Дефекты атомные эффективный заряд

Напротив, при растворении в кристалле MgO металлической примеси с одним валентным электроном, например Li, его валентный электрон заполняет только один энергетический уровень в валентной зоне кислорода, а второй остается свободным. Если в кристалле отсутствуют какие-либо дополнительные атомные дефекты, которые могли бы привести к заполнению незанятого уровня, последний на общем фоне представляет собой электронную дырку в валентной зоне. Ион же лития, отдавший в валентную зону кислорода один электрон, находится в виде однократно заряженного положительного иона и на фоне двукратно заряженных ионов магния проявляет себя как дефект замещения Li Mg с отрицательным эффективным зарядом. [c.36]

На основании соотношений (2.41) — (2.43) химические потенциалы ионов в дефектном кристалле могут быть выражены через концентрации различных атомных дефектов с подходящими значениями эффективных зарядов. Так, используя формулу (2.14), выразим химические потенциалы основных компонентов кристалла через концентрации вакансий [c.70]

Вообще говоря, атомным дефектам в решетках металлов, так же как и в неметаллических кристаллах, должны соответствовать определенные локальные уровни электронов в запрещенной зоне, поэтому атомные дефекты в металлах могут захватывать электроны или дырки и иметь различные эффективные заряды. Однако коллективизированные электроны вследствие очень высокой их концентрации сильно экранируют заряды дефектов, так что электростатическое поле, создаваемое каждым дефектом, практически полностью гасится на расстояниях порядка межатомного. Таким образом, благодаря экранирующему действию коллективизированных электронов атомные дефекты в металлах можно рассматривать как нейтральные и полагать их эффективные заряды равными нулю. [c.72]

В рамках квазихимического метода описания дефектных кристаллов, используемого в данной книге, основные черты дефектной структуры кристаллов определяются целочисленными значениями эффективных зарядов дефектов, которые могут существенно отличаться от зарядов ионов, а истинные заряды ионов не играют существенной роли. Поэтому излагаемая здесь теория в значительной степени применима и к соединениям с промежуточным характером связи, а в некоторых случаях даже к кристаллам, связь в которых б иже к ковалентной, нежели к ионной. В этих случаях критерием применимости теории являются не заряды ионов, а эффективные заряды доминирующих атомных дефектов, определяемые энергетическим спектром электронов в кристалле. [c.129]

В начале данной главы отмечалось, что в кристаллах с преобладающей ионной связью основное зарядовое состояние атомных дефектов отвечает классической ионной модели, так что абсолютные значения их эффективных зарядов совпадают со значениями валентностей соответствующих элементов. Это обстоятельство учитывалось и при дальнейшем описании как собственной, так и примесной разупорядоченности ионных кристаллов, состав которых определяется точными стехиометрическими отношениями. [c.146]

Следует отметить, что представление о центрах как точечных дефектах, захвативших электрон или дырку, является первым приближением, поскольку электронно-дырочные центры — это особые электронные конфигурации групп атомов (ионов), связанные с дефектными участками атомной структуры, захватившими электрон или дырку. Для практических целей обычно сначала рассматривают зарядовое поведение существующих точечных дефектов, а не их совокупности. При этом считают, что в качестве положительно заряженных центров следует рассматривать катионы, занимающие междоузельные положения, а также несвойственные им узлы кристаллической решетки (Ср В", Сц и т. д., где точками обозначен эффективный заряд ионов). Вакансии же анионов представляют как отрицательно заряженные центры (число штрихов означает число [c.36]

В рассмотренных выще случаях, когда механизм внедрения атомов примеси изменялся от механизма контролируемой электронной проводимости до механизма контролируемых атомных дефектов, менялся также эффективный заряд центра, образованного примесным атомом. [c.508]

Аналогичное соотношение можно получить из уравнения (XX 1.29), подставляя вместо т величину г. В теории Вагнера г представляет собой валентность металла. В нашем рассмотрении т является эффективным зарядом подвижных атомных дефектов, причем эти две величины могут быть не равны друг другу. [c.598]

Метод аннигиляции позитронов (МАП) широко используется для исследования вакансий, дислокаций, границ зерен в металлах и сплавах вследствие высокой чувствительности и избирательности позитронов к областям с пониженной электронной плотностью. От известных бесконтактных неразрушающих методов контроля, например, от метода рентгеновской дефектоскопии, МАП отличается тем, что он позволяет исследовать избирательно дефектность материалов на атомном уровне позитроны эффективно захватываются нейтральными дефектами и дефектами, имеющими отрицательный заряд. Чувствительность МАП в отношении концентра- [c.269]

Рассмотренные выше атомные дефекты в кристалле часто оказываются ионизированными. При захвате атомным дефектом одного или более электронов образуются отрицательно заряженные центры, которые удобно обозначать такими символами, как VA, VA и т. д., где штрихи указывают на эффективный отрицательный заряд. При отрыве электронов от дефекта или связывании им дырок возникают такие центры, как Aj , V , Vb и т. д. Дефекты первого типа называются акцепторами (электронов), а второго — донорами. Когда наряду с заряженными дефектами имеются и нейтральные, полезно указать [c.154]

Обозначая нулевой эффективный заряд символом X, можно утверждать, что стехиометрический кристалл Na l при наличии в нем атомного порядка состоит из Nafia, la и V , а кристалл BN — из. . . , . .. и. ... Дефекты в разупорядо-ченном кристалле — стехиометрнческом или нестехиометри-ческом—часто имеют эффективный заряд, отличный от нуля. [c.310]

Аналогичная картина обнаруживается в кристаллах с промежуточной ионно-ковалентной связью. Как указывалось в разделе 1.3, истинное распределение электронной плотности в таких кристаллах существенно отличается от предполагаемого классической ионной моделью и в больщинстве случаев неизвестно. Поэтому определить строго истинные заряды дефектов в реальных кристаллах невозможно. К счастью, это и не нужно. Из схемы, приведенной на рис. 1.4, видно, что электростатическое воздействие дефекта, находящегося в узле I, определяется не истинным значением его заряда, а тем, насколько его заряд отличается от заряда окружающих его ионов, состояние которых отвечает таковому в идеальном кристалле. Поэтому в рамках квазихимического метода зарядовое состояние атомного дефекта можно однозначно определить, приписав ему некоторый эффективный заряд, показывающий, на какую величину его заряд отличается от заряда соответствующего структурного элемента в идеальной рещетке. Другими словами, эффективные заряды дефектов определяются как разностные значения по отношению к общему фону распределения плотности истинных зарядов в решетке идеального кристалла, знать которое совершенно не обязательно. Этот вывод находится в полном соответствии с представлением дефектов как относительных составляющих единиц кристалла, все свойства которых определяются по отношению к фону идеальной кристаллической решетки. [c.27]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология