Миграционные потери энергии

Межслоевая поляризация. Не вся энергия, теряемая, в диэлектриках, обусловлена запаздыванием при ориентации диполей даже те потери, которые соответствуют феноменологической теории, развитой выше, возможны из-за другой причины. Могут быть потери, обусловленные смещением электронов или ионов на макроскопические расстояния. В однородных веществах присутствие таких зарядов вызывает появление тока, возникают миграционные потери, о которых говорилось выше [см. формулу (625)]. В неоднородных веществах, состав которых таков, что проводящие части, входящие в них, не связывают непрерывным образом два электрода, установившийся ток в постоянном поле равен нулю поэтому наличие проводящих областей в веществе не всегда очевидно. Они проявляются, однако, при установлении стационарного состояния и в переменном поле. Заряды движутся через проводящие области и оседают на поверхностях, которые отделяют эти области от непроводящей среды. Поэтому каждая проводящая область в действительности представляет собой,, электрический диполь, момент которого добавляется к моментам, обусловленным поляризацией молекул. По этой причине и введен термин межслоевая поляризация. [c.361]

Миграционные потери проявляются при температурах выше комнатной на звуковых и радиочастотах. Многочисленные исследования показали, что характерные энергии активации (для образцов, ориентированных перпендикулярно к оси г) составляют для ионов натрия (93—142)-10 Дж/моль и (71—80)Х Х10 Дж/моль для ионов лития. Природа потерь в рамках данного механизма выше уже обсуждалась. Изучение образцов, вырезанных из пирамид роста пинакоида, выросших с различными скоростями, показало, что в кристаллах, выращенных со скоростью свыше 0,4—0,5 мм/сут и содержащих значительное количество неструктурной примеси, сквозная миграция ионов-носителей отсутствует. Энергии активации, рассчитанные по кривым 1пр (7 ), составляют (118—138) 10 Дж/моль для кристаллов, выращенных в содовом растворе со скоростью роста 0,33 и [c.137]

Как было выяснено, электронные переходы, вызывающие испускание света, а также аккумуляцию (запасание) энергии возбуждения и внешнее тушение или, в общем случае, миграционные потери, происходят в особых субмикроскопических образованиях, связанных с дефектами кристаллической решетки. В широком смысле слова к дефектам относят всякие нарушения периодического строения кристалла, включая свободные (делокализованные) электроны и дырки, а также фононы. Однако, говоря о дефектах, мы будем иметь в виду главным образом нарушения правильного расположения атомов. Это в первую очередь точечные (нульмерные) атомные дефекты — вакансии, междоузельные атомы и атомы растворенных в кристалле примесей. Центры свечения чаще всего связаны с примесными дефектами. Собственные дефекты играют важную роль в образовании центров захвата и нередко входят также в состав центров свечения. [c.81]

Диэлектрические потери. Часть энергии электрического поля, проходящая через электроизоляционный материал, теряется в нем, превращаясь в тепловую. Это так называемые диэлектрические потери (ДП). В поле переменного тока в тепловую энергию переходит также энергия, затрачиваемая на реализацию релаксационной поляризации различных видов — ионной, электронной, атомной и др. В гетерофазном диэлектрике наблюдаются потери, связанные с затратой энергии на перенос зарядов к внутренним границам между разными фазами (см. рис. 3.35,в). Это миграционные диэлектрические потери. [c.96]

Первые из них вызваны электропереносом ионов под действием поля. Часть энергии, полученная ионами от поля, передается сетке стекла в виде тепла. Близки к ним дипольные релаксационные потери, которые также возникают благодаря наличию подвижных ионов в стекле. Под действием переменного поля ионы проходят через небольшие потенциальные барьеры, что вызывает поляризацию вещества. Оба типа потерь объединяют под названием миграционных. [c.127]

Приведенная оценка величины т)макс не учитывает потерь энергии, связанных с безызлучательной рекомбинацией электронно-дырочных пар и аннигиляцией экситонов. Эти миграционные потери 41] в ионных соединениях с большим количеством структурных дефектов могут быть весьма значительными даже в том случае, если приняты все необходимые меры к удалению посторонних примесей. Определенную роль играют также потери, обусловленные внешней электронной эмиссией и высвечивающим действием возбуждающего света. Выход сцинтилляций значительно снижается при увеличении запасаемой фосфором светосуммы. [c.76]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология