Пирамида сектор роста грани

Необходимо отметить, что не во всех случаях зональное распределение примесей в кристалле можно связывать с изменениями условий роста. Например, отчетливо выраженные в сечении сх закономерно чередующиеся 2—3-миллиметровые зоны дымчатой окраски в секторах тригональной пирамиды синтетических кварцев проявляются в результате пересечения серии паразитных пластинчатых пирамид в секторе ТГ22 . Эти вторичные секторы, образованные акцессорными поверхностями грани (1122), располагаются взаимно параллельно и под углом 45° к оси у. Поэтому в тонких пластинках, параллельных плоскости (ГОЮ), пересекающих несколько вторичных пирамид сектора 1122 , наблюдается чередование слоев с дымчатой окраской различного оттенка и интенсивности. Различие в окраске объясняется эффектом аномального плеохроизма, свидетельствующим о достаточном сложном строении акцессорного рельефа поверхности дипирамиды. Наклонное положение вторичных секторов вызвано перемещением вдоль направления оси у акцессорных холмиков во время роста кристалла. Возможности проявления ложной зональности необходимо учитывать при изучении внутренней морфологии кри- [c.46]

В кристаллах, выращенных с весьма малыми скоростями роста, градиент концентрации структурного алюминия даже в секторах роста, образованных активно адсорбирующими эту примесь гранями, меньше, чем в пирамидах пинакоида кристаллов, синтезированных в условиях обычных скоростей роста пьезокварца. [c.47]

В пирамиде <+л > волокнистые примесные сегрегаты возникают в результате постепенного вырождения плоскости -Ьх и вытеснения ее фрагментами граней тригональных бипирамид, которые, адсорбируя неструктурную примесь, образуют паразитные секторы в объеме пирамиды <+л >. Необходимо подчеркнуть, что на включение неструктурной примеси не оказывает никакого влияния положение растущего кристалла относительно вектора силы тяжести и направления движения конвекционных потоков раствора. Увеличение содержания неструктурной примеси в кварце с повышением скорости роста зафиксировано различными методами. В частности, происходит значительное возрастание интенсивности полос поглощения, связанных с алюминием и ОН-дефектами (наблюдается для образцов, скорости роста которых превышают значение пороговой скорости грани пинакоида v ). В случае, если выращивание осуществляется со скоростями, не превышающими значение даже значительные колебания скорости не вызывают существенных изменений инфракрасных спектров <с> и, наоборот, после того, как неструктурная примесь начинает входить в кварц в одном и том же секторе роста, поглощение на 3394, 3570, 3384 и 3440 см возрастает примерно пропорционально увеличению концентрации примеси в кристалле. Увеличение скорости роста приводит к непропорциональному изменению интенсивности полос поглощения в секторах <с>, <—л >, <+5> и <+л > на различных частотах (рис. 30, 31), что, по всей вероятности, связано с некоторыми вариациями состава неструктурной примеси, [c.117]

Пирамидой, или сектором, роста называется часть кристалла, образованная за счет роста отдельной грани. [c.34]

На рис. 57 представлен препарат из с-кристалла, в котором у-облучение выявляет две генерации паразитных пирамид. К первой относятся быстро выклинивающиеся пирамиды, образовавшиеся в процессе регенерации поверхностных дефектов затравки. Вторая генерация развита в наружных слоях роста. Ее появление обусловлено перестройкой (преимущественно укрупнением) акцессорий грани с, а также разрастанием на границах секторов <с>/<—х> и < >/ + S> граней дипирамид. [c.168]

Как было показано в разделе III.2, при кристаллизации линейного полиэтилена из разбавленных растворов образуются пластинчатые ромбовидные кристаллы толщиной порядка 100 А, показанные на рис. III.7. На этом рисунке представлена электронная микрофотография кристалла, высушенного после извлечения из маточного раствора, в то время как в маточном растворе, как показано на рис. III.8, кристаллы имеют вид четырехгранных полых пирамид. Макромолекулы приобретают складчатую конформацию и осаждаются на кромки различных секторов пирамиды, ориентируясь перпендикулярно поверхности грани. Поскольку й-оси элементарных ячеек кристалла ориентируются вдоль длинных, а 6-оси — соответственно вдоль коротких осей ромба, поверхность роста кри- [c.252]

Из-за особенностей и симметрии структуры и анизотропии скоростей роста захват примесей растущим кристаллом различен для граней разных простых форм. Поэтому распределение примесей в кристалле иногда имеет форму секторов, или пирамид роста (рис. 334). Любые колебания температуры, концентрации, скорости роста и т. п. сказываются в том, что в растущем кристалле появляются зоны роста, т. е. параллельные слои, слегка отличающиеся по химическому составу, иногда по окраске и часто по физическим параметрам, например, по скорости или поглощению ультразвука, по показателю преломления (рис. 335). [c.368]

Как было показано [4], габитус кристаллов, выращенных из раствора в таком парафиновом растворителе, как н-октадекан, отличается от габитуса кристаллов, выращенных из раствора в ксилоле. Первые получаются не только более сильно усеченными при всех температурах кристаллизации, так что развиваются с образованием дендритных форм в основном в направлении оси Ь, но и обнаруживают различные пирамидальные и крышевидные габитусы. При полном высушивании этих усеченных кристаллов их крышевидная форма направлена вдоль <150) в секторах ПО , при этом о многих кристаллах известно, что они растут в виде полых пирамид с поверхностями 516 в секторах 110 и с поверхностями 101 в секторах 100 . Иногда образуется также и другой габитус с пирамидальными поверхностями 513 и 201 . Эти габитусы показывают, что относительный ступенчатый сдвиг складок в пределах данной плоскости складывания у кристаллов, выращенных из парафиновых растворителей, удваивается. Секторы, ограниченные гранями роста 100 и плоскостями складывания 101 или 201 , в случае усеченных кристаллов имеют большое значение, причем их значимость растет с увеличением усеченности. У сильно усеченных кристаллов крышевидная форма направлена вдоль [010], а ее поверхностями являются грани 101 или 201 . Габитусы этих кристаллов очень походят на габитусы пластинчатых волокон в полиэтиленовых сферолитах, выращенных из расплава (см. ниже) [c.470]

Микроскопические исследования препаратов из кристаллов с неструктурной примесью проводились на оптических (МП, МБИ, МБС) и электронном (УЕМ-6А) микроскопах. Предварительные визуальные наблюдения показали, что обнаруживаемый в некоторых отожженных молочно-белых кварцевых пластинках шелковистый блеск обусловлен светорассеянием на трещинах размером примерно 0,2 мм. В процессе исследования под оптическими микроскопами специально приготовленных препаратов (пластины толщиной от 1 до 0,1 мм ориентировались параллельно различным кристаллографическим плосткостям) при интенсивном боковом освещении было установлено, что в молочно-белом кварце присутствуют скопления микроскопических закономерно ориентированных трещин размером от 1 до 0,005 мм. Были изучены микрофотографии, которые дают представление о морфологических особенностях и распределении трещин в объеме различных пирамид роста. Подавляющее большинство трещин имеет размеры от 0,01 до 0,1 мм и ориентировано параллельно граням ромбоэдров. Реже встречаются системы, параллельные плоскостям х, с, з н образованные более крупными трещинами. Размеры трещин уменьшаются с увеличением их числа. Поэтому визуально они обнаруживаются лишь в зонах с пониженной концентрацией неструктурной примеси. Обычно эти системы параллельны плоскости базиса, что определяется по величине угла отражения светового пучка. Полученные данные подтверждают вывод Д. П. Григорьева, сделанный в 1967 г., о проявлении нескольких направлений спайности в кристаллическом кварце. Трещины, параллельные плоскости х, были встречены только в секторе <+х>. При увеличениях порядка 80—400 было обнаружено, что мельчайшие трещины, параллельные граням основного положительного ромбоэдра, имеют эллипсовидную форму и почти соприкасаются друг с другом, образуя сет- [c.121]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология