центры энергия ионизации

Каждый из этих металлов имеет способность легко терять электроны и становиться окисленным в растворе. И наоборот, их ионы восстанавливаются с трудом, например ионы калия имеют восстановительный потенциал - 2,92 В. Литий теряет электроны в растворе легче, чем Сз, несмотря на более высокую энергию ионизации Ь], потому что маленький размер иона Ь] позволяет молекулам воды ближе подойти к центру этого иона это обусловливает очень высокую устойчивость гидратированного иона. [c.433]

Координационная сфера и молекулы воды, расположенные между ионами, препятствуют обмену электрона, но это понижение скорости обмена частично компенсируется понижением энергии ионизации благодаря электронной поляризации среды. Поэтому Либби полагает, что не будет большой ошибкой, если к реакциям обмена в водных растворах применить расчет, приведенный в первом разделе для двух ионов в газе. По мнению Либби, ири рассмотрении обмена и окислительно-восстановительных реакций разумно предположить, что волновая функция электрона на расстояниях в несколько атомных слоев имеет заметную величину. Довольно быстрый обмен может наблюдаться при сравнительно малых энергиях взаимодействия, причем скорость обмена равна о при энергии взаимодействия 27,1 эв, так что сравнительно быстрые реакции обмена могут наблюдаться при энергиях взаимодействия. меньших, чем микровольт. Даже если координационная сфера по природе является изолятором, большие комплексные ионы с восстанавливающим ионом металла в центре могут служить быстро восстанавливающими агентами. [c.118]

Преобладание в продуктах каталитического крекинга молекул бензина (С5—Сю), возможно, обусловлено тем, что углеродный атом, который наиболее легко образует карбениевый ион, находится в середине длинной цепи углеводорода, примерно на четвертой или пятой позиции, так как в этом случае требуется меньшая энергия ионизации, чем для углерода, расположенного вблизи конца цепи. Углеродные атомы, находящиеся дальше от конца цепи, требуют примерно такой же энергии ионизации, что и четвертый или пятый атомы. Если карбениевый ион возникает на четвертом или пятом углеродном атоме, то образуется олефин, содержащий 5 или 6 атомов углерода, что соответствует нижней границе длины молекул бензина. Последующее попадание олефинов с короткой цепью внутрь цеолита, очевидно, сопровождается множественными взаимодействиями с активными центрами и превращением олефина в разветвленное соединение или продукт ароматического строения, что весьма желательно для повышения октанового числа. [c.59]

Анализ экспериментальных данных показывает, что в случае щелочно-галоидных фосфоров, активированных серебром, отдельные спектральные полосы, например 288 тр, у КС1—Ag, обусловлены центрами, представляющими собой своеобразные f-центры, в которых один из шести катионов, смежных с вакантным узлом иона галоида, является ионом серебра [246, 279]. Иными словами, галоидная вакансия и расположенный с нею рядом примесный ион действуют в качестве единой ловушки электронов. Если учесть, что энергия ионизации атомов серебра (7,54 эв.) больше, чем у атомов щелочного металла (для натрия и калия соответственно 5,12 и 4,34 эв.), то естественно ожидать, что энергия связи электрона в Л-центре будет больше, чем в обычном f-центре. Это действительно имеет место, так как полоса поглощения Л-центров значительно смещена относительно f-полосы в коротковолновую область спектра. Если кроме указанного учесть также, что отношение атомных радиусов к ионным для серебра значительно меньше, чем для щелочных металлов, то можно заключить, что электрон в Л-центре будет теснее связан с ионом серебра, чем с каждым ионом щелочного металла в отдельности. Указанные факты, однако, не позволяют отождествить Л-центр с атомом серебра, так как полная энергия связи электрона в Л-центре определяется его энергией взаимодействия не только с ионом серебра, но и с вакантным узлом иона галоида и пятью смежными катионами щелочного металла. Иными словами, Л-центр, или атомарный центр серебра, представляет собой квазинейтральный атом серебра, расположенный по соседству с галоидной вакансией. Такая интерпретация Л-полосы основана на следующих экспериментальных данных. [c.168]

Другим видом дефектов в кристалле является экситон, представляющий собой нейтральное возбужденное состояние электрона до уровня, энергия которого ниже энергии ионизации. В ковалентном или ионном кристалле экситон можно рассматривать как слабо связанные между собой электрон зоны проводимости и дырку, образующие в целом нейтральный центр, который тем не менее не находится в основном состоянии (если бы это было так, электрон должен был вернуться в валентную зону и рекомбинировать с дыркой). Это состояние в известной степени аналогично возбужденному состоянию атома водорода, в котором электрон и протон еще остаются связанными. В молекулярных кристаллах экситон также представляет собой локальное электронное возбужденное состояние, возникающее в результате возбуждения одной молекулы. Экситоны могут двигаться в твердом теле за счет диффузии связанной пары электрон —дырка или за счет переноса молекулярного возбуждения от одной молекулы к другой. Экситоны могут иметь значительное время жизни, по истечении которого они переходят в состояние с более низким уровнем энергии время жизни является характеристическим для (нестабильных) частиц. [c.68]

Ранее обсуждалось радиальное распределение вероятности нахождения электрона на водородоподобных орбиталях (см. рис. 2.5). Электронная плотность ls-орбитали находится ближе к ядру, чем плотность 25-орбитали. Законы электростатики утверждают, что, когда пробный заряд (25-электрон) не накладывается на другой заряд (1 s-электроны), потенциал будет таким же, как если бы этот другой заряд находился в центре (в ядре). Тогда валентному электрону на 25-орбитали отвечал бы потенциал, эквивалентный единичному эффективному заряду ядра (Z = 1,0). Если бы заряд 25-электрона проникал в поле Is-электрона, то он не был бы экранирован и отвечал бы потенциалу, эквивалентному полному заряду ядра (Z = 3,0). При частичном проникновении энергия орбитали 25-электрона не изменяется, но энергия ионизации 25-электрона определяется уже эффективным ядерным зарядом (Z ), который несколько меньше действительного заряда ядра [c.41]

Исследование температурной зависимости фотографической чувствительности показывает, что она максимальна при 20—50 °С, при более низкой температуре она снижается. Это связано с затрудненностью образования скрытого изображения в результате уменьшения подвижности Ag+. При нагревании до 20—50 °С становится возможным образование скрытого изображения. Зная температуру максимальной чувствительности, можно определить энергию ионизации чувствительных к свету центров, она составляет [c.60]

В этом уравнении гдв — расстояние между центрами молекул, /д и /в — энергии возбуждения молекул А и В (иногда эти энергии превышают величины первых энергий ионизации) и ад и ав — электронные поляризуемости молекул. [c.351]

Центрами адсорбции кислорода принципиально может быть каждый поверхностный катион. Однако, во-первых, по различньш причинам не каждый ион и не в одинаковой степени может быть доступен для хемосорбции кислорода и, во-вторых, наилучшими центрами хемосорбции должны быть атомы с наименьшей энергией ионизации. [c.350]

Рассмотрим для определенности полупроводник, содержащий примесные донорные центры В. Будем считать, что донорные уровни лежат значительно выше середины запрещенной зоны, так что энергия ионизации донорных центров АЕо значительно меньше половины ширины запрещенной зоны 2 Ес— Ен), как это действительно имеет место в случае германия (см. гл. 1, раздел 1.6). Пусть некоторая часть доноров [0 ] находится в нейтральной форме, а другая часть—в ионизованной суммарная концентрация доноров [c.104]

Соответственно сопровождающему его энергетическому выигрышу происходит уменьшение энергии ионизации и рекомбинации. В случае же ZnS-Ag-люминофоров подобный процесс не имеет места и потому полосы излучения оказываются смещенными в коротковолновую сторону по отношению к соответствующим полосам ZnS- u. Схема (VII.3) может объяснить тот факт, что в некоторых случаях возбуждение инфракрасной люминесценции, обусловленной ионом Си +, становится возможным лишь при одновременном возбуждении зеленого свечения [101]. В то же время, судя по данным измерений ЭПР ZnS- u-фосфоров [108] медь в возбужденных центрах большую часть времени проводит в состоянии Си+ с заполненной З -оболочкой. [c.218]

Совершенно очевидно, что если в материал не удается ввести акцепторные центры, а донорные центры легко образуются, то материал будет д-типа. Возможен также случай, когда материал содержит акцепторные центры, но их энергия ионизации столь велика, что акцепторные свойства не проявляются. [c.480]

Энергия активации примесей атомов П1 и V групп Периодической системы в германии составляет примерно 0,01 эв. Действие этих примесей удовлетворительно согласуется с водородоподобной моделью примесных центров. Согласно этой модели ионизированный примесный центр связан с зарядом противоположного знака кулоновскими силами. Тогда энергия ионизации примеси будет равна [c.101]

Используя эти соотношения, из экспериментальных данных по температурной зависимости равновесных концентраций можно рассчитать энергию ионизации (Ев). Часто полученные таким образом экспериментальные величины полезно сравнить с вычисленными теоретически. При этом следует выделять два существенно разных метода расчета. В первом случае пренебрегают специфическим взаимодействием между удаляющимися при ионизации валентными электронами и основным атомом центра (например, атомом или ионом примеси). Это оправдано, если электрон связан около дефекта на орбите с большим радиусом. Тогда для неполярных веществ Е в первом приближении дается в виде (так называемая водородо(гелиево)-подобная модель [18]) [c.193]

Во втором методе расчета специфическое взаимодействие между валентным электроном и центральным атомом является решающим, поскольку принимается, что радиус орбиты электрона мал и он находится фактически в пределах центрального атома (внутренняя связь) [20]. Энергия ионизации центра определяется в этом случае такими характерными величинами, как энергия ионизации центрального атома (для донора) или сродство к электрону (для акцептора). Кроме того, в выражение для энергии ионизации входят слагае- [c.193]

Как уже упоминалось в разделе VH.4, ионизацию доноров и акцепторов в полупроводниках и захват заряженных носителей тока на ионизированных центрах также можно представить в виде реакций диссоциации и образования пар. В соответствии с этим, для описания таких процессов можно использовать поправки Дебая — Хюккеля точно таким же способом, как это было показано выше для образования пар между атомными дефектами. Харви рассмотрел с этой точки зрения процесс ионизации доноров в германии и смог объяснить уменьшение эффективной энергии ионизации с увеличением концентрации [60]. Кроме того, этот эффект проявляется также в уменьшении ширины запрещенной зоны. [c.212]

Электроны и ионизированные доноры, или дырки и ионизированные акцепторы, взаимодействуют так же, как разноименные ионы в растворах электролитов (теория Дебая — Хюккеля). Это понижает энергию системы электроны + ионизированные доноры по сравнению с нейтральными центрами. В результате уменьшаются энергия ионизации и ширина запре-щ,енной зоны (см. разд. IX.2.3). [c.351]

Термические энергии ионизации (эв) F-центров, определенные по оптическому поглощению и фотопроводимости [c.395]

Простой разрыв связей может быть гомолитическим (далее обозначается крючком ) или гетеролитическнм (далее обозначается стрелкой ). В соответствии с концепцией локализации заряда или активных центров гомолитический разрыв обычно инициируется радикальным центром, а гетеролитический разрыв - катионным. Заряд в этих процессах удерживается той из двух частиц, нейтральный аналог которой имеет меньшую энергию ионизации (правило Стивенсона-Одье). Как отмечалось выше, заряд может стабилизироваться индукционным или мезомерным эффектом. В общем случае при распаде рвется самая слабая связь, т.е. имеющая наименьшую энергию диссоциации. Можно выделить следующие типы реакций простого разрьша связей. [c.97]

Эта концепция дает новые модели и для промежуточных форм катализа (включая и переходные комплексы) и позволяет привлечь к изучению хемосорбции и катализа закономерности больших и хорошо изученных разделов химии комплексных и хелатных соединений и кристаллохимии. Однако механический перенос этих закономерностей на хемосорбцию и гетерогенный 1 атализ был бы такой же крайностью, как использование одних лишь коллективных макроскопических характеристик твердого тела (уровень Ферми, загиб зон, величина электропроводности и т. д.) во многих построениях электронной теории катализа на полупроводниках [27, 28]. Вызывает сомнение реальность универсальных рядов каталитической активности у металлов и сплавов или окислов элементов различной валентности с экстремумами при определенном числе -электронов (например, при одном или пяти -электронах) у атома (иона) комплексообразующего элемента. Это вытекает из следующих соображений а) обычно нет уверенности даже в сохранении поверхностным ионом металла объемного числа -электронов на 1 атом б) даже при правильной оценке валентности и числа -электронов у соответствующего элемента на поверхности данного образца совсем не обязательно считать (как это делают обычно), что экстремальная каталитическая активность появляется при числе -электронов, соответствующем экстремальным значениям энергии ионизации (сродства) или связи лигандов с центральным ионом в) для некоторых окислов прямыми опытами показано, что активные центры образованы ионами металла, имеющими валентность, резко отличающуюся от стехиометрической. Неудивительна поэтому противоречивость результатов последних экспериментальных работ [29], которые не могут служить серьезным подтверждением предсказапий, основанных на аналогии с прочностью комплексов. В частности, можно указать, что один из дауденов-ских максимумов (для №0 и С03О4), по-видимому, обусловлен частичным восстановлением до металлов. [c.25]

Химический состав диоксида титана выражается формулой ТЮ1,95—ТЮ1,99- Вакансии кислорода составляют до 0,85% всех кислородных позиций в решетке. Для компенсации потерь отрицательных зарядов часть атомов титана находится в виде ионов Ti+ которые сообщают поверхности частичек Т10г свойства полупроводника п-типа [6]. Ионы Т1+3 являются донорньши центрами на поверхности полупроводника. Энергия ионизации донорных центров — около [c.79]

В полупроводниках имеются также примесные уровни, значительно удаленные и от начала зоны проводимости и от конца валентной зоны. Эти глубокие уровни могут быть как донорами, так и акцепторами электронов. Поскольку их энергия ионизации велика, они не вносят существенного вклада в концентрацию носителей за счет обычной термической ионизации, но могут служить ловушками (такими же, как неглубокие уровни обычных примесей) при компенсации избыточных доноров и акцепторов или же центрами рекомбинации в полупроводниках. Иногда, например при поглощении света, электроны переходят из валентной зоны в зону проводимости, что приводит к избыточной, неравновесной концентрации носителей, электронов и дырок, которые в конечном итоге рекомбинируют. При малых избыточных концентрациях скорость рекомбинации пропорциональна концентрации носителей, и их число убывает во времени по закону, где т —константа, называемая ереляжызнм. Время жизни при прямой рекомбинации может быть довольно большим вследствие необходимости одновременного выполнения двух законов сохранения энергии и импульса. Поэтому часто рекомбинация протекает с большей скоростью путем захвата носителей одного знака атомами примесей с более глубокими уровнями и последующей рекомбинацией носителями противоположного знака. Примером примесных уровней, которые служат центрами рекомбинации, являются уровни меди и никеля в германии. Процесс рекомбинации чрезвычайно чувствителен к наличию определенных примесей одна часть никеля на миллиард частей германия уменьшает время жизни носителей на один-два порядка. [c.74]

Развивая идею Слоата и Мензиса о ионизации металлических атомов на поверхности ионного кристалла, Энгел [42] предложил возможный механизм процесса и определил эмпирическую зависимость температуры эпитаксии для разных металлов. Для ионизации металлического атома необходима опреде-ленная энергия. За счет термического нагрева подложки эту энергию атом получить не может, так как исчезающе мала величина фактора Больцмана. Однако на поверхности ионного кристалла могут протекать процессы, приводящие к значительному умеиьщению энергии ионизации. К числу таких процессов относятся, в частности, кулоновское взаимодействие электронных оболочек атомов металла и ионов соли и образование / -центров на поверхности подложки. С учетом этих процессов оценка величины тепловой энергии необходимой для ионизации (в случае эпитаксии А /КаС1), показывает, что процесс ионизации металлических атомов на поверхности ионных кристаллов возможен при достаточно низких температурах [24, 42]. [c.276]

Предполагают [576, 577], что донорно-акцепторная межмоле-кулярная связь подобна обычной двухэлектронной химической связи двух ядер. Отличие состоит в том, что при образовании обычной химической связи каждый из атомов предоставляет по электрону, а в случае донорно-акцепторной связи донор предоставляет электроны, акцептор — вакантные молекулярные орбитали. В зависимости от свойств центрального атома и природы связанных с ним атомов или групп лиганд может функционировать и как донор, и как акцептор. Галогениды и о-металлоорганические соединения переходных металлов подгрупп титана, ванадия и хрома являются акцепторами электронов со свободными d-орбиталями и выполняют роль у-кислот (по номенклатуре Мулликена) [578]. Донорно-акцепторные комплексы и-кислот в зависимости от природы лиганда могут быть классифицированы следующим образом [577, 578] fti (R20-Ti U), oy(RX-Ti U) и яу (Ar-Ti U). Стабильность их тем выше, чем ниже энергия ионизации основания, больше сродство к электрону у кислоты и чем ближе могут располагаться центры зарядов. [c.109]

Об отклонении от стехиометрии можно судить, исходя из фазовых диаграмм состояния, которые изучены достаточно подробно только для теллурида кадмия [27, 28] и теллурида цинка [29—32] и в меньшей мере для селенида кадмия [33]. Экспериментальные данные о степени ионизации и глубине уровней различных кристаллических дефектов также недостаточно полны и эти величины можно только оценить, исходя из таких фундаментальных параметров, как размер иона и вакансии, поляризуемость, энергия связи, разность электроотрицательностей компонентов бинарного соединения. Применяя расчеты, выполненные для Р-центров в щелочно-галоидпых кристаллах, Мандель показал [23], что энергия ионизации вакансии увеличивается с объемом вакансии и уменьшается с поляризуемостью соседних атомов, то есть с ростом их размера и, следовательно, энергия ионизации вакансии (глубина уровня, соответствующего вакансии) характеризуется ве- [c.37]

С учетом известных экспериментальных данных, а также согласно изложенному дырочную электропроводность ZnTe можно объяснять как результат двукратной ионизации вакансий Vzn"-Отсюда следует, что общая концентрация дефектов данного типа зависит от их энергии ионизации при малой энергии ионизации возрастает и общее число дефектов данного вида и число дефектов, ионизированных при температуре измерения. Повышение общей концентрации дефектов при их многократной ионизации энергетически выгодно, несмотря на затрату энергии на последовательные процессы ионизации, ввиду того что энтропия кристалла возрастает с увеличением числа свободных носителей. Многократная ионизация донорных или акцепторных центров тем вероятнее, чем меньше энергия ионизации. Таким образом, чем меньше энергия ионизации дефекта, например вакансии Yzn, тем больше вероятность ее полной ионизации при температуре синтеза кристалла или его термообработки, тем больше концентрация акцепторных центров, созданных при высокой температуре, и тем большее их число будет ионизировано при температуре измерения в результате материал будет обладать дырочной электропроводностью. В соединениях могут образовываться не только акцепторные вакансии (V m), но и донорные вакансии (Vx) или донорные межузельные атомы (Mj). Если энергии ионизации донорных центров малы и приблизительно равны энергии ионизации акцепторных центров, то материал может быть как электронного, так и дырочного типа электропроводности, в зависимости от условий синтеза. Но это может иметь место только тогда, когда энтальпия образования донорного и акцепторного дефектов сравнимы. Если же энергия двукратной ионизации акцептора значительно меньше, чем энергия двукратной ионизации донора, т. е. составляет лишь часть запрещенной зоны, то, очевидно, число акцепторов будет преобладать над числом доноров и материал будет р-типа. [c.482]

Межмолекулярные силы, удерживающие вместе частицы жидкости и молекулы твердого вещества, имеют электрическую природу. Межмолекулярные силы вызваны дисперсионным взаимодействием, взаимодействиями типа диполь-диполь, диполь-индуцированный диполь, ион-диполь, ион-индуцированный диполь. Дисперсионные силы действуют между ионами, атомами и молекулами независимо от наличия у них зарядов или постоянных дипольных моментов. Относительный вклад остальных типов взаимодействия в межмолекулярное притяжение зависит от ряда физических свойств конкретного вещества дипольного момента, энергии ионизации, поляризуемости, структурных особенностей, молярной массы. Межмолекулярные силы принадл ат к дальнодействующим силам и изменяются по закону /, ще I — расстояние между центрами тяжести взаимодействующих частиц. [c.112]

Причина в том, что атомы этих сверхтоксичных примесей действуют как двойные и тройные акцепторы, создающие глубокие энергетические уровни вблизи середины запрещенной зоны. У них энергия ионизации в десятки раз больше, чем у простых акцепторов, поэтому они являются весьма эффективными центрами рекомбинации — своеобразными ловушками, захватывающими носители тока и уничтожающими их. [c.176]

Центры, где находятся примеси, т. е. области в решетке кристалла, занятые атомами примесей (точечные дефекты решетки) или комбинацией атомов, были предметом обширных исследований не только с точки зрения свойств германия и кремния, но и многих соединений. Методы, основанные на измерении электропроводности, эффекте Холла, поглощении света и фотопроводимости, дают информацию об энергии ионизации этих центров, т. е. энергии, необходимой для удаления электрона из центра (или для его добавления к центру). Для получения детальной количественной информации о структуре центров примесей, в том числе о структуре центров, образованных скоплениями примесег или взаимодействием двух или более атомов примесей или дефектов решетки, используют методы электронного парамагнитного резонанса. [c.26]

Поскольку разрушение может быть вызвано также оптической ионизацией М-центра, то имеются достаточные основания для того, чтобы интерпретировать энергию активации процесса как энергию ионизации, т. е. как энергетический зазор между валентной зоной и основным электронным состоянием М-центра. Так как для Р-центров соответствующее расстояние составляет 1,6 эв (см. разд. XV.3), то из данных Томики следует, что М-уровень располагается приблизительно на 0,3 эз выше Р-уровня и тем самым Яйаз приблизительно на 0,3 эв более отрицательна, чем Hass- [c.231]

В сульфиде свинца энергии ионизации вакансий, действующих как однократно ионизирующиеся донорные и акцепторные центры, составляют около [c.367]

Несмотря на указанные сложности, галогениды щелочных металлов относятся к системам, для которых выполняется неравенство> УСь В кристалле, который находится в равновесии с паром металла, концентрация избыточных атомов металла пропорциональна парциальному давлению рм- Это указывает на образование одиночных неионизированных вакансий галогена (наблюдаемых как F-центры) [25—26] при вхождении избытка металла в твердую фазу (рис. ХП1.6, а, область I). Нейтральность дефектов связана с большой энергией ионизации. Фактически наблюдаемое расстояние F-уровня (или Vx-уровня) до зоны проводимости составляет приблизительно 1,5 эв. В то же время отсутствие ассоциатов не вызывает удивления, поскольку связано с незначительной энергией ассоциации, которая ожидается для вакансий галогена. Однако при отжиге в паре галогена кристаллы ведут себя по-другому в области — IQi концентрация избыточных атомов галогена, определенная по оптическому поглощению (V2-пoлo e), пропорциональна парциальному давлению галогена, присутствующего в паре в виде двухатомных молекул 127]. Следовало бы ожидать, что при введении лишних атомов галогена концентрация дефектов окажется пропорциональной рх, если образуются однократно ионизированные вакансии металла, и рх если возникают нейтральные одиночные дефекты. [c.387]

Поскольку V( и (In dV d) являются акцепторными центрами и имеют разные энергии ионизации, то следует ожидать, что начиная с точки, где [V d ], концентрация дырок скачкообразно увеличится. [c.488]

Частицы с rt = 4 (=Si04) играют роль доноров, что позволяет определить их концентрацию. Данный процесс ассоциации изучался Кайзером с сотр. [8]. Авторами была обнаружена довольно сложная кинетическая зависимость, в которой концентрация [SiOi] проходит через максимум. Аналогичные эффекты были найдены для кислорода в германии [9]. Кинетику образования и исчезновения разных по размерам кластеров F-центров в КС1, а именно M-,N-и и R-центров, изучал Томики [10] . Поскольку F-центры (Vq) быстрее всего диффундируют в ионизированной форме, т. е. в виде V i + е, то скорость образования или распада кластеров будет сильно возрастать, если увеличить, ионизацию за счет оптического поглощения [И]. Кроме того, энергию активации термического распада можно сравнить с энергией ионизации распавшегося центра, при этом можно определить положение его энергетического уровня относительно зоны проводимости [10]. [c.568]

Естественно, что вхождение атома металла в полость фуллерена должно менять его электронные свойства, в частности энергию сродства к электрону. Важный вопрос состоит также в установлении расположения атома металла или нескольких атомов внутри полости фуллерена. Квантово-механические расчеты эндоэдральных металлофуллеренов с элементами Se, Y и лантанидами (см. [19] и соответствующие ссылки), показали, что атом металла смещен от центра внутренней полости фуллерена и, кроме того, происходит перенос электрона с атома металла на углеродный каркас, в результате чего атом металла становится двух- или трехзарядным. При этом энергия ионизации эндоэдрального фуллерена становится заметно меньше, а сродство к электрону, несмотря на отрицательный заряд на углеродном каркасе, больше, чем у полого аналога фуллерена. Действительно, эксперименты на эндоэдральных фуллеренах свидетельствуют о том, что они легче отдают и принимают электрон, чем простые [c.292]

Важным достоинством метода газофазного осаждения арсенида Индия из ЭОС является очень быстрое улучшение электрофизических свойств пленок с толщиной, связанное, по-видимому, с более ранйим образованием сплошных пленок и более низкой температурой эпитаксии по сравнению с газотранспортным методом [5]. Концентрация носителей зарядов в пленках с понижением температуры измерения до азотной практически не меняется, что свидетельствует о том, что они ие собственного, а примесного происхождения и что величина энергии ионизации донорных центров меньше чем 7,5 МэБ. Известно, что такими примесями могут быть элементы VI группы (сера, селен, теллур) в являющиеся донорными примесями в арсениде индия. Опре- [c.85]