делать поправки на их вырожденность (как указывалось в разд. IX.1.7). Дополнительные поправки необходимо ввести также в связи со значительным понижением температуры затвердевания при больших концентрациях растворенного вещества вследствие этого все константы равновесия окажутся зависящими от концентраций, что в свою очередь приведет к изменению наклонов линий при переходе от левой части схемы к правой. Когда точная температура затвердевания известна, поправку на этот эффект можно внести, приведя все точки к одной и той же температуре. Это можно сделать, используя известную температурную зависимость констант нормального распределения и /С) и принимая разумное значение энергии активации для Кр. Трудность заключается в том, что, поскольку каждая линия определяется различной комбинацией констант и тем самым имеет разную температурную зависимость, необходимо знать, в какой части схемы мы находимся перед внесением поправки. Ответ на этот вопрос можно получить, действуя методом проб и ошибок предполагается, что точка лежит на данной линии, вносится соответствующая поправка, но поправка на конечной стадии принимается только в том случае, если анализ показывает, что первоначальное предположение было правильным. [c.301]

    Очевидно, что независимо от формы кончика тигля образование в нем центров кристаллизации должно происходить раньше, чем температура самого тигля достигнет температуры затвердевания вещества. С другой стороны, одновременное затвердевание вещества во всем капилляре ведет к образованию поликристаллического вещества во всем объеме расплава. Автор настоящей статьи встретил затруднения при выращивании кристаллов органических соединений из расплава по схеме с двойной печью Стокбарджера, которые были обусловлены одновременным переохлаждением всего кончика при недостаточно резком перепаде температур. Очень резкий перепад температур удалось получить на приборе, изображенном на рис. 32 [71]. Верхняя нагревательная зона была сконструирована из двух вставленных друг в друга стеклянных трубок, между которыми находились витки нагревательного элемента из нихромовой проволоки. Нижний конец [c.228]


    Важно отметить, что метод Бриджмена — Стокбарджера с вертикальными печами можно применять только к тем веществам, объем которых при затвердевании не увеличивается, а к ним относится большая часть органических соединений. В случае веществ с увеличивающимся при кристаллизации объемом кристаллы могут выращиваться этим методом при использовании горизонтальных печей. Схема прибора в этом случае напоминает схему, изображенную на рис. 37, на котором показано выращивание кристаллов методом горизонтальной зонной плавки, только область расплава на рисунке следует распространить до конца тигля, противоположного зародышу, оставляя зародыш нерасплавленным. Процедура роста здесь осуществляется, так же как и в методе с вертикальными печами, путем медленного продвижения границы раздела твердое вещество — расплав в область расплава. [c.229]

    Схема, данная Свентославским, относится к высшим парафиновым углеводородам. Если отметить высшие члены гомологичег ского ряда (вещества В) с большей температурой затвердевания, чем у вещества А, получим схему, представленную на рис. 9.27. Сравнение рис. 9.25 и 9.26, являющихся отражением экспериментального изучения систем, с теоретическими исследованиями (рис. 9.24 и 9.27) убеждает в справедливости предвидения Свентославского о постепенном переходе от твердых растворов [c.435]


Смотреть страницы где упоминается термин Схема затвердевания вещества: [c.39]    [c.302]    [c.302]    [c.104]   
Основы техники кристаллизации расплавов (1975) -- [ c.221 ]

Процессы и аппараты химической технологии Часть 2 (1995) -- [ c.310 ]




ПОИСК







© 2024 chem21.info Реклама на сайте