Ионизация дефектов свечения

Электрон, попавший в зону проводимости, теряет связь с тем дефектом, которому он принадлежал ранее, и перемещается по кристаллу до тех пор, пока не встретит какое-либо новое нарушение решетки, например другой образованный активатором дефект, тоже потерявший свой электрон — ионизовавшийся. Рекомбинируя (воссоединяясь) с таким ионизованным дефектом, электрон отдает избыток энергии в виде фотона — возникает люминесценция, которая в этом случае носит название рекомбинационной люминесценции. Ее особенностью является ионизация центров свечения при возбуждении. В случае, представленном на рис. 5, это приводит к созданию в зоне проводимости концентрации электронов, превышающей равновесную, что можно обнаружить по увеличению электропроводности. Таким образом, находит объяснение тот факт, что возникновение люминесценции часто сопровождается фотопроводимостью. [c.15]

В работах по кристаллофосфорам, в том числе в данной книге, процессы типа А - -А+е принято называть ионизацией центра (дефекта) А, хотя его заряд при этом уменьшается по абсолютной величине, в данном случае до нуля (эта терминология возникла применительно к центрам свечения до того, как стали известны их эффективные заряды). В учении о полупроводниках под ионизацией дефектов чаще подразумевают процесс освобождения носителей заряда, связанный с увеличением эффективного заряда дефектов, например А- А -ЬЛ-в случае акцепторов и 0->0 +е в случае доноров. [c.180]

Напряжение на вторичной обмотке может быть до 20 кв. Один конец вторичной обмотки трансформатора заземляют, а другой соединяют со специальным электродом — щупом. Когда этот электрод, укрепленный на ручке из изоляционного материала, проводят над эмалевой поверхностью испытуемого изделия, наблюдается фиолетовое свечение коренного разряда. Форму короны можно регулировать. При проведении электрода над дефектным местом вследствие сильной ионизации газов внутри пор и других дефектов происходит искровой разряд, направленный от электрода к месту дефекта. Место пробоя эмалевого слоя покрывается белым налетом. Сплошное покрытие толщиной более 0,5 мм выдерживает пробу напряжением 20 кв без повреждений. [c.439]

Кинетика затухания рекомбинационной люминесценции при наличии центров захвата. Выше предполагалось, что фосфор содержит только один тип дефектов — центры свечения. В действительности дело обстоит сложнее. При исследовании кинетики люминесценции особенно важен учет так называемых ловушек, захватывающих электроны из зоны проводимости. Можно представить себе, например, что в катионной подрешетке оказалась примесь, обладающая большим потенциалом ионизации, чем замещаемые ею атомы основного вещества. В таком случае электрон, перемещающийся по цепочке катионных узлов, может оказаться захваченным примесью. Аналогичная ситуация возникает и в том случае, если в анионной подрешетке будут отдельные пустые узлы — ва- [c.21]

Неравновесный характер люминесценции связывается с перераспределением энергии внутри атомов (молекул) или с ионизацией атомов и последующей рекомбинацией свободного электрона (свободной дырки) с ионизованным атомом (когда мы имеем дело с неорганическими твердыми телами). В последнем случае условием появления люминесценции является существование специфических дефектов кристаллической решетки, обусловленных наличием посторонних (активирующих) примесей или нестехиометричностью химического состава вещества. Эти дефекты получили название центров свечения, а вещества, люминесценция которых обусловлена наличием такого рода центров свечения, называют кристаллофосфорами или просто фосфорами. Следует иметь в виду, что для кристаллофосфоров характерны и другие виды дефектов, в частности центры прилипания или ловушки, также играющие важную роль в люминесценции. [c.8]

Таким образом концентрация растворенного галлия должна быть обратно пропорциональна парциальному давлению цинка. Здесь не учтены другие процессы — ассоциация дефектов, тепловое раз-упорядоченение, нарушение стехиометрии (диспропорционирова-ние), ионизация дефектов и решетки, однако качественное согласие с опытом имеется увеличение pzn действительно приводит к резкому уменьшению растворимости галлия и соответствующему снижению интенсивности вызываемого им голубого свечения. Впрочем этот процесс можно трактовать и как взаимодействие между галлием и сульфидом цинка с образованием СагЗз и растворением его в ZnS (см. гл. IX). [c.122]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология