Органические кристаллы, выращивание

Поскольку для выращивания кристаллов зародыши предпочтительно получать не на дне кристаллизатора, а в подвешенном состоянии, необходимо иметь соответствующие держатели. Один из способов подвески состоит в том, что в зародышах сверлят отверстия, в которые и вставляются стерженьки держателей. Однако органические кристаллы в общем случае не поддаются сверлению, и лишь в некоторых случаях удается подвешивать их на тонкой проволоке. По-видимому, более подходящим способом является закрепление кристаллического зародыша в тонкостенной трубке нужного размера из инертного пластика чтобы зародыш прочно удерживался, конец трубки оттягивают и вставляют в него зародыш. С другого конца в трубку вставляют стержень держателя. После окончания процедуры выращивания кристалла из него нетрудно вытащить сначала стержень, а затем и обмякшую трубку. [c.208]

Из всех методов выращивания органических кристаллов наиболее широко применяются, несомненно, методы выращивания из раствора, так как они годятся для молекулярных и ионных кристаллов, органических комплексов, металлоорганических соединений и полимеров. Методы выращивания из раствора обладают многими преимуществами они удобны и просты, не требуют для экспериментов по выращиванию сложной аппаратуры. В связи с широким применением этих методов мы их рассмотрим здесь более подробно. [c.205]

Существует несколько специальных методов выращивания, которые, несмотря на их малое распространение, являются ценными для получения определенных типов кристаллов. К ним относятся методы выращивания в твердом состоянии, в результате химического превращения и при высоких давлении и температуре. Когда все другие методы уже испробованы и не привели к успеху, то возможно, что нужный органический кристалл может быть получен одним из перечисленных методов. [c.237]

Хотя в этой ячейке выращивались пока только кристаллы неорганических солей из водных растворов, имеются все основания считать, что она пригодна и для выращивания органических кристаллов из неводных растворителей. При выращивании кристаллов неорганических солей к ячейке были подсоединены платиновые электроды для определения ионной проводимости, которая могла служить мерой концентрации растворенного вещества в зоне роста. Так как при варьировании скорости размешивания изменяется пересыщение в зоне роста, то такая возможность непрерывного измерения пересыщения весьма удобна. При выращивании кристаллов неионных органических соединений для определения пересыщения в зоне роста используют другие физические свойства, например показатель преломления. Следует отметить, что эта методика страдает одним недостатком как и в методе Крюгера — Финке, здесь допускается возможность попадания тонких кристаллитов из питающей зоны в зону роста, где они могут вызывать образование побочных кристаллов. [c.216]

За последнее десятилетие быстро развилась техника выращивания иа расплава больших полупроводниковых неорганических кристаллов теперь эта техника уже широко применяется для приготовления многих органических кристаллов. Выращивание из расплава имеет ряд преимуществ перед другими методами. Во-первых, возможная скорость роста из расплава в общем гораздо выше, чем из раствора или из пара, так как твердое вещество в рас- [c.223]

В целом ряде опубликованных обзоров, касающихся роста кристаллов, основное внимание неизменно уделялось росту неорганических и металлических кристаллов. Цель настоящего обзора — возможно более полно осветить методы выращивания органических кристаллов. Здесь совсем опущены или только упомянуты методы, которые для выращивания органических кристаллов обычно не используются. Результаты, полученные при выращивании неорганических кристаллов, обсуждаются только в том слуг чае, если они важны для понимания роста органических кристаллов. [c.191]

Т. Ловицу принадлежит ряд крупных исследований. В 1785 г., пытаясь получить бесцветные кристаллы винной кислоты, он случайно обнаружил явление адсорбции. Это открытие было широко использовано им для различных технических целей, в частности для очистки спирта, органических веществ, воды и т. д. Большое научное и практическое значение получили работы Т. Ловица по кристаллизации. Он выяснил роль затравки в процессе кристаллообразования, открыл и изучил явление пересыщения растворов и разработал способы выращивания крупных кристаллов. Т. Ловиц предложил метод качественного анализа веществ по рисункам кристаллических налетов на стекле, образующихся после выпаривания капель раствора, которые можно наблюдать с помощью микроскопа. [c.71]

Существует несколько других методов выращивания кристаллов из растворов, однако применение их для выращивания органических кристаллов ограниченно. Одним из них является электроосаждение, которое пригодно только для соединений, подвергающихся ионизации в растворе. Главное применение этого метода состоит в получении монокристаллических слоев, обычно металлических, на различных материалах, играющих роль электродов. [c.216]

Выращивание кристаллов из пара обычно включает в себя транспортировку пара из зоны, содержащей твердое питающее вещество при температуре 1, ко второй зоне — зоне роста кристалла, имеющей температуру 2, причем последняя несколько ниже, чем tl, разность температур создает такое пересыщение, которое при соответствующем контроле может привести к образованию хороших зародышей кристаллов и обеспечить их дальнейший рост. Выращивание из паровой фазы для приготовления больших монокристаллов применяется гораздо реже, чем выращивание из расплавов и растворов. Поэтому экспериментальная методика выращивания кристаллов из пара не так хорошо разработана и, пожалуй, не так хорошо изучена, как методика выращивания из расплава или из раствора. Однако это не должно обескураживать экспериментатора, особенно потому, что именно из паровой фазы были получены почти совершенные органические кристаллы, практически свободные от дефектов [78]. Более того, благодаря возможности выращивания в вакууме или в атмосфере инертного газа при отсутствии жидких растворителей можно приготовить кристаллы, свободные от нелетучих примесей. [c.218]

В литературе существует пока очень мало данных о выращивании кристаллов органических соединений путем химического превращения. Однако приведенные примеры позволяют предполагать, что в особых случаях возможно применение аналогичной методики и для выращивания органических кристаллов. Бакли [14] установил, что можно получить кристаллы фталевого ангидрида нагреванием твердой фталевой кислоты, приводящим к выделению воды с образованием летучего фталевого ангидрида, кристаллизующегося в холодной части реактора в виде длинных игл. [c.238]

Р и с. 3. Печь Бриджмена для выращивания органических кристаллов [96]. [c.17]

Хотя по переносу энергии в смешанных органических кристаллах выполнено множество исследований [7, 31, 32, 67, 71, 105, 142—150], эти системы не нашли всеобщего применения в качестве практических сцинтилляторов. Основная причина этого, по-видимому, заключается в том, что их приготовить труднее, чем пластические сцинтилляторы или сцинтилляторы с жидкими растворами. Тем не менее такие системы смешанных кристаллов, как антрацен в нафталине, по-видимому, дают возможность получить лучшую эффективность по сравнению с органическими сцинтилляторами, применяемыми в настоящее время. Большие кристаллы нафталина, достигающие нескольких дюймов в диаметре, могут быть получены при выращивании кристаллов непосредственно из расплава [29] аналогичным методом могут быть приготовлены смешанные кристаллы. [c.221]

Хотя, по-видимому, метод Холдена и пригоден для выращивания неионных органических кристаллов из неводных растворов, он применялся главным образом для выращивания ионных органических кристаллов из водных растворов. Примерами ионных органических кристаллов, выращенных этим методом, являются этилендиамиптартрат [95], триглицинсульфат [46, 53] и ортофосфат гуанидина [53], причем все они были получены из водных растворов. Об успешном применении метода свидетельствует работа [46], в которой описано выращивание хороших кристаллов сульфата триглицина весом 360 г при автоматическом охлаждении от 52° до 34° в течение 10—12 суток. [c.210]

Мы не можем рекомендовать химический анализ вещества, чтобы, установив его состав, потом вещество очищать. Если анализ и проведен, мы не знаем заранее, от чего очищать, а от всего очистить практически невозможно, как невозможен анализ на все примеси (таковыми могут быть с точки зрения их влияния на рост не только отдельные химические элементы, но и органические и неорганические соединения). Таким образом, очищать вещество следует не вообще, не от всех примесей, а только от тех, которые вредят качеству кристалла. Поэтому единственные на первой стадии по выращиванию кристаллов критерии пригодности реактивов — [c.132]

Для выращивания большинства встречающихся на практике кристаллов, особенно если размер выращиваемого кристалла не превышает первых сантиметров, вполне достаточным оказывается применение обычной дистиллированной воды или перегнанных органических растворителей, одно—трехкратная прямая или обратная перекристаллизация вещества с параллельной или последующей очисткой активированным углем. Если после такой подготовки кристалл все же имеет недостаточно удовлетворительное качество, то следует тем не менее попытаться подобрать благоприятные условия роста, такие как температура, пересыщение, способ крепления затравки, динамика движения раствора и т. п. И только в том случае, когда подобрать благоприятные условия не удается, следует вновь вернуться к дополнительной очистке или подбору примесей, нейтрализующих вредное действие тех компонентов, которые содержатся в маточной среде. [c.137]

Почти все органические твердые вещества имеют положительный коэффициент растворимости. Это значит, что растворимость вещества растет с увеличением температуры. Для таких растворов существует три главных метода выращивания кристаллов (рис. 15) 1) упариванием растворителя, 2) медленным охлаждением насыщенного раствора и 3) выращивание при разности температур между зоной роста и зоной растворения. [c.206]

Для получения кристаллов из пара можно использовать любое органическое вещество, которое способно сублимироваться без заметного разложения. Для выращивания достаточно больших кристаллов более пригодны те вещества, которые имеют упругость паров при температуре выше точки плавления в пределах от 10 до 1 атм. Если давление ниже, то скорость роста будет, очевидно, слишком мала более того, при этом возрастает возможность образования дендритов (из-за предпочтительной конденсации вещества в одних местах кристалла и недостатка его в других). [c.218]

Поскольку органические соединения заметно отличаются по своим свойствам от других веществ, бывает удобным, а часто и необходимым, модифицировать методы, которые предназначались для выращивания из расплава металлических и неорганических кристаллов. Такое модифицирование будет показано при описании различных методов. [c.225]

В общем случае при выращивании кристаллов органических веществ вытягиванием возможны трудности из-за их низкой теплопроводности и малого поверхностного натяжения. В литературе имеются упоминания о выращивании этим методом кристаллов нафталина и других соединений [51]. [c.234]

Хотя первоначально метод зонной плавки был предложен для неорганических веществ и металлов, показано, что он является ценным также для очистки и выращивания кристаллов тех органических соединений, которые при температуре плавления химически не разлагаются и не имеют слишком высокой упругости пара. К органическим соединениям, которые очищались зонной плавкой, относятся бензойная кислота, пирен, антрацен и хризен [28], жирные спирты [32], бензол [75], /г-бромтолуол и п-ксилол [86] и свыше пятидесяти других соединений [7]. [c.236]

Хотя выращивание кристаллов из расплавленных металлов при высоких давлениях и температуре не является методом, нашедшим широкое применение, ясно, что если другие методы недоступны, а нужный кристалл имеет малую растворимость, то эту растворимость можно увеличить, применяя высокие давление и температуру до такой степени, при которой становится возможным рост из раствора. Например, кварц из-за низкой растворимости нельзя выращивать из растворов при обычных условиях, но уже при давлениях около 1000 атм и температурах до 400° он выращивается из щелочных растворов со скоростью примерно 2,5 мм в сутки [97]. Аналогичным образом органические вещества, физические свойства которых не позволяют получать кристаллы обычными методами, могут, по-видимому, давать кристаллы из органических растворителей при высоких давлении, и температуре. [c.239]

Кристаллы выращивались из пара, воды и из ряда органических растворителей, включая различные спирты, кетоны, сложные эфиры и тетрагидрофуран. За исключением одного случая (выращивание из метанола), кристаллы имели только f-грани. Не все из этих граней всегда присутствовали, а их комбинации были различны. Какой-либо явной зависимости между химическим строением растворителя и полученной комбинацией форм найдено не было. [c.358]

Рост кристаллов может происходить различными способами. Кристаллы могут расти слоями, причем каждый слой заполняется со скоростью по крайней мере не меньшей скорости образования новых слоев. Поверхность раздела кристалла можно представить либо в виде кристаллографических плоскостей, либо (если при выращивании существует градиент температур) в виде поверхностей, параллельных поверхностям изотермы. Если скорость заполнения слоев меньше скорости их образования, происходит радиальный рост древовидных образований —дендритов. Поверхности раздела в кристалле часто имеют ячеистую (в виде пчелиных сот) структуру. Попытки кинетического и термодинамического объяснения различного характера роста кристаллов имели больший или меньший успех, но к настоящему времени пока нет общей теории, объясняющей все особенности этого процесса. Недавно было обнаружено, что морфология кристаллов в значительной степени определяется величиной энтропии плавления. Вещества с большой энтропией плавления — к этой категории относится большинство органических соединений — имеют кристаллы с большими плоскими гранями, а если энтропия плавления мала — металлы и некоторые органические соединения со сферической симметрией,— кристаллизация сопровождается образованием поверхностей раздела, параллельных поверхностям изотермы, даже если поверхности раздела не совпадают с кристаллографическими. В этих веществах возможен также дендритный или ячеистый рост кристаллов в зависимости от чистоты соединения и температурного режима кристаллизации. На рис. 93 представлены некоторые из поверхностей раздела, наблюдаемых в визуально прозрачных кристаллах. Величина энтропии плавления определяет степень диффузности поверх- [c.202]

Выращивание кристаллов путем конденсации паров предполагает наличие температурного градиента между источником пара, имеющего обычно более высокую температуру, и пространством, где происходит рост кристаллов. Температуры источника паров и кристалла являются важнейшими параметрами процесса роста, и скорость роста, которая определяется степенью пересыщения, можно легко контролировать путем подбора этих температур. Рост кристаллов происходит с заметной скоростью при степени пересыщения порядка 0,1% в то время как, согласно теории образования ядер, степень пересыщения должна была бы составлять несколько десятков процентов. Как уже говорилось, такое несоответствие объясняется наличием винтовых дислокаций или других дефектов на поверхности кристалла. Этим методом можно просто и эффективно выращивать монокристаллы многих металлов, неорганических и органических соединений. [c.204]

Стекольная и керамическая промышленность существуют тысячелетия. Все же, несмотря на интерес человечества к кремнезему, в течение долгого времени много еще остается непонятным в отношении этого окисла. Так, например, хотя способ выращивания кристаллов кварца недавно разработан, нелегко объяснить, как кристаллы кварца могут расти в природе в таком виде, чтобы содержать включения столь различных жидкостей, как нефть, ртуть или жидкая двуокись углерода И]. Также трудно объяснить, каким образом может быть образован минерал итаколумит это гибкая форма песчаника, в котором зерна кремнезема взаимно сцепляются подобно шаровым шарнирным соединениям. Окаменелое дерево, в котором клетчатка и лигнин замещены кремнеземом, образующим почти точную копию органического вещества, не может еше быть воспроизведено в лаборатории. [c.5]

Лаборатория, в которой ведется выращивание кристаллов, должна удовлетворять общим требованиям, предъявляемым к химическим лабораториям. При этом помещение, выделяемое для лаборатории, целесообразно разделить на три смежные комнаты. Светлое помещение предназначают под аналитические и оптические приборы, рабочие и письменные столы, уголок справочных изданий и т. п. Кристаллизаторы целесообразно разместить в наиболее удаленной от входа в лабораторию другой комнате, вдали от приборов отопления, источников пыли и вибрации. Хорошо, если будет предусмотрена возможность установки кристаллизаторов в полной темноте. Как показывает опыт работы с рядом органических кристаллов, эта мера существенно увеличивает срок службы растворов и заметно уменьшает вероятность их запаразичивания. [c.158]

Рис. 1.20. Аппаратура для выращивания органических кристаллов из водного раствора (Ниче [193]).

Так как блоки молекулярных конструкций в органических кристаллах связаны друг с другом относительно слабыми вандерваальсовыми силами или водородными связями, то их свойства должны быть совершенно отличны от свойств большинства неорганических кристаллов. Поэтому методы, применяемые обычно для выращивания неорганических и металлических кристаллов, часто должны быть сильно изменены для того, чтобы они стали пригодны для выращивания органических кристаллов. В тех случаях, когда это оказывается возможным, рассматриваются влияние этих различий в свойствах кристаллов и те изменения методов выращивания, которые необходимы, чтобы сделать их пригодными для органических кристаллов. [c.191]

Более простую методику предлож ил Хортон [64], а Филдинг [51] позже несколько усовершенствовал ее. Прибор состоит из широкой стеклянной трубки, заполненной двумя несмешиваюш,имися жидкостями. Верхний слой нагревается до температуры, значительно превышающей точку плавления выращиваемого кристалла. При использовании глицерина и силиконового масла — оба они имеют низкую теплопроводность — на границе этих двух жидкостей устанавливается очень резкий градиент. Медленно опуская контейнер для выращивания кристаллов через эту границу, можно легко получить крупные кристаллы. Поскольку градиент очень резкий, термостатирование не требуется. Единственным условием является очень прочная установка прибора, так как любая вибрация поверхности раздела приводит к сильному искажению градиента и тем самым к неправильному росту кристалла. Автору часто приходилось иметь дело с этим методом и выращивать большое количество крупных органических кристаллов. Другое достоинство метода заключается в возможности его универсального использования. Один и тот же прибор служит для выращивания как крупных, так и мелких кристаллов, поскольку позволяет использовать контейнеры для кристаллов самых различных форм и размеров. При очень высоких температурах — для твердого органического состояния они лежат уже выше 300° С — масла испаряются слишком быстро, поэтому метод применим лишь к веществам, которые плавятся ниже этой температуры. Однако сюда входит большая группа обычно используемых веществ. [c.18]

Выращивание органических кристаллов упариванием растворов в последнее время продемонстрировано на примерах получения кристаллов малоновой кислоты [55], Ы-ацетилглицина 60] и гексагидрата гуанидиналю-минийсульфата [73] из водных растворов салола [2] и стеариновой кислоты [72] из бензола янтарной кислоты [30] из этилацетата к-гексатриакон-тана [20] из петролейного эфира. [c.213]

Причинами того, что выращивать органические кристаллы труднее, чем неорганические, являются их способность к большому переохлаждению и низкая теплопроводность. Почти вся теплота плавления растущего кристалла может отводиться только через твердое вещество это означает, что твердое вещество с плохой теплопроводностью будет затвердевать в единице объема более продолжительное время, чем вещество с хорошей теплопроводностью. Поэтому органические кристаллы продвигают при выращивании через печь с очень малой скоростью — 1 мм1час или меньше. Если скорость прохождения кристалла будет превышать скорость отвода теплоты плавления от границы раздела твердое вещество — расплав, то пострадает качество кристаллов из-за неправильного ориентирования молекул, включения примесей и появления побочных центров кристаллизации. [c.228]

Условия стеканйя жидкости с кристаллов в значительной степени определяют чистоту кристаллов, достигаемую при центрифугировании плп фильтрации кристаллической пульпы. Если бы имелись способы выращивать кристаллы, не содержащие включений маточного раствора и достаточно крупные для удаления индивидуальных кристаллов из раствора при помощи механических устройств типа пинцета, то возможно было бы проводить процесс кристаллизации с эффективности каждой ступени очистки, близкой к 100%. Фактически для достижения результатов, которые могли бы быть достигнуты за одну ступень, процесс обычной кристаллизации органических веществ приходится проводить в три или большее число ступеней. Следовательно, эффективность каждой ступени можно принять равной 20—33%. Выращивание кристаллов, которое до сего времени является скорее искусством, чем наукой, кратко рассмотрено дальше (стр. 86). [c.66]

Исследование кристаллических структур н-парафинов как простейших представителей цепочечных молекулярных кристаллов, безусловно, интересно в связи с изучением кристаллохимии обширного круга алифатических соединений (спирты, кислоты, эфиры, полимеры) и выявлением закономерностей органической кристаллохимии и минералогии в целом. Однако изучение структуры н-парафинов осложняется трудностями выращивания совершенных монокристаллов и сложностью получения индивидуальных парафиновых углеводородов в чистом виде, без примесей соседних гомологов. Кроме того, каким бы методом ни были выращены кристаллы н-парафинов, они, как правило, редко пригодны для рентгеноструктурного анализа, так как из-за своей слоистой структуры обычно представляют собой тонкие пластины, часто искривленной формы. Все это объясняет сравнительно небольшое количество расшифрованных структур индивидуальных парафиновьк гомологов и невысокую точность определения их структурных параметров. Структурные данные для природных углеводородов вообще отсутствуют. [c.24]

К сожалению, многие статьи, в которых речь идет об изучении органических монокристаллов, содержат очень мало сведений о методе выращивания кристаллов. В результате неизбежно обзор на эту тему является непол- [c.191]

Метод б, при котором постоянную разность температур между питающей зоной и зоной роста поддерживают с помощью двух отдельных термостатов, можно применять для выращивания как мало летучих, так и сильно летучих кристаллов. При помощи этого метода были успешно выращены кристаллы таких органических соединений, как нафталин (Фольмер и Шульце [94]) и четырехбромистый углерод (Бредли и Драри [9]). Схема прибора, применявшегося в последней работе, приведена на рис. 24. [c.220]

Метод Бриджмена — Стокбарджера может применяться для выращивания кристаллов множества разнообразных органических веществ, плавящихся без разложения, хотя первоначально он для этого не предназначался. Если эксперимент проводят в запаянной трубке, то даже высокая летучесть не создает при этом затруднений. Из последних работ, в которых [c.227]

Способность некоторых сложных органических соединений к большим переохлаждениям обусловливает необходимость особой конструкции кончика тигля, а также резкого перехода температур у перегородки, для того чтобы в кончике тигля инициировался рост монокристалла. Некоторые формы тиглей, которые использовались до настоящего времени, изображены на рис. 31. Тигель с коническим кончиком (рис. 31,а), применявшийся Стокбарджером, удобен только для тех соединений, которые при переохлаждении затвердевают легко. Шариковый кончик тигля Бриджмена б с шейкой находит более широкое применение, но он страдает тем недостатком, что растущий через сужение зародыш, если это монокристалл, часто бывает ориентирован в сторону тигля медленно развивающейся стороной, поэтому над сужением может произойти образование новых центров кристаллизации [12]. Хорошие результаты дает спиральный кончик в, если в его конструкции вершина спирали не видна со стороны широкой части тигля и спираль делает не менее половины витка вокруг оси тигля [80]. Кончик с перегородкой г, как и простой капиллярный кончик д, также приводит к хорошим результатам [79]. Во всех случаях стенки тигля должны переходить в кончик плавно, так как острые углы часто действуют как места образования побочных центров кристаллизации. Тигли таких форм с кончиками можно успешно применять для выращивания кристаллов легко плавящихся органических веществ, так как они могут изготовляться из обычных стеклянных трубок. Печи можно конструировать также из стеклянных концентрических трубок, позволяющих непрерывно наблюдать поверхность раздела расплав — твердое вещество, что очень удобно для экспериментатора. [c.228]

Очевидно, что независимо от формы кончика тигля образование в нем центров кристаллизации должно происходить раньше, чем температура самого тигля достигнет температуры затвердевания вещества. С другой стороны, одновременное затвердевание вещества во всем капилляре ведет к образованию поликристаллического вещества во всем объеме расплава. Автор настоящей статьи встретил затруднения при выращивании кристаллов органических соединений из расплава по схеме с двойной печью Стокбарджера, которые были обусловлены одновременным переохлаждением всего кончика при недостаточно резком перепаде температур. Очень резкий перепад температур удалось получить на приборе, изображенном на рис. 32 [71]. Верхняя нагревательная зона была сконструирована из двух вставленных друг в друга стеклянных трубок, между которыми находились витки нагревательного элемента из нихромовой проволоки. Нижний конец [c.228]

Важно отметить, что метод Бриджмена — Стокбарджера с вертикальными печами можно применять только к тем веществам, объем которых при затвердевании не увеличивается, а к ним относится большая часть органических соединений. В случае веществ с увеличивающимся при кристаллизации объемом кристаллы могут выращиваться этим методом при использовании горизонтальных печей. Схема прибора в этом случае напоминает схему, изображенную на рис. 37, на котором показано выращивание кристаллов методом горизонтальной зонной плавки, только область расплава на рисунке следует распространить до конца тигля, противоположного зародышу, оставляя зародыш нерасплавленным. Процедура роста здесь осуществляется, так же как и в методе с вертикальными печами, путем медленного продвижения границы раздела твердое вещество — расплав в область расплава. [c.229]

Фотографическую эмульсию получают путем приготовления и выращивания кристаллов галогенйого серебра, образующихся в результате реакции двойного обмена между растворимой солью серебра и смесью галогенидов щелочных металлов. Роль органической химии в этом процессе (если не учитывать важную функцию желатины) невелика. Однако, даже достигнув заданных размеров, кристаллы галогенного серебра (потенциальная скорость роста которых примерно пропорциональна их величине) все еще имеют низкую светочувствительность. Поэтому их приходится сенсибилизировать, создавая на поверхности кристаллов ничтожные включения сульфида серебра. Состояние, соответствующее оптимальной степени сенсибилизации фотографической эмульсии, неустойчиво. Дальнейший рост или перераспределение включений сульфида может затормозить рост кристаллов или привести к образованию вуали, т. е. способности проявляться у неэкспонированных участков изображения. Единственными удовлетворительными стабилизаторами оптимально сенсибилизированной эмульсии являются гетероциклические органические соединения, дающие комплексы с серебром, особенно тетраазаиндены типа 4-окси-6-метил-1,3,За,7-тетра-азаиндена (11). Из других гетероциклических стабилизаторов [c.646]

Эту более практическую проблему специально исследовал Наккен , который сконструировал специальные автоклавы и использовал природные высококачественные несдвойникованные кристаллы кварца в качестве затравок при выращивании кристаллов кварца из гидротермальных растворов. Подобные затравки обычно брались с граней ромбоэдра и имели форму тонких пластинок однако для кристаллографических исследований проводились также опыты с полированными щарами из кварца Автоклавы были покрыты серебром и имели емкость 25—30 жл кристаллические затравки подвешивались на серебряной проволочке. Нак-кеи работал с температурами 370—400°С, поддерживавшимися в течение нескольких дней кристаллы выращивались им в изотермических условиях, причем он использовал более высокую растворимость кварцевого стекла в воде вблизи критической точки (см. С. I, 44). К большой проблеме в таких исследованиях относится предотвращение самопроизвольного образования зародышей. Этого пытались избежать путем добавления органического вещества, например желатина, стеарина, олеата натрия и т. д [c.625]

Это упущение представляется крайне удивительным, поскольку процесс роста кристаллов низкомолекулярных соединений из паров относительно успешно проанализирован (разд. 6.1.2,2). Общие методы выращивания кристаллов органических веществ описаны в обзоре Рейнольдса [326]. Наиболее подходящим условием для роста больших кристаллов является давление паров от 10 до 1 атм при температурах ниже температуры плавления. Более низкое давление паров приводит к низким, практичееки неудобным скоростям кристаллизации, и при этом увеличивается вероятность роста дендритов. Образования наиболее совершенных кристаллов следует ожидать вблизи предельной температуры [уравнение (91), табл. 6.6] при относительно небольшом различии между температурой паров и температурой кристалла. Ниже рассмотрено образование макромолекулярных кристаллов из мономеров в газообразном состоянии на примерах полимеризации селена, формальдегида, тетрафторэтилена, е-аминокапроновой кислоты и га-ксилилена. [c.349]

Известные способы получения пористых адсорбентов можно разделить на четыре группы [227, 228] 1) активирование гру-бодисперсиых материалов воздействием химически агрессивных сред, например получение активных углей действием газов-окис-лителей на кокс или пропиткой органического материала некоторыми солями с последующей их химической обработкой 2) коллоидно-химическое выращивание частиц золей с последующим получением из них гелей с рыхлой упаковкой (при высу шиваиии таких гелей образуется структура с боЛьЩим числом пор-зазоров между частицами силикагели, алюмосиликагели и др.) 3) синтез пористых кристаллов — цеолитов, обладающих свойствами молекулярных сит (размеры каналов в таких кристаллах составляют 0,4—1,0 нм) 4) термическое разложение карбонатов, гидроксидов, оксалатов, некоторых полимеров при умеренных, во избежание спекания, температурах (получение активных оксидов, некоторых пористых активных углей, губчатых металлов). Как видно, получение адсорбентов является весьма сложной задачей, для решения которой необходимы значительные энергетические ресурсы, использование дорогостоящих химических реактивов, сложной аппаратуры и больших затрат времеии. [c.154]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология