Ионизация дефектов

И фонона при этом попутно может иметь место и ионизация дефектов (центры У и т. д.). [c.212]

В результате ионизации дефектов (доноров или акцепторов) при хемосорбции электропроводность твердого тела должна падать хемосорбированные частицы играют роль ловушек по отношению к носителям тока — электронам и дыркам. Разумеется, падение это может быть заметным лишь тогда, когда отношение поверхности к объему достаточно велико. [c.131]

Исследованы процессы инициирования полимеризации ни--пильных мономеров при механическом диспергировании твердых металлов, солей и окислов. Высказано предположение, что механизм полимеризации связан с прямой передачей электрона молекуле мономера за счет преодоления работы выхода (металлы) иди ионизации дефектов структуры (соли) [c.127]

Рассмотрим ионизацию дефектов с точки зрения учения о химическом равновесии. Донор и акцептор ионизуются по схеме [c.93]

Dk — коэффициент хаотической диффузии к-частиц D — коэффициент диффузии радиоактивного изотопа /с-частиц Dk — индивидуальный коэффициент химической диффузии /с-частии Dab —коэффициент взаимной (сопряженной) диффузии частиц А и R Е — энергия диссоциации комплекса Ес — энергия дна зоны проводимости Ен—энергия потолка валентной зоны Ei — энергия ионизации /-дефекта [c.8]

На зонной диаграмме расстояние локального уровня от зоны проводимости отвечает энергии ионизации дефекта с образованием свободного электрона. Принято обозначать уровень символом захватившего электрон дефекта, т. е. дефекта в состоянии, которое является исходным в этом процессе. В процессах, приводящих к освобождению дырки, оно, наоборот, является конечным. Поэтому энергия реакции (111.28) указывается на зонной диаграмме положением уровня У гп, а реакции У гп- У"гп- -Л — положением уровня У"гп по отношению к валентной зоне. Вообще следует помнить, что зонная схема является диаграммой энергий, которые относятся не к дефектам, а к процессам, в которых участвуют эти дефекты, и потому, обозначая уровень символом дефекта, следует указывать, к какому состоянию последнего — начальному или конечному — относится этот символ. [c.89]

Важной особенностью полупроводниковых фосфоров является необходимость учета термической ионизации дефектов и основной [c.179]

В работах по кристаллофосфорам, в том числе в данной книге, процессы типа А - -А+е принято называть ионизацией центра (дефекта) А, хотя его заряд при этом уменьшается по абсолютной величине, в данном случае до нуля (эта терминология возникла применительно к центрам свечения до того, как стали известны их эффективные заряды). В учении о полупроводниках под ионизацией дефектов чаще подразумевают процесс освобождения носителей заряда, связанный с увеличением эффективного заряда дефектов, например А- А -ЬЛ-в случае акцепторов и 0->0 +е в случае доноров. [c.180]

Константа термической ионизации решетки вычисляется по формуле (1У.26). К выражению для расчета констант ионизации дефектов можно прийти следующим путем. [c.183]

Сравнивая друг с другом уравнения, полученные для констант равновесия теплового разупорядочения решетки, распределения веществ между двумя фазами, реакций ассоциации-диссоциации и процессов термической ионизации дефектов и основной решетки, видим, что уравнение ( /1.49) является общим для всех этих констант. Величина Ко также может быть выражена общей формулой 15, стр. 341] [c.186]

В случае ионных кристаллов с большой шириной запрещенной полосы отпадает необходимость в учете процессов термической ионизации дефектов (см., например [121]). [c.200]

Учет электронных равновесий необходим потому, что все точечные дефекты склонны к ионизации и действуют в кристалле в качестве доноров или акцепторов. Процесс ионизации дефекта записываем также в виде реакции (4.4), которую характеризуем некоторой константой равновесия К. Для термодинамического изучения таких реакций необходимо использовать понятие химического потенциала и применять его ко всем компонентам реакции, включая и свободные носители. Можно показать на основании расчета изменения энтропии кристалла, в который вводится электрон с нулевой энергией (в кристалле его энергия равна ,-), что химический потенциал электрона равен уровню Ферми Це = Ер. [c.172]

Поскольку все процессы ионизации дефектов и примесей взаимосвязаны уравнением электронейтральности кристалла, можно утверждать, что указанные взаимные влияния будут иметь место. Кроме того, уже отмечалось, что для полупроводников с малой шириной запрещенной зоны, когда 1 — Еа)<Ну электронейтральность достаточно точно характеризуется уравнением пр= К , а для полупроводников с большей шириной запрещенной зоны, где (Ei —Еа) >Ну — равенством [К ]=уО. [c.184]

Рассмотрим процессы ионизации дефектов. Ионизацию вакансий опишем следующими уравнениями [c.203]

MOB концентрации свободных носителей от логарифма давлений пара, при которых производилась термообработка, будет зависеть в первую очередь от энергии ионизации дефектов. Когда энергии ионизации дефектов столь малы, что все дефекты ионизированы при комнатной температуре, получают кривые, аналогичные тем, которые представлены на рис. 4.10,6. [c.212]

Энергии ионизации дефектов, эв [c.483]

Остальные уравнения (8) приводят к известным соотношениям между вероятностями тепловой ионизации дефекта и захвата дефектом носителя [c.221]

Энергетические уровни дефектов удобно обозначать таким образом, чтобы можно было быстро определить их атомную природу и характер ионизации. При этом возникают некоторые трудности. Дело в том, что положение энергетического уровня определяется энергиями присоединения или отрыва электронов от данного центра. Однако переход электрона на вакантный уровень или удаление электрона при освобождении занятого уровня изменяет состояние ионизации дефекта. Поэтому, строго говоря, один и тот же уровень энергии электрона в занятом и вакантном состояниях следует обозначать различным образом. Например, если занятый уровень нейтрального дефекта А -обозначен А , то тот же вакантный уровень следует обозначить А , где точка указывает на положительный заряд. Если энергетический уровень вновь образовавшегося центра А занят, этот уровень также нужно обозначить А . Необходимость использования различных обозначений для одного и того же уровня (в зависимости от его заполнения электроном) и одного и того же обозначения для разных уровней (а именно для пустого и занятого уровней дефекта в разных состояниях ионизации) вносит определенную путаницу. [c.154]

Если у дефекта имеются возбужденные состояния, то последние также иногда указываются на энергетической схеме. При этом следует иметь в виду фундаментальную разницу между возбужденным состоянием и вакантным уровнем. При возникновении возбужденного состояния изменяется энергия дефекта, но характер его ионизации остается тем же самым, тогда как при заполнении вакантного уровня к дефекту добавляется электрон, и, следовательно, состояние ионизации дефекта изменяется. [c.155]

Поглощение, обусловленное ионизацией дефектов, наблюдалось для боль-июго числа веществ галогенидов щелочных металлов, соединений типа ZnS, твердых простых веществ, таких, как германий и кремний, и т. д. Оно обычно используется для получения сведений о положении энергетических уровней дефектов. Обзор систем, в которых обнаружено дополнительное поглощение, связанное с присутствием примесных атомов, сделан в работе [49] (см. также табл. XVI.1). [c.175]

Х1.2А. Осложнения, возникаюш,ие при, многократной ионизации дефектов изменение механизма внедрения примесных атомов в зависимости от их концентрации [c.264]

Постройте диаграмму Брауэра для кристалла АХ3, находящегося в равновесии с паром состава Х2, для случая преобладания разупорядочения по Шоттки и электронного разупорядочения в сравнении с атомным. Степень окисления атомов X равна -1. Ионизацию дефектов считать полной. [c.151]

Эти количественные данные показывают, что ионизацию дефектов можно трактовать, используя теорию химического равновесия, и что при такой трактовке применим закон действующих масс. Но при этом важно, является ли дефект донором или акцептором, химической примесью или дефектом решетки, одиночньш или составным ионизованным дефектом и является ли кристалл диэлектриком или полу- [c.95]

Таким образом концентрация растворенного галлия должна быть обратно пропорциональна парциальному давлению цинка. Здесь не учтены другие процессы — ассоциация дефектов, тепловое раз-упорядоченение, нарушение стехиометрии (диспропорционирова-ние), ионизация дефектов и решетки, однако качественное согласие с опытом имеется увеличение pzn действительно приводит к резкому уменьшению растворимости галлия и соответствующему снижению интенсивности вызываемого им голубого свечения. Впрочем этот процесс можно трактовать и как взаимодействие между галлием и сульфидом цинка с образованием СагЗз и растворением его в ZnS (см. гл. IX). [c.122]

Если при ионизации дефектов межузельные атомы образуют донорные центры, а вакансии акцепторные центры, то процессы ионизацнп можно описать следующими уравнениями [c.177]

Получаем систему из q уравнений, содержащих q неизвестных. Для рещения этой системы надо знать значения всех констант равновесия, которые связаны с энтальпиями образования и ионизации дефектов. Поскольку значения энтальпий образования различных дефектов весьма различны, можно довольствоваться учетом только тех дефектов, энтальпии образования которых в данном материале имеют наименьшие значения это значительно упрсщает расчеты равновесных концентраций дефектов. [c.204]

В гл. IV были рассмотрены условия установления полного внутреннего равновесия в кристаллах, взаимодействующих с внещней фазой заданного состава при заданной температуре. Состояние равновесия характеризуется равенством химических потенциалов всех компонентов в сосуществующих фазах. Равновесные концентрации всех видов заряженных дефектов (атомных и точечных) связаны уравнением злектронейтральности, уравнениями, характеризующими обмен атомами между кристаллом и средой, и уравнениями, описывающими ионизацию дефектов. Следовательно, структурно-чувствительные свойства кристаллов зависят от процессов обмена атомами между объемом кристалла и внешней фазой. [c.358]

С учетом известных экспериментальных данных, а также согласно изложенному дырочную электропроводность ZnTe можно объяснять как результат двукратной ионизации вакансий Vzn"-Отсюда следует, что общая концентрация дефектов данного типа зависит от их энергии ионизации при малой энергии ионизации возрастает и общее число дефектов данного вида и число дефектов, ионизированных при температуре измерения. Повышение общей концентрации дефектов при их многократной ионизации энергетически выгодно, несмотря на затрату энергии на последовательные процессы ионизации, ввиду того что энтропия кристалла возрастает с увеличением числа свободных носителей. Многократная ионизация донорных или акцепторных центров тем вероятнее, чем меньше энергия ионизации. Таким образом, чем меньше энергия ионизации дефекта, например вакансии Yzn, тем больше вероятность ее полной ионизации при температуре синтеза кристалла или его термообработки, тем больше концентрация акцепторных центров, созданных при высокой температуре, и тем большее их число будет ионизировано при температуре измерения в результате материал будет обладать дырочной электропроводностью. В соединениях могут образовываться не только акцепторные вакансии (V m), но и донорные вакансии (Vx) или донорные межузельные атомы (Mj). Если энергии ионизации донорных центров малы и приблизительно равны энергии ионизации акцепторных центров, то материал может быть как электронного, так и дырочного типа электропроводности, в зависимости от условий синтеза. Но это может иметь место только тогда, когда энтальпия образования донорного и акцепторного дефектов сравнимы. Если же энергия двукратной ионизации акцептора значительно меньше, чем энергия двукратной ионизации донора, т. е. составляет лишь часть запрещенной зоны, то, очевидно, число акцепторов будет преобладать над числом доноров и материал будет р-типа. [c.482]

Все изложенное позволяет дать объяснение преимущественному проявлению электронной или дырочной электропроводности в изученных (весьма относительно) соединениях dS, dSe и dTe. В табл. 10.10 приведены экспериментально определенные значения энергий ионизации дефектов. [c.483]

В этом случае первичный акт поглощения света приводит к образованию экситона, а не свободного электрона или дырки. Такой экситон, странствуя по кристаллу, может встретиться с дефектом решетки и аннигилировать на нем. При этом энергия экситона может быть использована для ионизации дефекта, т. е. для перевода электрона или дырки, локализованных на дефекте, в свободное состояние (механизм Лашкарева — Жузе — Рывкина [108—109]). Если таки.м дефектом является чужеродная частица, хемосорбированная на поверхности кристалла, то результатом будет изменение [c.141]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология